葛根素分子印迹电化学传感器的制备及研究

以丙烯酰胺为功能单体,葛根素为模板分子,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,采用循环伏安法合成了葛根素分子印迹膜,并以此为识别元件制备了葛根素电化学传感器。该传感器对葛根素具有高度的选择性和良好的敏感度,葛根素氧化峰电流与其浓度在6.0×10-8～1.6×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为2.0×10-8mol/L。将此传感器用于葛根素注射液和木瓜葛根片中葛根素的含量测定,回收率为97.7%～106.4%。     

苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其性能研究

以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,甲基丙烯酸为功能单体,偶氮二异丁腈为引发剂,苯巴比妥为模板分子,在玻碳电极表面热聚合了一种用于测定苯巴比妥的印迹聚合物传感膜。探索了传感器的最佳实验条件,并在此实验条件下,采用循环伏安法、差分脉冲伏安法及电化学交流阻抗法研究了传感器对苯巴比妥的响应特性。实验结果表明,传感器的峰电流响应值与苯巴比妥的浓度在3.0×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9976),检出限(S/N=3)为5.4×10-7mol/L。用此印迹传感器对苯巴比妥片中苯巴比妥的含量进行了测定,回收率在91.5%~107.5%。     

基于电聚合的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其应用研究

以马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,甲基丙烯酸为功能单体,在玻碳电极表面电聚合了一种对苯巴比妥分子具有专一性识别的聚合膜。在最佳实验条件下,采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)及电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的性能进行研究。实验结果表明:该印迹传感器对苯巴比妥具有快速响应、专一性识别和高灵敏度的特点,且苯巴比妥的浓度在8.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内与DPV电流信号呈良好的线性关系,相关系数(r)为0.998 3。检出限(S/N=3)为5.4×10-8mol/L。将此印迹传感器应用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率为95.7%~105.0%。     

基于石墨烯增敏的甲基对硫磷分子印迹电化学传感器的研制

以甲基对硫磷为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,在石墨烯修饰的玻碳电极表面合成分子印迹聚合物膜,制备分子印迹电化学传感器,用于检测有机磷农药甲基对硫磷。采用循环伏安法、微分脉冲伏安法、电化学交流阻抗法研究传感器的电化学特性及分析特性。结果表明,在最佳检测条件下,传感器的峰电流与甲基对硫磷浓度在1.0×10^-7～8.0×10^-5 mol/L范围内呈线性关系,线性方程为I_p(μA)=-0.65199-0.02387C(μmol/L),相关系数R²为0.9922,检出限为5.0×10^-8 mol/L(S/N=3)。构建了传感器的动力学吸附模型,测得印迹传感器的结合速率常数k=20.2758s。将此传感器用于番茄样品中甲基对硫磷的检测,加标回收率为95.0%～100.3%。     

基于石墨烯的毒死蜱分子印迹电化学传感器的制备及对毒死蜱的测定

利用分子印迹技术,以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,使用自由基热聚合法在石墨烯修饰的玻碳电极表面合成毒死蜱( CPF)分子印迹聚合膜,制得了CPF分子印迹电化学传感器。采用循环伏安法、线性扫描伏安法和电化学交流阻抗法等,考察了此CPF分子印迹膜的电化学性能。在最佳检测条件下,传感器的峰电流与CPF浓度在2.0×10-7~1.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,线性方程为Ip(μA)=-7.1834-0.2424C (μmol/L),相关系数r2=0.9959,检出限为6.7×10-8 mol/L(S/N=3)。构建了CPF分子印迹电化学传感器的动力学吸附模型,测得印迹传感器的印迹因子β=2.59,结合速率常数k=12.2324 s。传感器表现出良好的重现性和稳定性,并成功用于实际水样和蔬菜样品中CPF的测定,加标回收率为94.1%~101.4%。     

以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂的咖啡因分子印迹电化学传感器

以咖啡因为模板分子, 含菲环骨架的马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂, 甲基丙烯酸为功能单体, 在玻碳电极表面以自由基热聚合的方式制备分子印迹聚合物敏感膜, 构建了测定咖啡因的新型分子印迹膜电化学传感器. 通过循环伏安法、 差分脉冲伏安法及电化学交流阻抗法研究了传感器对咖啡因的响应特性. 结果表明, 在最佳的实验条件下, 传感器的峰电流与咖啡因浓度在3.00×10^-3~2.73 mmol/L范围内呈现良好的线性关系, 检出限(S/N=3)为1.12×10^-4 mmol/L. 传感器具有良好的选择性和重现性. 将该传感器用于可口可乐饮料中咖啡因含量的测定, 平均回收率为98.7%.     

以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂的茶碱分子印迹膜电化学传感器的研究

利用分子印迹技术, 以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂, 丙烯酸为功能单体研制了测定茶碱的新型电化学传感器. 以自由基热聚合的方式于玻碳电极表面制备茶碱分子印迹聚合物膜. 通过循环伏安法、电化学交流阻抗法及计时电流法研究了传感器对茶碱的响应特性. 结果表明, 在最佳的实验条件下, 传感器的峰电流与茶碱浓度在2.00×10^-7～3.45×10^-4 mol/L 范围内呈现出良好的线性关系(线性相关系数为0.9961), 检出限(S/N＝3)为1.00×10^-7 mol/L;该传感器的选择性高, 稳定性和重现性好, 将此传感器用于茶碱缓释片中茶碱的含量测定, 回收率为95.6%～103.8%.关键词 马来松香丙烯酸乙二醇酯; 茶碱; 分子印迹聚合物; 电化学传感器     

基于石墨烯掺杂金纳米粒子的速灭威分子印迹电化学传感器

以速灭威(MTMC)为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,在石墨烯掺杂金纳米粒子修饰玻碳电极表面合成分子印迹膜,研制了测定MTMC的分子印迹电化学传感器。采用扫描电镜(SEM)对传感膜的形貌进行了表征,通过循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱法(EIS)和差示脉冲伏安法(DPV)对传感器的性能进行了研究。DPV测试表明,MTMC的浓度在1.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数为R=0.9936),检出限2.9×10-8mol/L(S/N=3)。传感器应用于蔬菜样品的加标回收检测,回收率在93.4%~106.4%之间。     

纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其识别性能研究

为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法( CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明,以铁氰化钾为分子探针的间接检测中,铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10-7~1.5×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984),检出限(S/N=3)为8.2×10-9 mol/L。将此印迹传感器用于实际应用,回收率在96.5%~103.0%之间。     

基于石墨烯掺杂金纳米粒子的灭除威分子印迹电化学传感器的制备与性能研究

以灭除威(XMC)为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,在石墨烯掺杂金纳米粒子修饰玻碳电极表面合成分子印迹膜,研制了测定XMC的分子印迹电化学传感器。采用扫描电镜(SEM)对传感膜的形貌进行表征,通过循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱法(EIS)和差示脉冲伏安法(DPV)对传感器的性能进行研究。DPV测试表明,XMC的浓度在1.0×10-7~2.0×10-5mol·L-1范围内呈良好线性关系,相关系数(r)为0.997 9,检出限(S/N=3)为1.5×10-8mol·L-1。选择性识别实验结果表明,XMC印迹敏感膜的印迹因子(β)达到2.94,相对于干扰物的选择因子(α)均大于1,对与XMC结构相似的速灭威的选择因子达到2.39,说明该印迹膜对XMC具有良好的选择性。识别过程动力学研究结果表明,石墨烯掺杂金纳米粒子分子印迹传感器的动力学结合速率常数k为73.05 s。将此传感器应用于蔬菜样品的加标回收检测,加标回收率为95.4%~108.0%。     

基于纳米氧化铜修饰的异戊巴比妥的新型电化学传感器的制备与应用

在纳米氧化铜修饰的玻碳电极表面电聚合一种能够快速检测尿液中异戊巴比妥(AMB)的分子印迹敏感膜,研究了该敏感膜的最佳成膜条件及最佳工作条件.通过扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)研究了印迹膜的表面形貌及性能.电化学实验结果表明,纳米氧化铜能提高传感器对AMB的灵敏度.在最佳实验条件下,铁氰化钾分子探针的差分脉冲伏安(DPV)峰电流响应值与AMB的浓度在1.0×10-7~1.4×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9966);检出限为2.1×10-9mol/L(S/N=3).此印迹传感器可用于尿液中AMB的检测,加标回收率为94.00%~104.67%.     

Development and Characterization of an Electrochemical Sensor for Cinchonidine Detection Based on Molecularly Imprinted Polymer with Modified Rosin as Cross-linker

Molecularly imprinted polymers(MIPs) were applied as molecular recognition elements to an electrochemical sensor for cinchonidine(CD). A kind of MIP was synthesized with cinchonidine as template, modified rosin( ethylene glycol maleic rosinate acrylate) containing the skeleton of phenanthrene rings as cross-linker and methylacrylic acid as functional monomer. MIP membrane was prepared on a glassy carbon electrode for the determination of CD via free radical polymerization method. Electrochemical impedance spectroscopy(EIS) and cyclic voltammetry( CV) were used to characterize the membrane electrochemical behavior in electrode fabrication process. The experimental conditions were discussed. Under optimum conditions, it was found that the response of peak currents was linear to the concentration of CD in a range of 0.013―2.26 mmol/L. The detection limit for CD is 1 μmol/L, the relative standard deviation for 100 μmol/L CD is 1.34% and the incubation time is 2 min. The sensor was applied to the determination of CD in urine samples with satisfactory results.     

钯纳米粒子修饰的三甲氧苄啶分子印迹膜传感器的制备及其识别性能研究

采用N,N′-亚甲基双丙烯酰胺(MBA)为功能单体、钯纳米粒子为掺杂剂、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,在玻碳电极上热聚合具有三甲氧苄啶(TMP)识别性能的钯纳米材料修饰的分子印迹传感膜.采用扫描电镜及红外光谱对合成的钯纳米材料、印迹传感膜的形貌及其结构进行了表征;采用循环伏安法(CV)、交流阻抗法(EIS)对钯纳米粒子掺杂的印迹电极与无掺杂电极的电化学性能进行了研究.结果表明,纳米粒子掺杂的印迹电极与无掺杂电极的表面形貌及电化学性能明显不同.差分脉冲伏安法(DPV)表征结果表明,TMP的浓度在5.0×10-7~4.0 ×10-3 mol/L范围内与脉冲峰电流呈良好的线性关系(R=0.9995),检出限为3.2×10-8 mol/L (S/N=3).此钯纳米粒子掺杂的印迹传感器具有较高的灵敏度.即时电流测定结果表明,新诺明(SMZ)、磺胺嘧啶(SDZ)、葡萄糖 (Glu)、尿素 (Urea)对三甲氧苄啶(TMP)的测定不产生干扰.将此印迹传感器用于实际样品中TMP的检测,加标回收率为96.8%~102.0%.     

基于纳米二氧化锆与铂微粒复合修饰玻碳电极的甲醛传感器研究

采用循环伏安法在玻碳电极表面依次电沉积纳米二氧化锆和铂微粒,制备了一种检测甲醛的新型电化学传感器。用电镜扫描对该修饰电极表面进行了表征,循环伏安法和线性扫描伏安法研究了甲醛在该修饰电极上的电催化氧化作用,优化了实验参数。结果表明,该修饰电极对甲醛有很好的电催化氧化作用,在0.1 mol/L H2SO4溶液中,甲醛的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-6~5.0×10-3mol/L范围内呈良好线性关系,回归方程为Ip(μA)=79.95+2.005×105c(mol/L),相关系数r=0.999 3,检出限为5.0×10-7mol/L。     

纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

为了改善分子印迹传感器的灵敏度, 在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中, 以甲基丙烯酸为功能单体, 马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜. 采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究, 结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同. X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜. 采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析, 发现纳米氧化铜分散在电极表面, 改善了修饰印迹传感器的识别点. 差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10^-8-1.8×10^-4 mol·L^-1 范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994); 检出限2.3×10^-9 mol·L^-1 (信噪比(S/N)=3). 研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性. 此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测, 加标回收率在95.0%-102.5%.     

纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10-8-1.8×10-4mol·L-1范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994);检出限2.3×10-9mol·L-1(信噪比(S/N)=3).研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性.此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率在95.0%-102.5%.