SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系

文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数,并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对这些参数的影响,理论分析结果与实测结果相一致,所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况１。     

硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。     

用硅光电负阻器件产生光学双稳态

本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用，开辟一条新途径     

用光电混合双稳态回路构成的光学多值逻辑门

利用双稳态激光二极管(BILD)或双稳态发光二极管(BILED)回路首次得到了光学多值逻辑。实验上演示了补、与、或、循环和阈等基本的三值逻辑函数,并给出了三路选择开关线路的设计。     

由OLED和复合光探测器构成的新型光耦合器

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃结构的有机/聚合物发光二极管(OLED)为发光器件,以光电二极管和双极晶体管构成的复合光探测器为光接收器件组成的光耦合器进行了实验研究.通过改变OLED上的偏压,获得光耦合器输出特性相应的变化.对实验结果进行了分析讨论.     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

OLED发光聚合物的技术新进展

本文对OLED用的新型发光聚合物的制作与性能进行了讨论，对其在OLED器件中的应用也作了介绍。     

一种基于光电负阻器件的新型阈值可调光传感器

将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起，利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性，制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明，该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合，还可实现设定阈值，比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能；同时它结构简单，调整方便。     

OLED技术与市场展望

OLED属于一种崭新的显示器件，它将会对未来的图象显示技术带来无法估量的冲击力！OLED是最有发展前景的显示器件之一，并且将会成为平板显示领域中的一种主流技术，本文阐述OLED诉应用领域、市场前景及发展趋势。     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

Si基发光的研究进展

回顾了Si基发光的研究历程,归纳分析了新近几种实现Si发光的方法和其优缺点,其中包括多孔Si发光、GeSi/Si量子阱发光、Sip-n结位错发光、CMOSSi基发光、PERL结构Si基发光等方法。重点介绍了PERL结构Si基发光,分析了结构设计中的几个关键性因素。该结构利用了光电转换可逆性原理,基于普通的单光子和双光子辅助次禁带弱光发射过程,通过把位于有关的次禁带波长的吸收最小化,同时减少二极管内寄生无辐射复合的作用范围。期望通过该综述提高国内研究者对PERLSi基发光的重视,开拓以PERL为新思路、新方法的Si基光互连方向研究的新进展。     

退火对聚合物有机发光器件的影响

制作了结构为ITO／MEH—PPV／AI的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH—PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30％左右,器件的寿命增加40％左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。     

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法非常重要,不同方法制备的薄膜质量不同,这直接影响着器件的效率;制备方法直接影响到产业化中的器件制备成本。根据材料的不同,有机小分子常用真空蒸镀的方法,而高分子材料常用旋涂的方法制备薄膜。随着有机电致发光器件制备工艺的发展,相继出现了其他的制备工艺,如:有机蒸汽喷印(organic vapor jet printing)、有机气相沉积(organic vapor phase deposition)、丝网印刷(screen printing)和喷墨打印(ink jet printing)技术等,这对有机电致发光显示器产业化发展具有巨大的推动作用。文章综述了这些制备方法,比较了它们的优缺点,以及这些工艺对产业化的影响。     

有机电致发光器件的封装技术

有机电致发光显示器件(OLED)被认为是综合性能最理想、最具发展前景的下一代显示技术之一。但由于其使用寿命太短,制约了OLED显示技术的产业化发展。对OLED进行有效的封装是解决这些问题,进而提高其使用寿命的最直接和最有效的方法。文章综述了OLED显示器件老化的机理及其封装技术(物理法、化学法、复合封装法);分析了各种封装技术对OLED显示器件寿命的影响因素及各自的优缺点。     

柔性有机电致发光器件的寿命

综述了柔性有机电致发光器件(FOLED)的研究现状和发展趋势;针对提高其寿命问题的研究,选择和比较了聚合物、金属箔片、超薄玻璃3种柔性衬底材料的优缺点及发展概况;结合本课题组的实验分析,说明设计并选择合理的器件结构、发光材料和阴极材料对延长器件的使用寿命非常有效;提高FOLED寿命的另一重要步骤是减少水蒸汽和氧气向器件内部的渗透,最后也简介了以聚合物和超薄玻璃为衬底材料的器件封装方法。     

有机电致发光器件的回顾及展望

综述了有机电致发光器件（OLED）的发展历史、器件结构、材料选择和发光机理,在分析当前研究热点问题的基础上对其发展前景进行了展望。     

微腔有机发光器件的设计

介绍了微腔有机发光器件(MOLED)的设计思想、方法和结果。该器件由Alq3作为电子传输层和发光层，TPD作为空穴传输层，ITO作为空穴注入电极，两侧分别分布布喇格反射镜(DBR)和由Al电极形成的金属反射镜。理论设计结果表明，MOLED的峰值光强增强19倍，谱线半宽度从100nm变窄到10nm左右。