高气压针板放电式2kW连续CO_2激光器的温度效应

研制成功一种工业用高气压封闭循环2kW级连续CO_2激光器。该型激光器采用了三轴正交形结构,以及多针对平板的正常辉光放电的方式,在放电区内,气流速度可达50m/s以上。当气体成分为CO_2:N_2:He=1:8:20,气压为100Torr时,输出功率为2300W以上,效率为16%左右,每次连续运转时间可超过10小时,输出功率的不稳定度小于±2%。     

密封长寿命千瓦级横流CO_2激光器

报道了高气压密封长寿命千瓦级横流CO_2激光器的结构、放电稳定性和长时间密封运转性能。讨论了在真空室中放入适量硅胶,对腔区进行有效冷却及提高气压对长时间密封运转的作用。 气流速度45m/s,工作气压82Torr,激活区长度80cm,输出功率1350W,效率15.6％,连续运转时间大于30小时。     

小型化轴流式非链式脉冲氟化氘激光器

采用轴流循环流动方式更新非链式脉冲氟化氘（DF）激光器工作介质，搭建了一台小型化自引发放电DF激光器实验装置，开展了轴流DF激光器输出性能实验研究。单脉冲工作时，在工作气体配比SF₆∶D₂=10∶1，总气压8 kPa时，实现单脉冲能量800 mJ激光输出，全波半高宽约120 ns，其性能与横流放电非链式脉冲DF激光器相似。重复频率放电时，实现了DF激光器重复频率20 Hz稳定运转，得到的最大输出功率为13.1 W，重频脉冲幅值差优于±5%，并展望了轴流式DF激光器高重频工作的前景。文中提出的轴流式非链式脉冲DF激光器为小型化、工程化中红外光源提供了新的技术途径。     

基于黑磷可饱和吸收体的被动调Q Tm∶YAP激光器

介绍了一台2μm波段的被动调Q(PQS)模式Tm∶YAP激光器。该激光器采取直形腔结构，用输出中心波长为792 nm的激光二极管作为泵浦光源，用新型二维材料黑磷制备的可饱和吸收体作为PQS调制器件。实验结果表明：在连续波模式运转下，当泵浦功率为8.8 W时，Tm∶YAP激光器的输出功率为1.0 W，输出中心波长为1994.8 nm，相应的斜率效率为17.3%；在PQS模式运转下，当泵浦功率为8.8 W时，Tm∶YAP激光器的平均输出功率为0.9 W，输出脉冲宽度为1.3μs，重复频率为135.8 kHz；当平均输出功率为0.9 W时，Tm∶YAP激光器的输出中心波长为1986.7 nm，相应的斜率效率为14.2%，光束质量因子M_x²=1.10、M_y²=1.06。     

超小型氦氖激光器工作特性研究

本工作仔细测量了腔长30mm，内径14．5mm的超小型He—Ne激光器在不同总气压、分气压比、工作电流条件下的输出功率。得到分气压比PHe；PNe=9．7：1，总气压P=4．6torr和工作电流I=3mA的最佳工作条件。为此类激光器的应用提供了数据。     

分子束外延生长高应变单量子阱激光器

采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术.将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm,其光致发光峰半峰宽只有22meV.研制出1120nm室温连续工作的InGaAs/GaAs单量子阱激光器.对于100μm条宽和800μm腔长的激光器,最大线性输出功率达到200mW,斜率效率达到0.84mW/mA,最低阈值电流密度为450A/cm2,特征温度达到90K.     

内腔式CO_2波导激光器的研制

报导一个封离型内腔式CO_2波导激光器的结构和初步实验结果。该器件激活长度为85毫米,腔长为100.8毫米,在CO_2∶N_2∶He=1.6∶1∶4.4,总气压为110托压力下,得到0.5瓦以上的输出功率,最大输出功率     

激光二极管端面抽运的多晶Nd∶YAG1.06 μm连续激光器

报道了激光二极管端面抽运的多晶Nd∶YAG(polycrystallineNd∶YAGceramic) 1 0 6 μm连续激光器的实验研究。在抽运功率为 0 3W时 ,激光达到阈值开始输出 ;在抽运功率为 9W时 ,输出功率达到 2W ,激光器光 光转换效率为 2 2 2 %。     

多路高功率Cr, Tm, Ho∶YAG激光器技术

文中介绍了四路Cr, Tm, Ho∶YAG激光器在设定时序下轮流工作,顺序耦合进一根320μm的低OH- 石英光纤输出,可以成倍地提高Cr, Tm, Ho∶YAG激光治疗机的输出功率,从而能够适应不同的治疗目的和需要。在三路情况下,当单脉冲最大注入能量100J ,重频30Hz时,激光器直接输出功率50. 17W,光纤末端输出功率35. 65W,耦合效率71%。     

金属波导连续光泵气体太赫兹激光器

针对紧凑型光泵气体太赫兹激光器(OPTL)技术,设计并研制了全金属波导结构的气体太赫兹(THz)激光器原理样机.THz激光器工作介质为CH_3OH气体,最佳工作气压30 Pa,在波长9.69μm、连续功率44 W的9P(36)支CO_2激光泵浦下,实验测得在2.52 THz频点输出功率150 m W,光子转换效率为8.4%.研究THz激光输出功率与CH_3OH工作气压、泵浦光功率的关系、以及THz激光输出稳定性,并通过压电陶瓷对THz激光腔长进行精密调节,同时测量输出功率的变化情况,讨论了金属波导THz激光器的纵模特性.实验工作与结果为下一步紧凑型折叠波导腔全金属OPTL的研制提供了参考.     

大功率低阈值980nm单模AlGaInAs/AlGaAs量子阱激光器

To achieve low threshold current as well as high single mode output power,a graded index separate confinement heterostructure(GRIN-SCH)AlGaInAs/AlGaAs quantum well laser with an optimized ridge waveguide was fabricated.The threshold current was reduced to 8 mA.An output power of 76 mW was achieved at100 mA current at room temperature,with a slope efficiency of 0.83 W/A and a horizon divergent angle of 6.3.The maximum single mode output power of the device reached as high as 450 mW.     

高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器

利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.     

脉冲YAG激光对几种细菌的抑菌作用

本研究的目的是观察脉冲YAG激光对金黄色葡萄球菌、铜绿假单孢菌和大肠杆菌的抑菌效果。应用脉冲YAG激光仪,用不同剂量（4瓦、3瓦、2瓦）点照约10^7／ml的细菌悬液3分钟,结果发现抑菌效果与照射剂量、细菌种类有关：照射剂量为4瓦时,对这3种细菌有很强抑菌作用,对金黄色葡萄球菌、铜绿假单孢菌和大肠杆菌的抑菌率分别为100％、100％、85％：激光对金黄色葡萄球菌、铜绿假单孢菌的抑菌效果比大晒杆菌好,与细菌产生的色享有关。     

应变无Al有源层InGaAsp／InGaP／In0.5（GaAI）0.5P／GaAs大功率激光二级管

生长了InGaAsp/InGaP/In（AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器，发光波长780nm。利用电化学C-V表征材料掺杂，掺杂浓度达10^18cm^-1。利用荧光PL及EL表征其光学性质，PL峰为765nm。制得100μm、宽1mm长条形。测得阈值电流为315mA，斜率效率超过1W/A，功率转换达40%左右。注入电流1.5a，光功率单管输出达到1.2W。     

High-speed characteristics of large-area single-transverse-mode vertical-cavity surface-emitting lasers

The single transverse mode operation of VCSELs with low threshold current (I/sub th/) of 1.5 mA, slope efficiencies about 0.35 W/A, high optical output power of 3.8 mW and speed performance of 10 Gbit/s is reported. The laser has continuous-wave operation and employs oxygen implantation, MOCVD regrowth and selective oxidation on semi-insulating GaAs substrate.     

窄线宽1064 nm掺镱光纤激光器泵浦MgO:PPLN中红外光学参量振荡器研究

提出了一种基于1064 nm掺镱光纤激光器泵浦MgO:PPLN的3.83 μm中红外光学参量振荡器。基于单谐振光学参量振荡器的阈值理论和线宽压窄前后的光束能量集中性理论,分析了不同泵浦光束聚焦深度下,谐振腔内光束分布情况以及线宽调制前后能量的不同集中程度对阈值和光-光转换效率所产生的影响。通过采用单个光纤布拉格光栅的方式压窄了泵浦光线宽,对比分析了在不同占空比下,泵浦光线宽压窄前后对中红外光学参量振荡器输出特性的影响。当泵浦功率为18 W,脉冲激光占空比为0.2%,脉宽为100 ns,泵浦光线宽为2.5 nm时,MgO:PPLN中红外光学参量振荡器获得功率为1.42 W的3.83 μm激光输出,光-光转换效率为7.9%。将线宽压窄到0.1 nm后,脉宽为2 ns,MgO:PPLN中红外光学参量振荡器获得最高功率为1.98 W的3.83 μm激光输出,光-光转换效率为11%,光束质量M2=1.89;同时相比于线宽压窄前激光输出效率提高了39.2%。     

Improved Ti:sapphire laser performance with new high figure ofmerit crystals

The continuous-wave (CW) laser performance of Ti:Al₂O ₃ crystals with high figure of merit is described. Using a 0.1% Ti:Al₂O₃ crystal (FOM=1000), output powers of 3.5 W at 800 nm are obtained, pumping with a 9.6 W argon ion laser operating multiline. Continuous tunability of the CW Ti:Al₂O ₃ laser extending from 665 to 1070 nm is also demonstrated for a 5 W pump power     

Development of a photonic integrated transceiver chip for WDMtransmission

With the observed expansion of fiber-optic networks and the movement of line terminals towards the individual customer the need for cost-effective fabrication of customer access modules for interactive services arises. Monolithic integration of the module functions on InP is frequently seen as a means to reduce module costs. Here we describe a generic fabrication process for InP photonic integrated circuits and demonstrate an initial transceiver chip with transmit, receive and 1300/1530 nm wavelength division multiplexing functions. The chip output power reaches 1 mW at 1530 nm with a laser threshold current of 20 mA. The detection efficiency at 1300 nm is 0.1 A/W of fiber power     

全固态高输出功率单频Nd:YVO4/KTP激光器

利用光纤耦合输出的半导体激光器(LD)端面抽运Nd∶YVO4晶体,激光谐振腔采用四镜环形腔结构,通过KTP晶体内腔倍频,获得了高功率全固态连续单频绿光激光输出。根据临界相位匹配下椭圆高斯光束的倍频理论,通过旋转Nd∶YVO4晶体的方向选取合适的基频光偏振方向,使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔弧矢面平行,可提高内腔倍频转换效率。当抽运功率为20 W时,激光器最大单频绿光输出功率达4.8 W。作为对比,控制基频光偏振方向使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔子午面平行时,激光器最大单频绿光输出功率为4.1 W。对比两种情形下的实验结果,激光器的光-光转换效率从21.8%提高到25.5%。