一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.     

一种采用曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源的设计

本文设计了采用曲率补偿．具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器．电路结构简单，且避免运算放大嚣所带来的高失调和必须补偿的缺陷。此外电路又采用了内部负反馈回路．使基准电压源工作一个稳定的电压下．从而提高基准电压源的电源抑制比(PSRR)。文中最后给出了此基准电压源的各种性能的仿真波形。     

一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计

本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源,供电电源3.3V.采用CSMC 0.5um CMOS工艺.Spectre仿真结果表明,基准输出电压在温度为-40～+80℃时,温度系数为45.53×10-6/℃,输出电压在电源电压为2～5V范围内变化小.电源抑制比达到-73.3dB.     

一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路

提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明,在3.3V供电电压下,输出基准电压为1.2254V,温度系数为2.91×10-6V/℃,低频的电源抑制比高达96dB,启动时间为7μs。     

一种高精度双极性带隙基准电压源的设计破

本文提出了一种基于双极性工艺的高性能带隙基准电压源的设计。该电路结构简单,性能优异。用Spectre进行仿真,结果表明,在-50～90℃的温度范围内,其温度系数为5.7ppm/℃;在3～15V的电源电压内,电源线性调整率为1.0mv/V,电源抑制比(PSRR)为-55dB。     

一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.     

一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。     

电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源

因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。     

一种具有高电源抑制比的带隙基准电路

本文提出了一种可用于具有动态自供电功能的AC/DC开关电源中的高电源抑制比带隙基准电路.设计中,采用反馈的思想,用高增益二级运算放器作为误差放大器,成功的抑制了电源电压变化的影响.使用Cadence下的Spectre仿真器,在XFab标准1.0uM BiCMOS工艺下对电路进行了仿真.电源电压从9.8V到11.4V的变化过程中,带隙基准的输出电压变化不到0.1mV.在提高电源抑制比的同时,本电路也获得了令人满意的温度特性.     

一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工艺实现,采用MentorGraphics的Eldo工具进行仿真,结果表明该电路具有低温度系数和高电源抑制比.     

一种应用于基准的双向修调电路

本文设计了一款双向修调电路,应用于高精度的LDO内部电压基准。突破常规的单向电阻修调方式,采用MOS开关控制的双向电阻实现双方向修调,能够很好地抵消生产工艺带来的正负偏差。基于0.35umCMOS工艺下,采用Cadence spectre 进行后仿真,结果显示,修调前最差工艺角下的偏差高达-5%～+7%,在不增加额外功耗修调后的误差仅在±2% 以内,性能显著。     

一种高电源抑制比的带隙基准电路

提出一种高电源抑制比的带隙基准。该电路的基本结构是将一个简单的电压减法器集成到传统的Brokaw基准中构成改进电路。本电路的基本工作原理是将电源噪声直接添加到电路的反馈环节,帮助抑制电源噪声。仿真结果显示与理论分析吻合。本电路在提高电源抑制的同时,还获得了很好的温度特性。     

基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃～125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V～7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V.     

一种高阶补偿的开关电容带隙基准电路设计

介绍并设计一款具有高阶曲率补偿功能的开关电容式带隙基准电压源,采用自动调零技术,克服传统线性基准的失调缺陷,消除了失调电压的影响,提高了运放的输出精度.设计采用虚拟管,降低开关管关断时带来的寄生效应;通过架构引入高阶补偿项,使输出电压温度曲线为正弦型,显著降低了温度系数.电路在0.35μm标准CMOS工艺下实现,通过仿...