极向旋转剪切对新经典RGDT输运的影响

研究了托卡马克等离子体中极向旋转剪切对新经典电阻率梯度驱动湍流(RGDT)结构的影响,解析地计算了饱和湍流扩散系数,涨落水平和输运流与极向旋转剪切的依赖关系。结果表明,极向旋转剪切可以降低等离子体涨落水平从而抑制湍流。在强剪切极限(极向旋转剪切参数S_α》1/4)下,湍流扩散系数正比于(k_θV′_θ)~(-1/2),涨落水平正比于|k_θV′_θ|~(-2)。在弱剪切极限下(S_α《1/4),将重新得到Kwon的结果。     

托卡马克中径向电场对新经典输运的影响(英文)

应用哈密顿动力学理论,提出了在径向电场存在情况下的新经典输运理论。在考虑了大电场影响的平台区和考虑了压缩因子的香蕉区后,得到了输运系数。这些因素在等离子体边界强烈地影响等离子体的输运,得到的有关压缩因子的定标与Shaing和Hazeltine的定标不同。在刮离层区计算了等离子体的旋转速度,其值与在TdeV托卡马克上的测量值很符合。     

TFTR反向剪切等离子体的极向旋转

在托卡马克聚变试验反应堆中观测到,芯部碳杂质离子的极向旋转的分叉出现在与进增强反向剪切等离子体相关系的运分叉前,在等离子体的狭窄径向区域,杂质离子的极向极向旋转反向,这个极向流与一个具有强剪切的大径向电场的建立相联系。在这个先兆之前、之中和之后测得的极向速度与新经典的推测不同。     

托卡马克中径向电场对新经典输运的影响

应用哈密顿动力学理论,提出了在径向电场存在情况下的新经典输运理论。在考虑了大电场影响的平台区和考虑了压缩因子的香蕉区后,得到了输运系数。这些因素在等离子     

粒子横向漂移引起的反常输运(英文)

分析了在磁面遭到磁场的随机破坏的系统中,粒子横向漂移引起的反常输运。在各态历经区,粒子的运动方程可以写成朗之万方程的形式,横向扩散系数D_⊥可以应用福克-普朗克模型得到。当与准线性近似利用磁力线扩散所导出的D_⊥比较时,用上述方法得到的D_⊥与之有着相似的形式和相同的量级。两个D_⊥正好互相补充,而且,仅当把它们合并时,才是完整的结果。     

薄膜中内转换电子的输运过程(英文)

用蒙特卡罗方法对~(57)Fe7.3keV的内转换电子在厚度为1.0um到300.0nm薄膜中的输运过程进行模拟。分析结果表明,当薄膜深度大于150.0nm时,出射电子的透射率已十分低。根据电子出射的能量、角度与深度的关系曲线可以看出,我们既可用探测出射电子的能量,也可以用探测出射电子角度的方法来获取薄膜深度的信息。因此,角度相关的内转换电子穆斯堡尔谱(ACEMS)可成为研究薄膜深度信息的一种新途径。     

反向磁剪切对输运的抑制

托卡马克中捕获粒子的行为对磁剪切灵敏。原因是，捕获粒子反射间之间的距离，因而纵向能量取决于安全因子ｑ。如果剪切是反向的，大多数捕获粒子在向外漂移时能量增加，因此等离子体处于最小能量位形，这就抑制了不稳定性和湍流输送，与最近的实验相符。     

磁扰动引起的托卡马克中的反常输运(英文)

随机场区的磁力线分布几率可从刘维方程得到,用它可以求任何与磁场有关的物理量的平均。发展了一种计算磁扰动对反常输运的贡献的方法,在一定条件下,动量方程可化为郎之万方程,流体元可看成做布郎运动的巨分子,从而可用统计学方法得到迁移几率和扩散系数。结果指出,磁扰动引起的反常扩散大于同样条件下的经典扩散,远小于玻姆扩散。在超高温下(T>8keV),磁扰动对反常输运的贡献很小。托卡马克的几何因子R,α也对反常输运有影响。     

点火托卡马克等离子体芯部的新经典杂质输运

在假设杂质通量受新经典输运支配的条件下研究了点火聚变堆（ITER FDR）芯部的杂质行为。估计两种温度分布的平衡杂质分布,并与芯部扩散系数为Dan=0.5m^2/s的纯反常扩散结果作了比较。将所有相关等离子体粒种的碰撞考虑进去,计算了新经典通量。芯部的扩散系数低于0.1m^2/s,并随杂质Z的增加而减小。平均漂移速度总是向外,并引起对高Z元素的有效屏蔽。由于扩散系数小,芯部的He浓度分布猛烈上升。轴上氢浓度为CHe≈15%-17%。与用纯反常输运和CHe≈9%的轴上氦浓度作出的计算结果相反,He密度不仅由再循环边缘源确定而且由低的芯部输运、增强的稀释和减小的聚变源的相互作用确定。增强的稀释使总的聚变功率下降8%--11%。当Dan^He=0.2m^2/s的氦有一个附加反常芯部扩散,He的中心浓度下降到CHe≈10%。     

输运与撕裂模相互作用下等离子体的时空结构(英文)

应用等离子体一维输运模型与撕裂模理论,对于不同的输运模型及托卡马克放电参数下撕裂模的演变进行了数值的研究。结果表明成量过程是影响等离子体宏观稳定性行为的一个不可低估的重要因素。它们与磁流体稳定性的相互影响,会使其磁流体形态构成多种时间或空间结构;等离子体温度、密度等宏观参量也将表现出不同的时空特征。     

非晶态和亚稳中间相InSb的输运性质(英文)

低温凝聚InSb膜,底板温度的改变可以诱导金属-半导体转变。金属型非晶InSb以电子导电为主,半导体型非晶InSb则以空穴导电为主。金属型非晶InSb,在液氮温度和0.1T磁场下呈现出电子-电子相互作用行为。金属型非晶InSb的结构弛豫,不仅可以导致近程有序度的提高,而且可能导致电子结构的变化。第一电导跃变主要起源于电子迁移率的大辐度增加,系统由类液非晶态弛豫到类点阵非晶态。金属型非晶InSb中,不同的结晶相变类型表现出不同的输运行为。金属型非晶InSb和亚稳中间相是载流子浓度(n_0～10~(18)cm~(-3))最低的超导体系之一,且亚稳中间相的超导T_c与态密度有关,高的T_c值对应于高的态密度。准二维的层状结构对超导电性有利。     

中国辐射加工新发展(英文)

中国同位素与辐射行业协会(CIRA)对中国辐射加工现状进行了调研。结果显示,中国现有束流功率在5kW以上工业用加速器45座,总功率为2005kW;有设计源强为1.11×10~4TBq以上γ射线辐照装置48座,另有源强低于1.11×10~4TBq的γ射线辐照装置75座,总装源量为4.63×10~5TBq。在中国,辐射加工主要用于生产化工产品(辐射交联线缆和热收缩制品),目前已出现一些产值超亿元的企业;辐射加工还用于食品灭菌和保鲜、医疗用品的灭菌消毒。烟道气的辐射脱硫和脱硝也正在开发利用中。     

波纹场和新经典撕裂模对托卡马克中快离子输运影响的数值模拟研究

托卡马克是一种可能的受控核聚变实施方案,粒子输运在维持核聚变反应的进程中起着重要作用.使用导心运动代码ORBIT,针对波纹扰动和2/1新经典撕裂模(Neoclassical Tearing Mode,NTM)对圆截面托卡马克氘离子输运的影响开展了详细的数值模拟研究,同时计算了损失粒子的相空间分布.结果 表明:粒子的损失...     

托卡马克等离子体极向转动对带状流的影响

采用理想磁流体力学模型,利用绝热近似方法,推导出托卡马克等离子体极向转动体系中带状流的色散方程,分析了极向转动对带状流产生的影响。结果表明,等离子体极向转动体系下,测地声模频率和声波频率都会随极向转动马赫数而增大。带状流的频率与采用等温近似时有一定的数值差别;测地声模的密度扰动量形式也发生变化,由静态体系中纯驻波的形式,变为由一个驻波和一个小振幅行波叠加的形式。     

强功率加热下托卡马克的局域输运模型及定标关系(英文)

提出了一种简单的,唯象地确定的热传导模型以用于强功率加热下的L-模和H-模的约束分析。如假定中心热导率与中心等离子体温度成正比,则所得能量约束时间将自动与外加热功率的平方根的倒数成正比。讨论了锯齿效应、边缘H-模效应及中心热垒效应。用该模型来讨论氘、氚燃烧过程中的等离子体约束性能,其结果将比通常应用的零维等值线分析法(POPCon)得到的大为改进。     

低环径比托卡马克装置的等离子特性及α粒子输运(英文)

低环径比托卡马克装置的实验和理论结果已证实它有利于改善MHD稳定性。基于目前等离子体物理,向减小环径比方向外推,初步讨论了低环径比托卡马克堆的物理特征。在自洽的低环径比托卡马克堆参数下,计算了α粒子约束和损失以及不同环径比对α粒子约束和损失的影响。此结果对紧凑托卡马克堆的可行性研究提供参考。     

中子散射对裂变中子谱测量的影响(英文)

介绍了用飞行时间方法测量裂变中子谱时中子在裂变碎片探测器上和周围材料上散射的影响。对裂变碎片探测器和中子探测器之间空气层及测量室的墙壁上散射的影响,用飞行时间方法进行了测量,也用Monte Carlo方法进行了计算,并对用两种方法得到的结果进行了比较。结果表明,中子散射对裂变中子谱的影响是相当重要的,它能明显地改变裂变中子谱的形状。     

稻田脲酶抑制剂对尿素N利用效率的影响(英文)

尿素施入稻田后迅速水解成NH_4~ ,两天后水层中NH_4~ -N含量即达峰值,混施脲酶抑制剂峰值可推迟一天出现,并可降低其峰高。~(15)N示踪试验表明:PPD和NBPT两种抑制剂能明显地促进水稻氮素的吸收和水稻生长,提高尿素氮的利用率,减少损失率,并在一定程度上具有增产效果,尤其是在高氮水平下以上效果更为明显,而抑制剂HQ则较差。稻草的施用对水稻生长有一定的影响,降低了水稻对肥料氮素的吸收,但能提高肥料氮素在土壤中的残留量。     

辐照对棉铃虫精子数量与活力的影响(英文)

辐照没有影响棉铃虫雄虫复射精管中有核精子束的数量和雌虫精包中有核精子的数量,但影响了有核精子束成熟的过程。与400 Gy辐照棉铃虫雄虫交配后,雌虫受精囊中有核精子的数量与活力显著降低(P <0. 05)。     

低杂波驱动电流对撕裂模不稳定性的影响(英文)

用动力论和磁流体两个途径研究了低杂波驱动电流(LHCD)对撕裂模不稳定性的影响。线性动力论的结果表明:在碰撞区,由低杂波驱动出的快电子对撕裂模扰动的响应,导致了撕裂模的增长率和扰动层宽度的减小。从对托卡马克条件下低杂波驱动电流的数值模拟及解磁流体撕裂模方程可得出,低杂波驱动电流引起电流分布的变化并使有理面移动,从而导致撕裂模的Δ′值的变化。在多数情况下,撕裂模会因低杂波驱动电流而被抑制。但在文中所示的参数下,低杂波驱动电流在较高q_a值的等离子体中对撕裂模起增稳作用;而在较低q_a值的等离子体中有失稳作用。这一结果与实验观测结果定性相符。