CMP承载器的初步研究

在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。     

CMP承载器背压发展历程

随着集成电路(IC)技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术(CMP)是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是C MP设备的关键部件,通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表面全局平整度的影响,发现随着技术节点的提高,承载器施加越来越多路背压且背压控制精度越来越高。因此,国产CMP设备为了满足集成电路的严格要求,其承载器必须具备施加多区域背压,且控制精度越来越高。     

CMP中真空供应系统的设计

针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求：（1）持续稳定的真空供应;（2）能够及时处理倒流液体;（3）真空电机不易长时间连续工作的要求,从气动性、硬件电路和软件流程图进行全面设计：增加独立的真空槽体和排液槽体,在正常运行情况下二者串联增加真空供应容积,并且自主收集倒流废液,而排液中依然可保证真空稳定供...     

真空灭弧室的残余气体分析

真空灭弧室的真空性能其制造的关键。真空灭弧室在三十多年的寿命期内要保持高真空，就必须对其最大漏气率和内部放气量提出严格要求。     

大吨位电子汽车衡承载器技术规范浅析

目前国内正常使用的最大称量为30t至150t的电子汽车衡,是一节承载器或多节承载器和多只传感器组成的大型衡器。完善电子汽车衡承载器的技术规范是很有必要的,这样保证了量值传递的准确性与正确性,同时提高了电子汽车衡的产品质量。     

环抛机薄片工件可调式承载器的设计与制造

针对环抛机研抛薄片工件装载卸载存在的问题,设计一种适用于环抛机便于操作的薄片工件可调式承载器,实现薄片工件快速装卸,并采用3D打印技术试制。结果表明：与石蜡粘结方式相比,可调式承载器的结构简单,操作便捷,提高加工辅助效率的同时能保证装载可靠性;选用PLA塑料制造,质量轻同时硬度适中,有利于研磨抛光加工的精确加载和表面质量提升;3D打印技术试制效率高,质量好,制备成本低。     

硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析

化学机械抛光（CMP）技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆CMP平坦性问题，系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响，从中找到它们之间的优化参数，减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污，清除残余颗粒，保证硅晶圆的平坦化质量。     

CMP系统技术与市场

概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。     

硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析

化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆CMP平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆的平坦化质量。     

有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的解及应用

本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。     

n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量

用聚焦的激光光点（宽度约为０．１ｍｍ）测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）长条状薄片样品的少数载流子寿命沿样品长条方向的分布，结果表明分布是不均匀的，讨论了引起这种不均匀的可能原因。     

太阳能级Si片清洗工艺分析

在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10~(14)atoms/cm~2,Fe元素小于5×10~(13)atoms/cm~2。碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH~-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率。     

晶片定位原理与算法

在半导体材料的加工过程中,晶片的精确定位应用于多个工序,一方面能提高生产率,另一方面也能提高产品的一致性,保证晶片的加工精度。目前的定位方式分为两种,仅对电子定位系统加以介绍,针对不同的晶片轮廓采用不同的识别数据,介绍了数据采集原理和数据特点,以及轮廓识别软件如何对数据进行分析和处理,最终实现对晶片的精确定位。     

300mm硅片化学机械抛光技术分析

化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术.对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.     

载波叠加技术的频谱效率分析

卫星通信中,载波叠加技术可以通过载波间交叠的方式在同一频段实现带宽共享,理论上能大幅降低载波带宽占用和带宽租赁费用.然而转发器资源是由功率和带宽组成的,两者的占用比应遵从功带平衡原则,但载波叠加技术降低了带宽占用却没有降低功率占用,这导致了其在实际应用中受转发器功率因素限制而无法发挥其技术优势,对于载波的频谱效率提升效...     

ULSI硅衬底片清洗技术的分析研究

本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.     

晶圆叠层3D封装中晶圆键合技术的应用

论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。     

锗单晶片的碱性腐蚀特性分析

讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性.研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律.通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐蚀速率有关而与去除量无关.腐蚀片的表面粗糙度和去除量有关,去除量越大,粗糙度越大.表面粗糙度也与腐蚀液的碱性强弱有关,当去除量相同时,在强碱性腐蚀液中的锗腐蚀片的表面粗糙度更小.在实际应用中,应针对不同目的,选择适宜的化学腐蚀工艺.     

探索晶圆级芯片贴装薄膜和芯片制备集成工艺的新挑战

分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装薄膜贴覆工艺,芯片制备以及后序工艺中所遇到的巨大挑战。