1．45μm及1．47μm半导体激光器泵浦的掺铒光纤放大器实验研究

利用１．４７μｍ及１．４５μｍ半导体激光器泵浦的掺铒光纤放大器进行了实验研究。结果表明，用１．４５μｍ半导体激光器泵浦掺铒光纤也能对信号光放大。用１．４５μｍ和１．４７μｍ半导体激光器双向泵浦掺铒光纤，获得了２７ｄＢ的增益。     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

1．48μmLD双向泵浦掺铒光纤放大器的研究

研究了１．４８μｍＬＤ双向泵浦低掺杂铒光纤放大器的增益特性和饱和输出特性，研制了一种掺铒光纤放大器，小信号净增益达２６．５ｄＢ，３ｄＢ小信号增益下降时的净饱和输出功率为３ｄＢｍ，最大净输出功率为９ｄＢｍ。     

980 nm和1480 nm LD混合泵浦两段级联掺铒光纤放大器实验研究

采用两段级联掺铒光纤、９８０ｎｍ和１４８０ｎｍＬＤ混合泵浦方式，实验分析比较了内插光隔离器和内插光隔离－耦合环光路结构掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）的增益、噪声系数和输出功率特性。研制出内插光隔离－耦合环的ＥＤＦＡ，在信号波长１５５３．５ｎｍ处，小信号增益为４２．８ｄＢ，噪声系数为４．４ｄＢ，输出功率为１５．２ｄＢｍ。     

光纤有线电视系统中掺铒光纤放大器的研制

成功地解决了ＣＡＴＶ光纤放大器的技术难点：（１）增益,噪声与泵浦功率的关系;（２）增益,噪声与掺铒光纤长度的关系;（３）增益,噪声与泵浦方式的关系。研制成功的ＣＡＴＶ光纤放大器具有输出功率大、增益高、噪声低和频带宽等特点,在输入光功率０￣＋６ｄＢｍ时,输出光功率１８ｄＢｍ,典型噪声系数４．６ｄＢ,小信号增益为３２ｄＢ,工作波长范围为１５４０￣１５６５ｎｍ。     

正反向泵浦下掺铒光纤放大器的增益与自发辐射特性的研究

本文论述了掺铒光纤放大器在正向泵浦、反向泵浦时，它的增益与自发辐射特性的不同，通过对电子工业部第四十六研究所研制的掺铒光纤吸收谱的测量，计算了正向泵浦、反向泵浦时，泵浦光、某一波长的荧光功率、荧光总功率及信号光功率随光纤长度的变化，分析了正反向泵浦时，掺铒光纤放大器的荧光谱与增益谱，并讨论了双向泵浦情况下，放大器增益与光纤长度的关系。     

正反向泵浦下掺铒光纤放大器的增益与自发辐射特性的研究

本文论述了掺铒光纤放大器在正向泵浦、反向泵浦时，它的增益与自发辐射特性的不同，通过对电子工业部第四十六研究所研制的掺铒光纤吸收谱的测量，计算了正向泵浦，反向泵浦时，泵浦光，甘一滤长的荧光功率、荧光总功率及信号光功率随光纤长度的变化，分析了正反向泵浦时，掺铒光纤放大器的荧光谱与增益谱，并讨论了双向泵浦情况下，放大器增益与光纤长度的关系。     

低噪声掺Pr^3＋氟化物光纤放大器

研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。     

掺铒光纤放大器的最佳光纤长度和增益特性

本文用三能级系统的速率方程建立了掺铒光纤放大器近似理论模型。在有激发态吸收时，各种泵浦波长下均获得了掺铒光纤的最佳长度。就增益随信号光及泵浦光光强的变化作了分析。通过对增益谱分析发现改变掺铒光纤长度可改变增益带宽，为掺铒光纤放大器在波分复用光纤通信系统中的应用提供了依据。     

148nm泵浦的掺铒光纤放大器的大信号特性分析

本文对低泵浦功率下１４８０ｎｍ泵浦的掺铒光纤放大器的特性进行了数值分析，分别给出了正，反向泵浦下大信号（１ｍＷ）输入时掺铒光纤放大器的增益－泵浦功率和噪声指数－泵浦功率曲线，说明了低泵浦功率对掺铒功率对掺期铒光纤放大器特性的影响。     

功率合成电路在氮化镓放大器中的应用

针对氮化镓大功率放大器,由于传统1/4λ枝节线的电桥互耦造成放大器的直流自激和低频自激,在传统1/4λ传输枝节的Wilkinson电桥的基础上,结合氮化镓器件尺寸,设计出以3/4λ传输枝节的Wilkinson电桥为功率分配器/合成器。其输出端口尺寸为27.2mm。在8GHz～9GHz内,插入损耗<1dB,输出端口隔离度>14dB,端口回波损耗>9dB。利用实验室自制的SiC材料衬底的2.5mm栅宽GaN HEMT器件为放大单元,设计完成了两路合成放大器,在8GHz连续波条件下,放大器饱和输出功率为41.46dBm,合成效率为82.3%。通过分析发现,放大器合成效率的下降主要是由每路放大单元特性不一致和功率合成网络损耗所造成的。     

应用SIP技术的宽带板间垂直互连结构

提出了一种应用SIP技术的宽带低损耗板间垂直互连结构。采用BGA作为上下两层基板微波互连的通道,利用多层PCB技术设计并研制了一个DC-20 GHz板间三维垂直互连过渡结构,该结构在20 GHz内,回波损耗小于-12 dB,插损小于1 dB,该板间过渡结构尺寸为9.2 mm×4 mm×0.8 mm。同时提出了该种过渡结构等效电路模型,仿真结果与实测结果吻合较好。     

基于氮化铝技术的表贴型微波封装

采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6～18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5mm×1.2mm,频带内反射损耗小于-10dB,增益15dB,平坦度小于1dB;另外还封装C波段5W功率放大器,封装尺寸为8mm×8mm×1.2mm,带内增益大于25dB,反射损耗小于-10dB,饱和输出功率37dBm,效率35%。采用技术的表面贴装放大器性能上能够满足微波通信、雷达应用,可用回流焊安装,适合规模生产。     

一种基于LTCC 的吸收式低通滤波器的设计

为了阻止阻带反射信号回到信号源,设计了一款LTCC半分布式吸收低通滤波器。该滤波器通过衰减电阻把阻带能量衰减掉,在不增加插入损耗的情况下达到吸收阻带反射信号的效果。仿真结果表明,该款滤波器的3 dB截止频fc=2.5 GHz,带内回波损耗大于20 dB,6fc处对反射信号的吸收大于12 dB,3.7 GHz处的带外抑制大于20 dB,模型尺寸仅为4.8 mm×3.6 mm×1.43 mm。     

Reflective duplexer based on silicon micromechanics for fiber-opticcommunication

In this paper, we report on a passive duplexer based on reflective modulation for single-mode fibers. The component integrates a silicon micromechanical modulator and a photoreceiver in a hybrid assembly. Fabricated by the silicon micromachining technology reflective modulators allow a considerable cost reduction of single mode fiber-optic links as compared to systems operating with active light sources at both link terminals. The micromechanical modulator is characterized by a low insertion loss of less than 3 dB and polarization insensitivity. The ON-OFF ratio is typically 9 dB over a wavelength range from 1260 to 1360 nm. The operation frequency is limited by the mechanical movement of the modulator membrane to 1.3-2 MHz. We report on the characterization of fully packaged duplexer components     

钒酸钇晶体楔型光隔离器

介绍了用钒酸钇晶体的与偏振无关的Ｗｅｄｇｅ型光隔离器的基本原理，用琼斯矢量法得到了插入损耗和隔离度的数学表达式，并介绍了隔离器的结构设计．制作的隔离器光纤到光纤的插入损耗为１．０４ｄＢ，隔离度为４２ｄＢ，回程损耗为４４．３ｄＢ，偏振灵敏度≤０．２ｄＢ，带宽大于４０ｎｍ，体积为１０×１０×４０ｍｍ３．     

金属陶瓷贴片封装的S波段六位数控移相器

介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果.该移相器在工作频带2.8～3.6 GHz内64个移相态的移相精度RMS＜1.0°、插入损耗IL＜5 dB、输入输出驻波比VSWR＜1.5、幅度均衡△IL＜0.3 dB、1分贝压缩输入...     

A Ku‐Band 5‐Bit Phase Shifter Using Compensation Resistors for Reducing the Insertion Loss Variation

This paper describes the performance of a Ku‐band 5‐bit monolithic phase shifter with metal semiconductor field effect transistor (MESFET) switches and the implementation of a ceramic packaged phase shifter for phase array antennas. Using compensation resistors reduced the insertion loss variation of the phase shifter. Measurement of the 5‐bit phase shifter with a monolithic microwave integrated circuit demonstrated a phase error of less than 7.5° root‐mean‐square (RMS) and an insertion loss variation of less than 0.9 dB RMS for 13 to 15 GHz. For all 32 states of the developed 5‐bit phase shifter, the insertion losses were 8.2 ± 1.4 dB, the input return losses were higher than 7.7 dB, and the output return losses were higher than 6.8 dB for 13 to 15 GHz. The chip size of the 5‐bit monolithic phase shifter with a digital circuit for controlling all five bits was 2.35 mm × 1.65 mm. The packaged phase shifter demonstrated a phase error of less than 11.3° RMS, measured insertion losses of 12.2 ± 2.2 dB, and an insertion loss variation of 1.0 dB RMS for 13 to 15 GHz. For all 32 states, the input return losses were higher than 5.0 dB and the output return losses were higher than 6.2 dB for 13 to 15 GHz. The size of the packaged phase shifter was 7.20 mm × 6.20 mm.     

适于DFB—LD光源耦合的微型化光隔离器

本文报道一种微型化光隔离器。隔离度大于４０ｄＢ，插入损耗小于０．３５ｄＢ，能适应ＤＦＢ—ＬＤ光源的耦合封装要求。文中先简要介绍了器件基本原理与设计，然后对其主要性能指标进行了评估与测试。     

基于QMSIW小型化带通滤波器设计

为有效减小X波段基片集成波导(SIW)滤波器的尺寸和插入损耗,提出了基于四分之一模基片集成波导(QMSIW)和共面波导(CPW)混合结构的小型化带通滤波器。为了提高滤波器的选择性和带外抑制,将两个CPW合并到两个级联的QMSIW谐振器中,由于两个CPW谐振器之间的耦合是电耦合,有助于产生两个传输零点,因而具有较高的选择性。该小型化滤波器尺寸仅为8.1 mm×15.4 mm,中心频率为8.7 GHz,相对带宽是16.1%,仿真测得插入损耗为0.83 dB,带外抑制大于40 dB。