ZnSe:Al深能级的研究

把用升华法得到的 ZnSe 单晶进行解理、降阻、机械抛光、化学腐蚀后,在样品的两个表面镀上高纯 Al,在 Zn 饱和蒸气压下,进行300℃～900℃的扩散实验、然后用20%沸腾的 NaOH 经2mins 除去样品表面残留的 Al,再在300℃、Ar 气保护下,烧成 In 欧姆接触电极、尔后用5%的 Br—CH_3OH 腐蚀样品约20Sec 后,蒸上金电极,用以形成肖特基势垒,最后对各样品进行 C—V 特性和深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectro-scopy)的测量。     

C—ZnSe:Al—In的注入式发光

报导了用ZnSe晶体进行电致发光研究的最新结果。研究中采用外延技术并以石墨作势垒接触,有效地降低电致发光阈值电压到0.8—1.6伏,3伏10毫安下可得到明亮的橙色、黄色发光。给出了有关的实验现象和测量结果,并对发光机理进行了讨论。文中还给出了用ZnSe制作数码管的初步结果。     

基于SiC MOSFET的霍尔迁移率在片测试方法

研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和测试系统的原因引入漂移电压,提高了测试精度。基于该方法完成测试平台搭建,并应用该测试平台完成了对SiC MOSFET样品霍尔迁移率的测试,得到了霍尔迁移率随栅极电压变化的关系。     

薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算

设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻计算霍尔迁移率的方法,实验测试及计算结果是较为满意的。     

Luminescence of (ZnSe:Al):Yb Сrystals at 4.2 K

Semiconductors - It is established that the doping of ZnSe:Al crystals with ytterbium from the vapor phase brings about the appearance of two new bands in the low-temperature luminescence spectra....     

ZnSe发光二极管

分别用 Li 和 Cl 作为 p 型和 n 型掺杂剂,成功地制作了 ZnSep—n 结发光二极管。ZnSe 作为直接带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体,近年来已经引起人们明显的关注。～2.7eV的室温宽带隙使其成为制作蓝色发光器件,例如 LED 和激光器的很具吸引力的材料。制作 ZnSe LED 和激光器,需要通过控制替位掺杂形成 p—n 结(或异质结)。虽然 p 型掺杂是目前制作这样器件的主要障碍,但在高浓度条件下,n 型掺杂剂的有效激活具有同等的重要性,尤其是如果要研制蓝色的ZnSe 激光器,更是如此。     

半绝缘ZnSe衬底上的外延双生长ZnSe

目前对ZnSe材料的研究工作不断深入,因为ZnSe是一种有潜力的蓝色发光二极管材料,具有2.67eV的直接带隙。从过去的实践中可以看出。高质量的ZnSe单晶是很难生长的。由于良好的光电器件需要高质量的材料,因此需要有不同的制备方法以获得高质量的ZnSe单晶。除了生长高质量ZnSe体单晶外,也有其它的方法,如GaAs或其它衬底上的ZnSe外延生长也可以用来生长ZnSe光电器件用的外延层。但很少有人用ZnSe衬底来生长外延层。为了更进一步地了     

Cr2+:ZnSe中红外激光器

Cr2 掺杂Ⅱ-Ⅵ族化合物在中红外波段的输出,在气体检测、遥感、通信、眼科医学、神经外科等领域有着重要的应用前景.目前已经获得了最大1.7 W的连续输出功率,18.5 W的平均脉冲功率,1100 nm的调谐范围和最窄4 ps的脉宽.对Cr2 :ZnSe连续、脉冲、随机纳米激光器以及其它的Cr2 掺杂Ⅱ-Ⅵ族化合物激光器的最新的国内外研究进展进行了综述.     

N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长

本文报道利用分子束外延(MBE)技术,采用高纯ZnCl_2作掺杂源,成功地进行了n—型ZnSe:Cl的分子束外延生长。n-ZnSe:Cl/p-GaAs异质结构的伏-安(I—V)特性和热探针测试显示外延层呈n型导电特性。反射高能电子衍射(RHEED)和x射线衍散谱测量表明ZnSe:Cl外延层具有较好的晶体质量。     

高亮度ZnSe发光二极管

本所四0三课题组在对ZnSe电致发光进行广泛研究的基础上,找到C-ZnSe:Al-In这一新型发光结构。在3伏低电压下工作,已得到128微瓦的黄色光输出,相当于结面亮度等于2000—3000fl(呎·朗伯),外量子效率已达6.8×10~(-4)。在2伏4mA下工作,可产     

霍尔效应和霍尔传感器的教学方法研究

磁电效应(电磁感应、霍尔效应、磁致电阻效应)是磁场与物质之间的重要的物理效应。只有深入理解电磁学原理,才能进一步学好霍尔传感器。本文针对现有教材状况,强调从理解电磁学中带电粒子在磁场、电场中的运动规律开始,进而深入学习霍尔效应和霍尔传感器。本文还介绍了用形象生动的教学方法,使学生扎实牢固地掌握该知识。     

ZnSe的应用研究概况

对 ZnSe 的研究,一般认为是从1963年 R.C.Jakleuic 的工作开始的。从那以后,许多国家都相继开始了对这一材料的制备和物理性能的研究。高效率的室温兰色电致发光和固体显示是人们对 ZnSe 寄予希望的重要所在。但在1969年之前,这一工作几乎完全限于物理研究。1969年之后,一种新型器件——LED(GaAsP—红色和 GaP—绿色)问世并初获应用,对ZnSe 等宽带材料的研究起到了刺激和推动作用,使这一工作从纯物理研究扩大到应用研究。     

中红外Fe:ZnSe激光技术最新研究进展

3~5 m中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性的Fe:ZnSe晶体是高效、宽带可调谐中红外激光介质的有力竞争者,介绍并分析了Fe:ZnSe晶体的光谱特性及其制备方法,综合评述了Fe:ZnSe激光技术的发展历程和最新研究进展,指出制备高光学质量的Fe:ZnSe晶体和研制3 m波段高效、高能窄脉冲泵浦源是发展实用室温Fe:ZnSe激光器当前面临的挑战。并对实现室温高能、高功率Fe:ZnSe激光的关键问题进行了讨论。     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步弛豫.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响.也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律:束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光(I1峰)随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光(I2峰)则随着厚度增加逐渐增强.     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .     

薛其坤:追梦圆梦量子反常霍尔效应

"天道酬勤,在所有错误都尝试过之后,最后走向成功,这就是追求极致的最大回报".一直以来,薛其坤都用追求极致的严格标准来要求自己和学生,正是有了这种极限的努力、不断创新的精神,才有了实验上首次量子反常霍尔效应的发现.     

ZnSe制备技术研究进展

ZnSe是一种很有应用前景的半导体光电材料，得到了广泛的关注，制备高质量的ZnSe已成为光电技术领域重要的研究课题之一，本文详细叙述了近年来ZnSe的各种制备技术的研究进展及其特点。     

ZnSe制备技术研究进展

ZnSe是一种很有应用前景的半导体光电材料,得到了广泛的关注,制备高质量的ZnSe已成为光电 技术领域重要的研究课题之一.本文详细叙述了近年来ZnSe的各种制备技术的研究进展及其特点.