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针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀. 相似文献
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新型三极碳纳米管场发射器件的研究 总被引:5,自引:4,他引:5
采用催化剂高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极。利用优质云母板作为绝缘材料.结合简单的丝网印刷工艺制作了新型的栅极结构。详细地给出了新型三极碳纳米管场发射器件的制作工艺.对场致发射的机理进行了初步的讨论。采用这种新型的栅极结构.不仅极大地降低了总体器件成本.同时避免了碳纳米管薄膜阴极的损伤.提高了器件的制作成功率。所制作的三极结构平板场发射器件具有良好的场致发射特性和栅极控制能力。 相似文献
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三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题,在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。 相似文献
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介绍一种国内外研究的用于场发射显示器的火山口型场发射阴极,它相对于尖锥型场发射阴极来说,具有制作方法简单,制作成本更低,发射一致性更好,更适合大规模工业化生产。但不足之处是发射电流密度太小和有较大的栅极电流。文章详细介绍了火山口型场发射阴极的制作过程,分析并测试了其发射性能以及转移到玻璃基底上的制作方法。最后还介绍了火山口型场发射阴极的改进型-跑道型场发射阴极。 相似文献
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对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力. 相似文献
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针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125 μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30 mm、50 mm 2种长度.根据设计结果,用自制的简易支撑墙定位装置,按10 mm等间距交错位排列该支撑墙,并在同一线上相邻光纤间留8 mm间隙.结合阴、阳极丝网印刷工艺,设计制作了一种显示面积为118 mm×123 mm、像素点数为64×64和可矩阵寻址的二极结构纤维支撑墙CNT-FED,并实现了动态显示. 相似文献
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碳纳米管场发射显示器件的研究已在各个国家开展了许多年,但仍然有很多的问题亟待解决,如碳纳米管作为阴极发射材料的发射均匀性、开启电场、栅极结构的制作、荧光屏制作、真空封装等困难。本文研究了碳纳米管场发射器件的几种结构、特性及其制作工艺,重点阐述了前栅极结构碳纳米管场发射显示器件中在栅极制作和阴极材料装配的瓶颈,并提出了一种栅极制作和阴极保护的方法,并运用此方法在实验室制作了三极结构器件进行验证,有效地解决了制作前栅极结构的困难,为制作大面积碳纳米管场发射显示屏提供了可行性方案。 相似文献
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用于场发射显示的大面积碳纳米纤维阴极 总被引:1,自引:1,他引:0
XinheTang ErnstHammel KlausMauthner MarkusTrampert PaulDeeben EdwardCosman BoikeKropman KeesKortekaas DanieldenEngelsen 《现代显示》2004,(3):40-44
目前我们已经开发了用于场发射显示的碳纳米管发射体制作工艺。该工艺有希望被用于在玻璃衬底上制作大面积碳纳米管阴极,而且还可以在低于玻璃熔化点的条件下定位生长碳纳米管。在一个8×8 cm2的试验件上,展示了全部象素的特性。测试表明,在电场强度为1.79V/μm的条件下,可提供0.9mA/cm2的电流密度;在4.25V/μm的情况下可高达2.7 mA/cm2的电流密度。进而成功地同比放大制成16in阴极。我们期望所制成的大面积碳纳米管阴极,能用于32in、60in或更大面积的场发射显示器。 相似文献
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分析了场发射显示器(FED)中玻璃基板在大气压力下的形变和应力与玻璃基板厚度的关系,得到基板形变和应力随着其厚度的减少而急剧增大。通过研究玻璃基板表面粗糙度及其形变对于器件内部场强及碳纳米管发射电流密度的影响,得出为了保证95%以上的发射电流均匀度,低压型和高压型FED的阴极基板表面粗糙度均应在1μm以内,而阳极基板最大形变分别不超过10μm和40μm。在上述研究的基础上,提出了双层基板结构,其引入改善了FED内表面的粗糙度,同时使得12.7 cm(5 in)以下尺寸的FED屏中取消了支撑。文中还讨论了对于大尺寸屏幕的支撑配置方法。分析结果表明,双层基板结构对于改善发射均匀性和优化支撑体配置具有良好效果。 相似文献
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采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构。通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能。实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm~2时的开启电场分别仅为1.02 V/μm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm~2和6.88 mA/cm~2。通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10113和6840。这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关。表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子。 相似文献