弹丸和超声束流注入对 HL-1M 装置边缘电场和等离子体旋转的影响

介绍了ＨＬ－１Ｍ在不同放电条件下边缘等离子体流和径向电场的测量。实验发现：在多发弹丸注入（ＭＰＩ）和超声束流注入（ＳＢＩ）期间，托卡马克等离子体边缘的径向电场Ｅｒ发生变化，边缘等离子体的极向流剪切以及伴随着边缘扰动水平下降已观测到。     

HL—1M装置边缘等离子体流的测量

在托卡马克放电期间，低杂波（ＬＨＷ）注入，弹丸注入，分子束注入（ＭＢＩ） 气均不同程度地引赶快避部等离子体电位的快速变化，从而改变了电场分布，改变了边缘等离子体的流速和方向。     

HL—1M装置边缘参数和雷诺Xie强的径向分布

利用马赫／郎缪尔探针组测量HL－1M装置刮离层（SOL）和边缘静电雷诺Xie强，等离子体极向旋转，径向和极向电场的径向分布。在低杂波电流驱动（LHCD），超声分子束注入（SMBI），多发弹丸注入（MPI）和中性束注入（NBI）实验中，给出了雷诺Xie强和极向流的关系。结果指出，由于雷诺Xie强的径向变化，托卡马克等离子体边缘可以产生剪切极向流。     

HL—1M装置注入和加热实验的流速与电场测量

利用马赫－郎缪尔探针组研究了ＨＬ－１Ｍ装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电、中性束注入、低杂波注入、离子回旋加热和电子回旋加热等情况下的极向流速、径向电场和极向电场的变化与分布,研究并讨论了它们对降低边缘粒子径向传输和改善等离子体约束性能的影响。     

HL-1M装置低杂波注入的边缘等离子体特性

本文利用多组马赫／郎缪尔探针测量HL-1M装置刮离层(SOL)和边缘的雷诺胁强，等离子体极向旋转，径向和极向电场的变化。在低杂波(LHW)注入实验中，改变低杂波驱动功充率，从而改变边缘电场，等离子体旋转速度和边缘静电雷诺胁强。结果指出，在托卡马克等离子体边缘，雷诺胁强的径向变化可以产生剪切极向流。     

HL—1M装置超声分子束注入的边缘等离子体结构

HL－1M装置的分子束流注入加料实验中,利用提高注入口气源的气压来提高超声分子束流的速度和增加入射的粒子密度,从而改变边缘电场,等离子体旋转速度和边缘静电雷诺Xie强。本文利用马赫／郎缪尔探针组测量HL－1M装置刮离层（SOL）和边缘雷诺Xie强,等离子体极向旋转,径向和极向电场的变化,表明了随着分子束流速度和粒子密度的增加,延伸了分子束流的注入深度。     

HL-1M装置边缘扰动和流速的实验研究

利用一组马赫探针研究HL-1M装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电、壁硼化、偏压抽气孔栏、偏压电极、低混杂波电流驱动、电子回旋共振加热、弹丸注入、分子束注入、激光吹气和补充送气等情况下的平行流马赫数、离子饱和电流扰动、平行流速度剪切和极向流速度的分布。实验中发现局部等离子体电位快速变化，改变了电场分布，改变了边缘等离子体的流速和方向。从而改善了等离子体约束性能。     

HL—1M装置边缘把动和流速的实验研究

利用一组马赫探针研究ＨＬ－１Ｍ装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电，壁硼化，偏压抽气孔栏，偏压电极，低混杂波电流驱动，电子回旋共振加热，弹丸注入，分子束注入，激光吹气和补充送气等情况下的平行流马赫数，离子饱和直流扰动，平行流速度剪切和极向流速度的分布。实验中发现局部等离子体电位快速变化，改变了电场分布，改变了边缘等离子体的流速和方向。     

HL—1M装置的八发弹丸注入系统及工程实验

八发弹丸注入系统自１９９６年投入ＨＬ－１Ｍ（中国环流器新一号）托卡马克加料实验并成功实现Ｈ２弹丸的八发连续注入等离子体。描述了此系统及其在液氮和液氦条件下分别以ＣＨ４和Ｈ２为丸料气的工程实验。压力高于５ＭＰａ的Ｈｅ为推进剂,弹丸速度达８００－１０００ｍ／ｓ。     

低温技术在受控核聚变实验中的应用

在中国环流器一号（ＨＬ－１）等离子体物理实验中，增加了弹丸注入和电子回旋共振加热系统。对低温技术在其中的应用情况，液氦输送系统，输液方法及氦气回收系统做了介绍。在一次等离子体物理实验中，总共使用液氦２７３３Ｌ。在弹丸注入系统中，使装置的等离子体密度提高了１～２倍。在装置上成功地实现了电子回旋共振加热，使等离子体电子温度增加３０％以上。     

HL-2A工程调试的边缘等离子体诊断

在HL-2A装置工程调试中，边缘等离子体参数是通过磁力传动的朗缪尔四探针进行研究．朗缪尔四探针是安装在可以径向向里和向外移动长杆上，以及可以绕着快速往复移动系统和磁力传动杆的轴旋转3600．它是用于测量边缘电子温度和密度，极向电场以及等离子体的悬浮电位和空间电位。     

HT—7托卡马克氘丸注入实验研究

简要介绍了用于国家中型超导托卡马克装置HT-7弹丸注入系统;详细阐述了在HT-7装置首次用于加料实验的氘（D2）丸的成冰工艺、氘丸注入实验以及氘丸注入对等离子体产生的影响;研究了等离子体的密度、温度的分布变化。     

注入温度对Mn^＋注入p-GaN薄膜的结构和磁性影响

在（0001）面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长P型GaN外延层．对P型GaN薄膜用180keV的Mn^＋离子注入进行磁性粒子掺杂，注入剂量保持为5．0×1015cm^-2，但注入时P型GaN分别处于室温、300℃和500℃．对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理，温度为850℃、时间为30s．用超导量子干涉仪（SQUID）对样品的磁性进行了分析，室温下注入样品的磁响应较弱，未发现铁磁性；在300℃下注入的样品中发现有较强的铁磁性，更高的500℃的注入温度并不能进一步增强铁磁性．结合用X射线衍射（XRD）对不同注入温度样品的结构研究，揭示只有适当的注入温度（300℃）才有利于GaN晶格的恢复和铁磁性的产生。     

高压气体驱动锂球弹丸混合注入系统的研发北大核心CSCD

高压气体注入及弹丸注入是进行等离子体破裂缓解的最常用的两种杂质注入方式,这两种杂质注入方式在单独应用于等离子体破裂防护方面都存在一定的缺点,都不足以完全满足未来ITER等核聚变装置进行等离体破裂缓解的需求。为了整合两种杂质注入方式的优点,同时为了弥补两者在等离子体破裂缓解应用方面的补足,我们研发一套高压气体推进锂球弹丸混合注入系统,该系统实现了锂球弹丸及高压气体的同时混合注入,高压气体可以被注入到等离子体边界区域,而锂球弹丸在高压气体推动下可以实现几百米每秒的注入速度,可以注入到等离子体芯部区域,因此可以实现等离子体芯部和边界的多点同时冷却,有可能进一步增强等离子体与杂质的混合效率,进而有可能提高破裂缓解效果,其在破裂缓解方面的优越性将在2018年的EAST物理实验中进行进一步验证。通过平台标定,在0.6 MPa工作气压时,测试弹丸的最大速度可以达到250 m/s,在1.1 MPa工作气压时,测试弹丸的速度可以达到350 m/s,而在1.5 MPa工作气压时,测试弹丸的速度最大可以达到400 m/s,通过提高工作气压可以实现更高的弹丸注入速度。该系统的成功研发一方面为EAST开展等离子体破裂缓解研究工作提供了更加有效的杂质注入工具,另外一方面,相关技术突破及物理研究也可以为未来ITER开展相关研究提供借鉴。     

用于圆筒状零件内表面等离子体浸没离子注入的偏转电场法

等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）为解决束线离了注入所难以解决的圆筒状零件内表面注入处理问题提供了新要可能途径，但在应用中却受到注入能量和注入剂量偏代的限制，本文针对这一问题了偏转电场法用以提高内表面注入的能量和注入剂量，实验结果表明，采用这一方法可以有效地改善圆筒状零件内表面注入的注入情况，注论述工提高了２５％～１００％，注入剂量提高了７３％～１１３％，注入脉冲宽度的延有利于注入离子向部深入，利于     

氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性

用苯（C6H6）和三氟甲烷（CHF3）混合气体源气体，采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（MWECRCVD）技术，制备了氟化非晶碳膜（a-C:F)，光学带隙的结果表明它与膜中的C，F元素含量和键结构都有关系，伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性，高电场下则是肖特基发射机制。     

HT—6M和HT—7托卡马克的多发靶丸注入试验研究

最大发射能力为８ 发的多发 “原位” 靶丸注入装置已在中科院等离子体所建成。在 Ｈ Ｔ－ ７ ,中国第一座超导托卡马克和 Ｈ Ｔ－ ６ Ｍ 上进行了单发及多发试验。其差分单元及控制单元稳定可靠, 试验中测量了靶丸的尺寸和速度, 观察到显著而典型的物理现象, 实现了深度加料。加料效果显著,在单发靶丸注入时中心弦平均密度增长约５０ ％ ,双发注入时约１００ ％ 。实验中也观察到了明显的电子温度中空分布。文章介绍了系统的结构及操作,给出了实验现象及初步的物理分析结果。     

中国环流器新一号取得初步实验结果

中国环流器新一号装置（ＨＬ１Ｍ）是用于受控热核聚变实验研究的中型托卡马克装置，是在中国环流器一号（ＨＬ１）的基础上改建而成的，其主要物理目标是高功率辅助加热、低杂波电流驱动和弹丸注入加料，研究在这些条件下的高温等离子体性质。ＨＬ１Ｍ在１９９４年建成，１９９５年进入物理实验阶段。ＨＬ１Ｍ的正常运行为受控核聚变实验研究提供了很好的装置条件，几年来不断取得新成果。例如：低杂波工程系统的输出功率达到８５０ｋＷ，脉冲宽度１ｓ（超过设计值）；１９９８年首次进行了高能中性（氢）粒子注入即获成功；进行…     

HT-7托卡马克氘丸注入实验研究

简要介绍了用于国家中型超导托卡马克装置HT-7弹丸注入系统;详细阐述了在HT-7装置首次用于加料实验的氘(D2)丸的成冰工艺、氘丸注入实验以及氘丸注入对等离子体产生的影响;研究了等离子体的密度、温度的分布变化。     

有机半导体的自旋注入和自旋输运

利用自旋漂移-扩散方程自洽地得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化予电导的自旋相关性对自旋注入效率的影响.计算结果表明,自旋注入效率明显依赖于极化子电导的自旋相关性.在自旋注入效率增加30%的情况下,极化子电导的自旋相关性T=5K时将增大4个数量级左右,表明,在电场作用下的有机半导体自旋注入体系中,考虑极化子电导的自旋相关性对自旋注入的影响有着非常重要的意义.另外自旋注入效率还是位置的函数,但当电场大于100mV/μm后,极化子的自旋相关性几乎不再随极化子所在位置发生变化,自旋注入效率此时也几乎与位置无关.