微波诱导铬渣催化氧化降解甲基橙溶液的研究

采用微波-铬渣法、微波-铬渣-H2O2法处理甲基橙溶液。研究了铬渣用量、溶液初始pH值、微波辐照时间、处理后放置时间等因素对溶液TOC去除率的影响。研究表明,对于150 mL的TOC浓度为200 mg/L的甲基橙溶液,铬渣用量为1 g,H2O2(30%)用量为1 mL,溶液初始pH值在4~10范围内,微波功率80 W,微波辐照3 min,TOC去除率可达80%,处理后放置足够长时间,色度去除率可达100%。处理后溶液中残留Cr(Ⅵ)浓度小于0.05 mg/L。     

微波技术在含铬废渣解毒中的应用

冶金和化工企业生产金属铬及铬盐生产中产生的铬渣中含有对环境和人体健康有害的Cr^3 和Cr^6 ，而Cr^6 的毒性比Cr^3 高约100倍。全国每年排出十多万吨的铬渣和历年累积超过300万吨的铬渣对国家生态安全构成了很大的威胁。铬渣的资源化在建材、冶金得到一定程度的应用，但其消耗量很小。铬渣的解毒仍是一个重要的问题。微波技术在环境保护中的应用已得到长足的发展．作为一种新的污染物治理方法，微波促进含铬废渣解毒的研究将为含铬废渣的安全存放和利用提供新的可能。作者对微波技术在含铬废渣解毒中的应用进行了综述，指出微波法解毒铬渣在解毒机理、操作控制条件的优化、经济性评价及模型化等方面需进一步研究。     

微波促进铬(III)催化降解甲基橙的研究

重金属与难降解有机污染物形成复合污染物,一些重金属离子也能催化H2O2产生.OH。利用微波加热的热效应和非热效应,以甲基橙溶液为模拟偶氮染料废水,研究了微波功率、微波辐射时间、pH值、Cr(III)和H2O2浓度等因素对甲基橙脱色率的影响。研究表明,Cr(III)能与H2O2形成类Fenton试剂,产生.OH,在微波的促进作用下,矿化有机物的原理。1 000 mg.L-1的甲基橙溶液,在H2O2浓度为12.0 mmol.L-1、5 mmol.L-1Cr3 溶液、pH=3、微波功率700 W下加热5 min,甲基橙脱色率达93%。     

微波加热高碳铬铁粉气-固相流化脱碳热力学研究

微波加热高碳铬铁粉流态化脱碳是一种简捷的无渣脱碳法,既能获得中低碳铬铁粉,又可避免有害铬渣的排放。高碳铬铁粉气-固相流化脱碳,气体脱碳剂的选择、气-固相流化脱碳热力学条件以及铬氧化热力学就成为试验研究的基础问题。热力学计算研究表明,微波加热温度分别高于298,1380和1435K时,气体脱碳剂O2、CO2、H2O（g）开始和高碳铬铁粉颗粒发生气-固相流化脱碳反应。由于脱碳生成的铬铁素体易被气体脱碳剂所氧化,使得脱碳反应由高碳铬铁粉颗粒表面的气-固相脱碳反应转变为颗粒内部的铬铁碳化物与铬铁氧化物之间的固一固相反应,从而可在一定的微波加热温度、流化时间下实现高碳铬铁粉的深度脱碳。     

铬硅化物的形成及其界面反应

利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬硅化物的形成规律为:Cr/Si→CrSi_2→CrSi,其中CrSi_2是一个亚稳相。Cr-Si界面在室温下的反应演化过程是:金属Cr/富Cr相(2—4A)/Cr-Si互混相(～10A)/富Si相(～2A)/Si。Cr-Si界面只有加热后才能形成确定化学配比的硅化物。形成各种硅化物的条件除与退火温度,真空条件有关外,还与覆盖度θ,硅表面状态和热处理时间有关。对于Cr—Si界面及铬硅化物的电子性质也进行了讨论。     

基于显色法检测六价铬的光纤传感器的研究

提出了一种能准确检测六价铬离子浓度的光纤传感器。利用二苯碳酰二胁与六价铬络合呈现鲜明的紫红色,且随六价铬离子浓度升高,紫红色逐渐加深的原理,在光纤表面镀络合显色薄膜,薄膜与Cr(Ⅵ)络合显色,通过对吸收光谱的测量检测出六价铬离子浓度。实验结果表明,当铬的浓度范围处于0.01~0.1mg/L时,光谱强度与铬浓度呈正相关。该方法的检出限为0.01mg/L,检测时间为10min,检出率为96%。     

重铬酸盐光致抗蚀剂光化反应的研究

利用紫外和电子顺磁共振光谱学研究了干燥的重铬酸盐光致抗蚀剂的光化反应.铬离子中最重要的一种似乎是铬(Ⅴ).目前对铬(Ⅴ)的确切结构尚不清楚。但相信它是铬(Ⅴ)酯或某种配价络合物.也对在暗处的重铬酸盐光致抗蚀剂的铬(Ⅴ)进行研究.Cr(Ⅵ)向 Cr(Ⅴ)的转换以及 Cr(Ⅴ)在暗处和曝光中的稳定性取决于有机还原剂的结构。光谱灵敏度数据表明,铬)Ⅴ)在600nm 区域是感光的.对染料进行适当的选择,使其三重态能量大于铬(Ⅴ)络合物的三重基态能量,则对重铬酸盐光致抗蚀剂采用的染料敏化是可能的。铬(Ⅲ)配价络合物具有一种聚合结构,它是促使光致抗蚀剂不溶性的原因。铬(Ⅲ)配阶络合物的结构及其从铬(Ⅴ)形成的机制至今尚不清楚。     

安捷伦科技与瑞士万通联合开发成功Cr（Ⅲ）与Cr（Ⅵ）的检测方法

5月11日，安捷伦科技与瑞士万通公司联合开发出一种分离与检测生物活性Cr(Ⅲ)与有毒Cr(Ⅵ)的高灵敏度分析方法。众所周知，在垃圾掩埋场附近的土壤、地下水以及垃圾灰尘的颗粒中，这两种形态的铬通常都会存在。     

铬原子束1维多普勒激光准直分析

为了研究预准直后铬原子束1维多普勒激光准直效果随着激光功率、激光失谐量和作用区域等各种参量变化的情况,采用适当步长的4阶 Runge-Kutta 算法进行了理论分析,得到了铬原子束1维多普勒激光准直效果与各种激光参量之间的变化关系。结果表明,铬原子束经过离坩埚口600mm、横向尺寸为5mm 狭缝预准直后,在激光功率为20mW、激光失谐量为-0.5Γ(Γ为铬原子的自然线宽)、作用区域为2倍最小作用区域的情况下,可以获得最好的激光准直效果。     

原子荧光光谱法测定电子电气产品中铬(VI)的方法研究

应用原子荧光光谱法测定电子电气产品中铬(Ⅵ)的含量,可适应RoHS中各种复杂样品的检测以及改善样品消解等诸多实际问题。其相对标准偏差(RSD):2.03%;检出限:0.0646mg/L;线性范围宽,校准曲线的线性相关系数应大于0.999等。有效地将铬(Ⅵ)、铬(III)分离,并有效地消除基体干扰等,完全能够适应电子电气产品中铬(Ⅵ)的测定。     

激光原位碳化铬-镍基复合涂层的组织特征

为了制备陶瓷增强镍基复合涂层,采用激光熔覆技术在45#钢表面原位合成了碳化铬-镍基复合涂层,研究了涂层的显微组织、相结构特征及显微硬度。碳化铬陶瓷的形状主要有四边形（菱形）、六边形和不规则块状;四边形碳化铬为Cr3C2,六边形碳化铬为Cr7C3,不规则块状碳化铬成分不确定,可能为Cr3C2或Cr7C3;涂层的平均显微硬度达到基体的3.5倍;涂层具有较高的硬度和致密的组织。结果表明,涂层主要由Cr-Ni-Fe-C,C,Cr7C3和Cr3C2四相组成,显微组织均匀致密,与基体呈良好的冶金结合。该研究对激光原位碳化铬-镍基复合涂层的理论研究和实际应用是有一定帮助的。     

KTiOPO_4晶体中Cr离子的光谱特性

通过实验测得ＫＴｉＯＰＯ４：Ｃｒ晶体的室温吸收谱、激发谱，室温和液氮温度下激光诱导荧光谱及各发射带的荧光寿命，进而计算得到了Ｃｒ离子的晶场参数、吸收截面、发射截面及量子效率。结果表明Ｃｒ离子受晶场的影响较弱，但具有较强的电子－声子耦合。室温下较大的无辐射跃迁几率导致了较低的量子效率。实验上没有观察到四配位Ｃｒ离子的光谱特征。最后，对上述结果结合Ｃｒ离子配位情况进行了讨论。     

Cr~(3+):LiNbO_3晶体的光谱特性

分别用分光光度计和激光感生荧光技术测量了Cr~(3+):LiNbO_3晶体的吸收谱和荧光谱。测得晶体的晶场参数D_q/B=2.49,~4T_2与~5E能级的能量差⊿=114cm~(-1),~4T_2-~4A_2跃迁的发射截面σ_(?)=6.58×10~(-20)cm~2,荧光寿命τ_f=2μs。最后从理论上阐明了Cr~(3+)在LiNbO_3晶体中的能级结构。     

Electronic and Optical Properties of a Semiconducting Spinel (Fe2CrO4)

Epitaxial chromium ferrite (Fe₂CrO₄), prepared by state‐of‐the‐art oxygen plasma assisted molecular beam epitaxy, is shown to exhibit unusual electronic transport properties driven by the crystallographic structure and composition of the material. Replacing 1/3 of the Fe cations with Cr converts the host ferrimagnet from a metal into a semiconductor by virtue of its fixed valence (3+); Cr substitutes for Fe at B sites in the spinel lattice. By contrast, replacing 2/3 of the Fe cations with Cr results in an insulator. Three candidate conductive paths, all involving electron hopping between Fe²⁺ and Fe³⁺, are identified in Fe₂CrO₄. Moreover, Fe₂CrO₄ is shown to be photoconductive across the visible portion of the electromagnetic spectrum. As a result, this material is of potential interest for important photo‐electrochemical processes such as water splitting.     

微波促进铬(Ⅲ)催化降解甲基橙的研究

重金属与难降解有机污染物形成复合污染物,一些重金属离子也能催化H2O2产生·OH。利用微波加热的热效应和非热效应,以甲基橙溶液为模拟偶氮染料废水,研究了微波功率、微波辐射时间、pH值、Cr（Ⅲ）和H2O2浓度等因素对甲基橙脱色率的影响。研究表明,Cr（Ⅲ）能与H2O2形成类Fenton试剂,产生·OH,在微波的促进作用下,矿化有机物的原理。1 000 mg.L^-1的甲基橙溶液,在H2O2浓度为12.0 mmol.L^-1、5 mmol.L^-1Cr^3＋溶液、pH=3、微波功率700 W下加热5 min,甲基橙脱色率达93%。     

Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。     

用于铬原子光刻的超高真空原子源的研制

原子光刻技术中,良好原子源的产生是最为基础的条件.针对实验中对原子束的具体要求,设计了一套超高真空原子源产生装置,主要参数为:系统工作真空度优于 5.0×10-5Pa,铬原子源温度为1650℃,铬原子最可几速率为960m/s,原子炉口所喷射出的铬原子数为N=1.5×1017s-1.