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光学逻辑器件和光学逻辑（Ⅱ）（续一）余飞鸿（副教授）（浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，杭州３１００２７）４．４混合偏振型光双稳器件［１，２］基于偏振改变而起开关作用的双稳器件不需要谐振腔。光线仅通过器件一次，而不需要来回反射并建立强度，因而其响应... 相似文献
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1 引言在第四讲里,我们较为详细地讲述了电光效应在光纤传感技术和光通信中的应用。在这一讲里,我们将向读者介绍电光效应在光信息处理中的应用,着重讨论其在光计算 相似文献
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随着激光技术的发展,HOE理论、材料及制备工艺的进步,全息术日趋完善。其应用已日益渗透到各个领域。本文将对它的工作原理、应用以及可能的发展作综合的介绍与评述。 相似文献
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全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲１．３～１．６μｍ硅光探测器李国正（副教授）李道全（西安交通大学电子工程系，西安７１００４９）赵策洲（西安电子科技大学历电子所，西安７１００７１）１引言由于本征硅材料的长波吸收极限为１．１μｍ，因此用... 相似文献
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基于电光材料的光学相控阵技术研究进展 总被引：6，自引：0，他引：6
综述了基于电光材料的光学相控阵(OPA)的研究进展.介绍了光学相控阵技术的基本原理以及不同电光材料(铌酸锂电光晶体,AlGaAs光波导,液晶和掺镧锫钛酸铅(PLZT)电光陶瓷)光学相控阵技术的基本构想和涉及的关键技术;着重介绍近年来基于PLZT电光陶瓷材料光学相控阵技术的发展情况以及在这方面的最新研究成果,包括单级相控阵、级联相控阵、不同电极结构(表面电极和上下电极结构)相控阵技术等;最后简要介绍了光学相控阵技术在激光雷达等军事领域中的应用. 相似文献
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用反应沉积法（RDE）制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射（RBS）确定。本文研究了样品的光学性质：室温下在0．26－4．80eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现,Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b）对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征;c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明,样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相,而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。 相似文献
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简要介绍了纳米材料的电学性能以及单电子器件的基本原理和应用；纳米材料的光学性能和光电性能，高的光吸收系数和光致荧光现象可使其应用于敏感元件，由于其光电特性具有超快响应速度，可望在超快光电子器件中得到应用。 相似文献
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第二讲电光材料1 引言在第一讲中,我们已经指出,某些光学介质在足够强的外电场(强到足以扰乱物质原子内的库仑场,典型值约为10~8V/cm)的 相似文献
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