离子束辅助沉积MoS2复合膜的XPS和ESR特性分析

通过ＩＢＡＤ技术制备了ＭｏＳ２＋Ａｇ（Ｃｕ）复合膜,并利用ＸＰＳ和ＥＳＲ考察了复合膜的氧化情况。发现在ＲＨ为６０％的大气环境下,Ｃｕ的掺入加速了ＭｏＳ２的氧化,相反Ａｇ的加入却使ＭｏＳ２的氧化受到抑制;ＸＰＳ发现ＭｏＳ２＋Ｃｕ复合膜中存在Ｍｏ＾６＋,ＥＳＲ却并没有发现中间态Ｍｏ＾５＋;而ＸＰＳ没有检测到ＭｏＳ２＋Ａｇ膜中有Ｍｏ＾６＋,ＥＳＲ却发现Ｍｏ＾５＋。这说明Ｍｏ＾５＋受化学环境影响较大。     

DMF中电沉积制备Yb-Co合金膜

研究了于室温下含有少量水的ＹｂＣｌ３－ＣｏＣｌ２－ＤＭＦ溶液中电沉积制备Ｙｂ－Ｃｏ合金膜。ＥＤＡＸ和ＸＲＤ分析表面：在０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＹｂＣｌ３－０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＣｏＣｌ２的ＤＭＦ电镀液中,以控制电位为－２．７５Ｖ（ＳＣＥ）进行恒电位电解,以控制电流密度为１００Ａ／ｍ＾２进行恒电流电解或以控制脉冲电流密度为１５０Ａ／ｍ＾２进行脉冲电解,可以得到不同形态和Ｙｂ含量的共沉积合金膜,且膜层光滑、     

Mo,Si混合粉末的机械合金化

利用行星式球磨机，Ｘ射线衍射仪和差热分析仪研究了Ｍｏ和Ｓｉ元素混合粉末的机械合金化行为，结果表明，随着球磨时间的延长，Ｍｏ，Ｓｉ混合粉末中首先形成Ｍｏ（Ｓｉ）超过饱和固溶体，随后相继出现Ｃ４０型ｈ－ＭｏＳｉ２和Ｃ１１ｂ型ｔ－ＭｏＳｉ２纳米晶，最终的产物是以ｈ－ＭｏＳｉ２纳米晶为主的非晶粉末混合物。     

IBAD MoS2-Ta复合膜的氧化行为研究

用XPS分别检测了在去离子水中浸泡 1 58h以及在 430℃高温加热 1h的离子束辅助沉积MoS2 Ta复合膜中Mo与S元素的电子结构。发现在浸泡和 430℃高温环境 ,MoS2 Ta复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯MoS2 复合膜。结合TEM ,AES和XPS对MoS2 Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态进行的观察和分析 ,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制     

机械化学反应法制备纳米晶TaC和TaSi2

采用ＸＲＤ，ＴＥＭ和ＳＥＭ研究了用机械化学反应法制备金属间化合物ＴａＣ和ＴａＳｉ２时的结构演变，结果表明：ＴａＣ和ＴａＳｉ２是通过互扩散由元素直接反应合成的，高能球磨引入的高密度缺陷和纳米界面大大促进了这一反应过程。     

不锈钢上蓝色钼酸盐转化膜的研究

用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中获得了蓝色的不锈钢转化膜，该膜具有良好的热稳定性。ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，膜厚约为４２７Ａ。膜的表面以Ｍｏ（Ⅵ）与Ｍｏ（Ⅵ）共存。从ＡＥＳ深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为：５４．３％Ｏ，２８．４％，１２．１％Ｐ，５．２％Ｆｅ。     

Si对TiSiN膜组成结构的影响

报告了等离子化学气相沉积（ＰＣＶＤ）硬膜ＴｉＳｉＮ中Ｓｉ对膜的影响。沉积膜经过电子探针（ＥＭＰＡ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线（ＸＲＤ）和Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）分析。实验表明,在ＴｉＮ的气相沉积中加入少量Ｓｉ可以明显改善膜的结构和组成。     

衣康酸接枝PP对PA6／PP共混物增容作用机理的研究

以马来酸酐接枝作对照，用ＥＳＣＡ，ＳＡＸＳ，ＷＡＸＤ，ＳＥＭ、力学性能测试等手段，研究了衣康到接枝对ＰＡ６／ＰＰ共混物和增容作用机理，证实共混物中有ＰＡ－ｃｏ－ｇＰＰ共聚物生成，讨论了ｇＰＰ，ＰＡ－ｃｏ－ｇＰＰ的结构与后者生成量和增容效率之间的关系，提出了ＰＡ－ｃｏ－ＭＰＰ和ＰＡ－ｃｏ－ＩＰＰ的增容作用模型。     

提高溅射沉积MoS2膜耐磨性的途径及分析

分析了影响气相沉积ＭｏＳ２膜摩擦学性能的因素,讨论了通过复合膜技术和膜的后处理技术改善ＭｏＳ２膜性能的途径。     

钼酸钠-磷酸盐对碳钢的协同缓蚀作用机理

采用失重法、表面观察法、极化曲线法、氢离子刻蚀法和ＸＰＳ分析法研究钼酸钠－磷酸盐在自来水中对碳钢的协同缓蚀效应与作有理。结果发现：５０％钼酸钠＋５０％磷酸盐（ＸＭ２０２）在自来水中对碳钢具有明显的协同缓蚀效应,５０％钼酸钠＋５０％磷酸盐（ＸＭ２０２）主要是阴极抑制型结蚀剂。缓蚀膜主要是沉积膜,膜层的主要组份有Ｚｎ３（ＰＯ４）２、Ｆ３－ＰＯ４、Ｆ３２Ｏ３、ＭｏＯ２和Ｎ〖ＣＨ２ＣＨ２ＯＰＯＯＨ）２〗３     

Pd/γ-Al2O3复合膜的制备工艺研究

本文研究了采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备用于Ｈ２分离的Ｐｄ／γ－Ａｌ２Ｏ３复合膜的工艺过程,将含Ｐｄ＾２＋的源物质直接加入到稳定,ｐＨ适宜的勃姆石溶液中,用直接浸取的方法在多孔α－Ａｌ２Ｏ３实底上成膜。ＢＥＴ测试表明,复合膜的平均孔径为２．５－４．０ｍｍ,分析了Ｐｄ的含量和工艺参数对复合膜的形貌和结构的影响,并对膜材料进行了ＳＥＭ,ＸＲＤ和Ｎ２透气性能研究。     

电泳沉积法制备γ—Al2O3多孔膜

本文采用电泳沉积法制备γ－Ａｌ２Ｏ３多孔膜,探讨了溶液的电泳沉积过程,并用ＸＲＤ分析了γ－ＡｌＯＯＨ干凝胶膜的物相随热处理温度的变化。结果表明γ－ＡｌＯＯＨ干凝胶膜可在６００℃转化为γ－Ａｌ２ｏ３膜,而且随热处理温度的提高,γ－Ａｌ２Ｏ３晶粒的结晶性能有所改善,ＳＥＭ下观察所制得γ－Ａｌ２Ｏ３膜与基体结合十分牢固。     

结晶／结晶共混体系PPS／PEEK中PPS的多熔融行为

用ＤＳＣ研究了熔融时间和高温退火结晶时间对聚苯硫醚和结晶性聚醚醚酮对ＰＰＳ的多熔融行为的影响。２７５℃退火结晶≤３ｈ样品呈现熔融双峰，Ｔｍｌ〈退火结晶温度（Ｔａ）〈Ｔｍ２；然而，ｔａ＝１２ｈ时，熔融双峰的峰温均高于Ｔａ和无退火结晶ＰＰＳ的熔点。ＰＥＥＫ加入对ＰＰＳ玻璃态和熔体结果 起到阻碍作用，共混物在ＰＰＳ的Ｔｍ２以上形成１个高温吸热峰，其峰温在３１０℃以上，且随ａ延长而移向高温。     

射频溅射MoS2,WS固体润滑膜在脂润滑下的摩擦学特性

用球－盘试验机研究了射频溅射ＭｏＳ２，ＷＳ２固体润滑膜在脂润滑下的摩擦学特性，并用ＸＰＳ，ＳＥＭ和ＥＤＸ等方法进行了分析．结果指出，在锂基脂润滑下，表面溅射ＭＯＳ２薄膜后摩擦系数降低，擦伤载荷成几倍或几十倍增长，尤其在高滑动速度下效果更加明显，可在一定载荷范围内代替２＃主轴油进行润滑，摩擦中ＭＯＳ２膜表层组织很容易剥落，摩擦中与基体结合较牢的主要是表面下的有效膜厚。因而在本试验条件下两种厚度ＭＯＳ２膜的摩擦学性能基本无差别，溅射ＷＳ２膜中含氧量很高，且在整个膜层中均以ＷＯ３存在，因此减摩效果不理想。     

C2H2／N2流量比对沉积Ti（C,N）薄膜影响的研究

以Ｃ２Ｈ２和Ｎ２为反应气体，Ａｒ作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜。所制轩的薄膜分别用ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＸＰＳ等技术进行分析与测试。结果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在１．５－２．０μｍ。     

电沉积Ni-W-P合金上析氢行为的研究

在１ｍｏｌ／Ｌ的ＫＯＨ水溶液中,以电沉积法制备的Ｎｉ－Ｃｏ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金为阴极,测量析氢时的极化曲线,结果表明,与Ｎｉ电极相比,Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金电极上氢析出的电势正移２００次毫伏,即Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金电极具有较高的析氢电催化活性。通过ＳＥＭ和ＸＰＳ分析探讨了Ｎｉ电极中引入Ｗ和Ｐ元素对析氢催化活性的影响。     

φ25mmPDC复合材料的组成、结构和性能

通过ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ光谱、ＸＲＤ在ＰＤＣ样品横断面上测试了ＰＤＣ材料的组成和结构;通过ＥＤＸ、ＥＤＷ在ＰＤＣ样品纵断面上测试了ＰＤＣ界面结构及粘结元素Ｃｏ、Ｗ的分布;通过剪切和淬火压溃试验测试了ＰＤＣ界面结合强度和界面耐热性能．测试结果表明,φ２５ｍｍＰＤＣ复合材料的抗弯强度σｂ１１６０ＭＰａ;界面结合强度τ２．６７ＧＰａ ;耐热温度７４２℃;平均磨耗比 Ｑ为１２．３×１０４;其中心点相对边缘点的耐磨性降幅为１９．２％．     

含硼Si—N—C纤维的高温结构组成研究

研究了含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维的组成、结构及其在高温环境下的变化。ＩＲ、ＸＰＳ、ＥＡ、ＳＲＤ、ＳＥＭ等分析结果表明，１２５０℃烧成的含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维由Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂ几种元素组成，呈无定形结构；经１８００℃高温处理后纤维的主要结构变为α－ＳｉＣ。在高温环境下，Ｂ始终以Ｂ－Ｎ键形式稳定存在，与Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维比较，含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维表面光滑，晶粒尺寸小，表明硼的引入可以有效改善纤维高温下的微观     

GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响

通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。     

顺丁橡胶与液晶共混复合膜的CO2渗透性能

以顺丁橡胶（ＰＢ）和具有双重液晶相的液晶化合物双－４－（４’－乙氧基苯甲酰氧基）苯甲酸－缩乙二醇酯（ＤＥＢＥＢ）制成高分子／液晶复合膜并研究了其ＣＯ２透过性能。液晶含量为１０％（质量）复合膜在室温下具有比ＰＢ膜大５倍以上的ＣＯ２透过系数（Ｐｃｏ２）及好的与Ｎ２、Ｏ２分离系数（αｃｏ２／Ｎ２、αｃｏ２／ｏ２）：Ｐｃｏ２＝４３２ｂａｒｒｅｒ,αｃｏ２／Ｎ２＝２５．４,αｃｏ２／ｏ２＝７．９;且透气系数