MEVVA离子源等离子体密度测量

采用静电探针方法测量了ＭＥＶＶＡ离子源中的等离子体，得到了单探针，双探针的特性曲线，等离子体电子温度和等离子体离子密度以及离子密度随离子源轴向的变化和径向分布。其中离子密度随离子源径向的分布近似为高斯分布，还研究了等离子体密度与弧流的关系，并采用加会切磁场的方法试图改善等离子体密度的径向分布的均匀性，得到了一些有益的结果。     

ＭＥＶＶＡ 离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体．通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的 金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是 ＭＥＶＶＡ 离 子 源 技 术．将 载 能 离 子 束 用 于 离 子 注 入,可 以 实 现 材 料 表面改性．经过 ＭＥＶＶＡ 源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此 ＭＥＶＶＡ 离子源在离子注入材料表面改 性技术中得到很好的应用．另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同 时,过 滤 掉 真 空 弧 产 生 的液滴（大颗粒）,当工件加上适当的负 偏 压 时,等 离 子 体 中 的 离 子 在 工 件 表 面 沉 积,可 以 得 到 高 质 量 的、平 整 致 密 的 薄 膜,称为磁过滤等离子体沉积．是一种先进的薄膜制 备 的 新 技 术．此 外,将 ＭＥＶＶＡ 离 子 注 入 与 磁 过 滤 等 离 子 体 沉 积 相 结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的 方 法 制 备 薄 膜,可 以 极 大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜．适用于基材与薄膜性能差别大,结合不 易 的 情 况（例 如 陶 瓷、玻 璃表面制备金属膜）．本文简要介绍了 ＭＥＶＶＡ 离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和 ＭＥＶＶＡ 复合技术的发展和 应用状况      

二维无碰撞离子引出过程的数值模拟

利用流体理论电子平衡模型，对二维不考虑带电粒子碰撞的激光分离同位素（ＡＶＬＩＳ）离子引出过程进行了数值模拟，包括对不同收集方式进行了模拟和对比，研究了离子引出过程中的物理机理及物理量的空间分布特点，表明等离子体电位略高于阳极电位，并在离子引出过程中基本保持不变；电子温度越高等离子体电位越高，离子引出时间越短；对称收集方式的离子引出时间短且离子逃逸量也少。     

φ16cm宽束离子源的设计

本文介绍了一种口径为φ１６ｃｍ的宽束离子源的设计．该源采用了多极场型放电室，结构紧凑合理，便于清洁维修以及更换离子引出系统．使用二栅引出系统时，可获得５０～１５００ｅＶ的离子束．距源１０ｃｍ处，５００ｅＶ的氩离子束的束流密度可达０．９５ｍＡ／ｃｍ２，且±８％均匀性的均匀区域达φ１４ｃｍ．     

电合成氯酸钠中有锡锑中间层的二氧化锰阳极的研究

本文研究了有锡锑中间层的二氧化锰阳极的电化学性能和在电合成氯酸钠中的应用。在电流密度为１０Ａ／ｄｍ２、温度为４０℃时，阳极析氯电位为１.３９６Ｖ（Ｓ、Ｃ、Ｅ）；阳极析氧电位为 １．５１０Ｖ（Ｓ、Ｃ、Ｅ）．用析氧、析氯极化曲线探讨了温度、电流密度对析氧量的影响。同时还探讨了锡锑中间层二氧化锰阳极在氯酸钠合成中的工艺条件。在 ｉ＝１０～１５Ａ／ｄｍ２，ｉｃ＜７Ａ／ｌ，ｔ＝９０℃，ｐＨ＝５．６～６．５时，电流效率可达８４％，槽压为３．０５～３．３５Ｖ。 在强化寿命测试中，阳极电流密度为１００Ａ／ｄｍ２，在９０±５℃、１ＭＨ２ＳＯ４溶液中，涂有锡锑中间层的二氧化锰阳极的强化寿命为无中间层二氧化锰阳极的５．３倍。在７０±５℃加５％ＨＣｌ的饱和ＮａＣｌ溶液中，为８．４倍。     

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的ＭＥＨ－ＰＰＶ聚合物,用ＭＥＨ－ＰＰＶ作为发光材料制备了单层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌ和双层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｂ－Ｖ特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在ＭＥＨ－ＰＰＶ层,当加入Ａｌｑ３电子传输层／空穴阻挡     

C_3A 的 Al-O,Ca-O 键与水化活性关系的量子化学研究

通过量子化学的ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα计算方法，分别研究了Ｃ３Ａ分子结构中２种ＡｌＯ４四面体和３种ＣａＯｘ（ｘ＝６，６，９）多面体的价键特性与活性。原子净电荷、键强、电子态密度、ＥＬＵＭＯ以及ΔＥ（ＬＵＭＯ－ＨＯＭＯ）等的计算结果表明：与水反应时，多面体活性大小顺序为Ｃａ（４）Ｏ９＞Ｃａ（１）Ｏ６（或Ｃａ（３）Ｏ６）＞Ａｌ（１）Ｏ４＞Ａｌ（２）Ｏ４。Ｃ３Ａ具有高水化活性主要与弱的Ｃａ－Ｏ键和空洞缺陷有关。     

粘虫PuA7S细胞的悬浮培养病毒增殖及其细胞克隆

粘虫ＰｕＡ７Ｓ细胞能在ＴＮＭＦＨ培养基和Ｅｘ－Ｃｅｌｌ４０５，Ｅｘ－Ｃｅｌｌ４００两种无血清培养基中实现高密度悬浮培养。在１００ｒ／ｍｉｎ搅拌条件下，ＰｕＡ７Ｓ细胞上述培养其中的最大生长密度分别为１．６５＊１０＾６细胞／ｍＬ，３．５０＊１０＾５细胞／ｍＬ和２．０２＊１０＾６细胞／ｍＬ，群体倍增时间分别为４８ｈ，４５ｈ和４２ｈ，ＡｃＭＶＰＶ能够在ＰｕＡ７Ｓ细胞悬浮系统高水平增殖，在３种培养基培养细胞     

即热式热水器底部加强板阴极保护系统电场数值模拟

【目的】为给即热式热水器的底部加强板添加外加电流阴极保护系统,并获得均匀的电场分布。【方法】利用有限元法对两种型号即热式热水器底部加强板,在不同辅助阳极排布方式下的阴极保护电场进行数值模拟。【结果】在与钢条垂直方向,当辅助阳极位于热水器内胆高度的4/9处时,底板电位开始达到均匀分布。在与钢条平行方向,当阳极在热水器内胆长度的11/18到13/18的范围内,底板左右两端电位分布较均匀。随着辅助阳极数量的增加,底板表面的电位分布更为均匀,但对底板的电位数值变负未有太大的影响。将求解的平面空间分层并折算成直线,以辅助阳极所在的位置为中心,阳极两边均出现电位自衰减现象。【结论】采用2个辅助阳极较为经济。阳极的最佳位置区间为一个顶点坐标固定的长方形域。可根据衰减曲线,通过调节辅助阳极的电位,使离阳极最远的两个末端的电位达到保护要求。     

基于AxPe1280V芯片的多标准视频编码方案

介绍了一种基于ＡｘＰｅ１２８０Ｖ的Ｈ．２６１／Ｈ．２６３／ＭＰＥＧⅠ编码方案。ＡｘＰｅ１２８０Ｖ是一种可编程可配置的基于混合编码的视频处理芯片,可应用在可视电话、会议电视、ＪＰＥＧ、ＭＰＥＧⅠ、ＭＰＥＧⅡ、数字电视等众多领域。采用ＡｘＰｅ１２８０Ｖ对于多标准视频编解码只需通过软件控制来实现,无须改变硬件工作平台,给用户提供了极大的方便。     

50型MEVVA源离子注入机

详细介绍了50型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能.50型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的"八六三"计划项目"先进离子束注入技术的工业应用"所取得的成果,是专用于工业生产的MEVVA源离子注入机.     

磁场对麦瓦(MEVVA)离子源电荷密度分布的影响

为解决麦瓦(MEVVA)离子源束流的径向分布均匀性问题,采取了加入会切磁场的方法.会切磁场的安放位置不同得到束流分布均匀性的程度不同.另外,如安放一纵向磁场对分布的均匀性也有改善,但不如在合适位置安放会切磁场的效果好.     

EVVA源离子束合成镧硅化物

用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 .     

多功能宽离子束形成的研究

本文讨论了多功能宽离子束形成的物理过程,给出了均匀束、会聚束及球状发散束的设计原则和方法,并列举了实例和测试方法.其中球状发散束则为首次提出的.这些宽离子束均已应用于离子束直接淀积、离子束溅射淀积及离子束辅助镀膜技术等薄膜工艺,效果良好.     

MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究

利用金属蒸气真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源将金属离子掺杂到无色人工合成蓝宝石中。研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况。利用ＲＢＳ研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况,ＸＲＤ分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化,通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系。     

阴极真空弧沉积中MEVVA源两种工作状态的比较

介绍了阴极真空弧沉积中,弧源在阴极接地和阳极接地２种不同工作状态下的工作特性,发现阳极接地时,因沉积靶室入口法的第二阳极作用。聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高煌聚焦磁场,从而获得电流较大和较稳定的沉积离子束。     

离子束医用生物聚合物材料改性研究

采用MEVVA源引出的金属离子对聚酯(PET)薄膜进行了离子注入,根据医用生物材料的需要,研究了提高高分子生物材料耐磨性、抗腐蚀性的途径及改善生物相容性的方法,并讨论了改性机制.     

过滤管道磁场对改进弧沉积系统弧放电和传输效率的影响

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加一 30～ 60V的正偏压 ,可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电以及磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究 .研究表明 ,磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 ,但对MEVVA源阳极和阴极之间的弧放电规模影响不大 .     

使用金属蒸汽真空弧离子源的金属离子注入

用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有工业应用价值的强流离子源.讨论了注入原子的状态和分布特征,说明了 MEVVA 源可能的使用前景.