一种有机发光二极管的电路仿真宏模型

文章介绍了一种有机发光二极管的电路仿真宏模型及其元件参数数值的提取方法。该电路仿真宏模型不但表征了有机发光二极管的全固态多层结构,而且表征有机发光二极管发光的物理过程。同时还提出了采用交流阻抗法提取该有机发光二极管电路仿真宏模型的元件参数的方法。该有机发光二极管的电路仿真宏模型可用于有源二极管显示器的背板电路设计过程中,背板电路与有机发光二极管器件的联合电路功能仿真,从而实现更准确的背板电路性能评估。     

一种新型硅基OLED微显示像素电路

在硅基OLED微显示器中,为了解决很小的像素驱动电流的难题,论文提出了一种像素电路。此像素电路由2个PMOS、2个NMOS、1个存储电容、1个OLED和4根信号线组成。并且利用HSPICE基于TSMC 0.35μm CMOS 5V工艺的参数进行了仿真验证。在此像素电路中,当OLED发光时流过OLED的电流是恒定的,并且通过控制OLED的发光时间来实现不同的灰度。此像素电路完全由数字信号控制,能实现精确的灰度调节。通过6个子场,实现了21级灰度,进而论证了实现64级灰度(0~63)的可能性。当OLED发光时,流过的恒定电流是35.3nA。     

一种提高硅基OLED微显示器对比度的像素电路

提出了一种应用于硅基有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)微显示驱动芯片的新型像素单元电路,具有三个MOSFET和一个存储电容。相比传统的电压驱动像素单元电路,增加的一个MOSFET,可以根据输入数据的变化,自动调节其等效电阻,降低像素单元的最小输出电流。本像素电路能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用SMIC 0.35μm 2P4M混合信号工艺进行设计,目前已成功应用于一款分辨率为800×600,像素节距为15μm×15μm的硅基OLED驱动芯片,经测试验证,输出电流范围为280pA~65nA,可以同时满足OLED阵列高亮度和高对比度的要求。     

硅基高清OLED微显示器像素驱动电路的设计

本文提出几种新型的硅基OLED高清微显示器像素驱动电路。通过对这几种电路工作方式的详细研究,在性能、面积等方面分别进行对比,评价各个电路的优缺点。文中像素阵列的驱动方式基于分形扫描理论,提高扫描效率。     

硅基OLED微显示器像素发光电流稳定性的研究

为了提高硅基OLED微显示器的电流稳定性，提出了一种6T1C型像素电路，该电路既可以减小驱动管阈值电压Vth的偏移，又补偿了OLED发光层电流衰减，利用HSPICE进行仿真，仿真结果表明:在阈值电压偏移量为-7.25ｍＶ~ 7.12ｍＶ和OLED内部电阻偏移量为0~ 8ＭΩ时，该像素电路的发光电流偏差分别为－0.144LSB~ 0.416LSB和-0.48LSB~0.6LSB电流稳定性得到大幅提高。同时，为了保证像素电路能精确反映OLED的电流－电压特性，提出了基于TCLC理论的OLED等效电路模型,该OLED等效电路的仿真数据和实验数据具有良好的一致性。     

一种新型的OLED像素补偿驱动电路

为了防止有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器随着使用时间增加而造成OLED像素驱动电路发生阈值电压和电源电压漂移,从而引起显示屏亮度不均匀和不稳定的现象,本文对OLED像素补偿驱动电路进行研究。首先对通用型的2T1C驱动电路进行分析,找出引起显示器亮度不均匀和不稳定的原因,然后以目前使用较多的4T1C像素补偿驱动电路为例,对该电路进行了深入的分析,指出这种电路结构的缺陷,最后针对这些缺陷,提出了改进的5T1C像素补偿驱动电路,并且对该电路进行了仿真,验证了其可行性。仿真结果表明,在显示阶段,输出电流稳定在2μA。基本可以改善OLED显示器亮度不稳定和不均匀的缺点。     

一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路

硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题,但为了获得微小的驱动电流,必须采用尺寸大的倒比MOS管,这又与极小的像素面积冲突。本文提出了一种采用脉宽调制(PWM)技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路,PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间,OLED的脉冲电流变大,使驱动MOS倒比管的尺寸减小;由于PWM信号占空比小,同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度。结果表明PWM信号占空比为3%时,实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27pA~2.635nA、2.19~225.1cd/m~2,同时采用双像素版图共用技术,在15μm×15μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计。     

一种新型硅基液晶微显示器件像素电路的研究

设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构，并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较，分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低，从而提高了像素电容的电压保持率，降低了闪烁，并减小了电磁干扰对像素电压的影响，提高了器件可靠性，同时提高了对光照的承受能力及对温度变化的适应能力，改善了显示品质，适用于高亮度显示器件。     

分辨率为800×600的硅基OLED微显示驱动芯片设计

设计了一款用于驱动分辨率为800×600的OLED微显示器的驱动芯片,利用10位的DAC将数字视频信号转成模拟信号,然后经过两个8位DAC实现数据的偏压和增益调整,可以适应微显示器在不同环境下对亮度和对比度的需要。像素电路采用了改进型的电压型驱动方式,能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用0.35μm 2P4M混合信号工艺完成了设计,进行了流片验证,已在芯片表面成功制作了OLED阵列,实现了微显示器的静态和动态画面显示,微显示器亮度可达11 000cd/m2,在此条件下,对比度可达到10 000∶1。     

有机发光二极管诱人的应用前景：OLED显示技术之三

目前最流行的扁平显示技术是液晶显示器（ＬＣＤ）,这与它所具有的优点分不开,如其工作电压低、功耗小、毫无辐射、对人体健康无损害,完全平面、无闪烁、无失真、用眼不会疲劳,可视面积大,既薄又轻、能大量节省空间,其抗干扰也比ＣＲＴ显示器强得多。因此,ＬＣＤ在各种扁平显示领域中得到了较广泛的应用。但是,这并不表示它就是取代ＣＲＴ显示器的最好代表,因为ＬＣＤ显示器也有它不可克服的弱点,如视角小、亮度与对比度不够大,与ＣＲＴ显示器相比,图像逼真度及饱和度仍不理想,响应时间也不够短等。虽然目前最新的ＴＦＴＬＣ…     

基于低温多晶硅薄膜晶体管的AMOLED交流像素电路

This work presents a new voltage programmed pixel circuit for an active-matrix organic light-emitting diode(AMOLED) display.The proposed pixel circuit consists of six low temperature polycrystalline silicon thinfilm transistors(LTPS TFTs),one storage capacitor,and one OLED,and is verified by simulation work using HSPICE software.Besides effectively compensating for the threshold voltage variation of the driving TFT and OLED,the proposed pixel circuit offers an AC driving mode for the OLED,which can suppress the degradation of the OLED.Moreover,a high contrast ratio can be achieved by the proposed pixel circuit since the OLED does not emit any light except for the emission period.     

用于有机发光二极管的具有开关漏电抑制能力的像素电路

本文介绍了一种用于有机发光二极管微显示系统的像素电路,该电路具有开关漏电抑制能力。在信号保持期间,电路采用无外部输入的自参考环路跟踪内部节点电压,达到漏电抑制的目的。采用该漏电抑制技术可以用更小的存储电容获得更长的保持时间。采用0.35-μm CMOS 工艺实现了一个60×80像素阵列的试验系统,像素面积是15×15 μm^2。测试结果表明,本文提出的像素电路获得了超过500ms的保持时间,在100pA~3nA输出电流范围内获得了良好的精度和线性度。     

具有顶部发光结构的AMOLED交流驱动电路

A new voltage programmed pixel circuit with top emission design for active-matrix organic lightemitting diode(AMOLED) displays is presented and verified by HSPICE simulations.The proposed pixel circuit consists of five poly-Si TFTs,and can effectively compensate for the threshold voltage variation of the driving TFT.Meanwhile,the proposed pixel circuit offers an AC driving mode for the OLED by the two adjacent pulse voltage sources,which can suppress the degradation of the OLED.Moreover,a high contrast ratio can be achieved by the proposed pixel circuit since the OLED does not emit any light except for the emission period.     

一种LTPS-TFT AMOLED像素电路的理论研究

本文对一种LTPS-TFT AMOLED电压型阈值电压(V_(th))补偿像素电路进行了理论研究,分析了影响V_(th)补偿效果的主要因素。电路的补偿效果主要由驱动TFTV_(th)的获取精度和随后的保持精度决定。在V_(th)获取过程中,相关误差主要由驱动TFT转移特性电流对存储电容充电的充电率不足产生;在显示信号与V_(th)叠加过程中,与V_(th)保持节点连接的电容增量等因素会造成V_(th)保持精度的损失。根据分析的结果,本文解释了高分辨率像素电路补偿效果下降的原因。     

用于红外焦平面阵列的等效像元电路设计

提出了一种用于300×400红外焦平面阵列读出电路的等效像元电路结构。该电路与氧化钒(VOx薄膜)制成的微机械系统(MEMS)的电特性等效,并能够模拟MEMS像元改变时支路电流的变化。红外面阵探测器读出电路在流片后,生长MEMS物理结构(VOx薄膜)前,该等效像元电路结构用于读出电路的电性能测试,从而剔除不良品,减少封装成本。该电路采用了Global Foundry 0.35μm工艺设计并流片。测试结果表明,当积分电流为0~200nA时,该等效像元电路的电性能与MEMS像元一致。     

三层材料微悬臂梁模型及其在红外焦平面像元设计中的应用

双材料梁因其良好的热机械特性作为敏感部件被广泛用于热能传感器中.采用微电子工艺实现的双材料梁通常由金属和非金属作为主要功能材料构成,若两层材料之间粘附性差,则需加入一层粘附材料.根据材料力学热应力和弯拉组合理论,建立了用于分析具有中间粘附层的复合双材料(即三层材料)微悬臂梁的关于材料物理参数、结构尺寸与梁受热弯曲产生转角关系模型;利用此模型和工艺中常用材料,研究了三层材料微悬臂梁的材料选取、各层材料厚度匹配等优化设计问题.通过对像元仿真和对硅工艺制造的红外焦平面阵列(IRFPA)芯片进行测试,验证了模型的正确、合理和适用性.     

开关电容器现场可编程模拟阵列的频域SPICE仿真

根据C．F．KURTH和G．S．MOSCHYTZ采用z域四口等效电路对开关电容器网络进行双口分析的理论。以现场可编程模拟阵列实现的PID控制器为例，建立了一个用于频域仿真的SPICE模型。从而方便地用SPICE软件对PID校正后整个控制系统的稳定性进行仿真分析。     

CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明：在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时。该保护电路不会导通．因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。