退火Ge－Au／Au双层膜中出现的缩聚型分形

利用透射电子显微镜观察了不同温度下退火的Ｇｅ－２２ａｔ．％Ａｕ／Ａｕ双层膜，原态双层膜由Ｇｅ．Ａｕ多晶相和少量Ｇｅ＿（０．４）Ａｕ＿（０．６）亚稳相组成，其中Ａｕ的晶粒很不均匀，没有观察到非晶态Ｇｅ。６０℃至３５０℃退火后均能出现分形图形，但和非晶Ｇｅ晶化形成的多枝叉形貌显著不同。温度升高，分维数增大。认为Ｇｅ－Ａｕ／Ａｕ双层膜中较粗大的Ａｕ晶粒吸收Ａｕ小晶粒引起的缩聚是形成分形的主要原因。     

Au／a—Ge膜退火行为的多重分形研究

研究了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜退火后形成花样的分布及其分维。单个分形枝叉的疏密可用简单分维定量描述。多重分形谱可以很好地定量描述了多个分形区的分布的变化，分形花样稀少且分布不均匀的图形对应的分形谱较宽。经１００℃退火６０ｍｉｎ后薄膜中出现分布不均匀的很少的分形花样，经１２０℃退火６０ｍｉｎ后分形花样布满整个薄膜表面，相应的分形谱宽度△α从３．７０减小到０．２３。     

分形晶化的Au／a—Ge双层膜的非线性V—I特征

本报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶体现象，并首次测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜分形晶化的Ｖ－Ｉ特性，实验结果表明：分表晶化后的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特征，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）模型对实验结果给予了合理的解释。     

a—Ge／Al双层膜中分形和退火温度的关系

侯建国等曾系统地研究了a-Ge/Au双层膜体系,发现a-Ge晶化形成的分形结构与退火温度、Au的晶粒尺寸等物理因素间存在着很强的关联。最近我们报道了Al/Ge膜中分形的形成与Al/Ge的厚度比有关,随着Al/Ge厚度比减小,分形结构变得越来越密集,维数增大,并用逐次触发成核模型(PSN)解释了观察到的现象。     

Au／a—Ge双层膜分形晶化及其V—I非线性研究

本文报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜在分形晶化后的Ｖ－Ｉ特性。实验结果表明：Ｗ发形晶化后的Ａｕ／Ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特生，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）。模型对该合理的解释。     

Au/a-Ge膜退火行为的多重分形研究

研究了Ａｕ／ａ－Ｇｅ 双层膜退火后形成分形花样的分布及其分维。单个分形枝叉的疏密可用简单分维定量描述。多重分形谱可以很好地定量描述多个分形区的分布的变化，分形花样稀少且分布不均匀的图形对应的分形谱较宽。经１００℃退火６０ｍ ｉｎ 后薄膜中出现分布不均匀的很少的分形花样，经１２０℃退火６０ｍ ｉｎ 后分形花样布满整个薄膜表面，相应的分形谱宽度Δα从３．７０ 减小到０．２３。     

a—Si／Mo多层膜的制备及其结构研究

本文报导了利用射频溅射技术成功地获得具有一维周期结构的ａ－Ｓｉ／Ｍｏ多层膜。分析讨论了可控厚度多层膜的生长条件；利用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＳＩＭＳ、ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ等分析手段，对多层膜进行了结构分析；同时还研究了膜的热学性能，结果表明这种多层膜有很好的热稳定性。     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。     

a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成

利用透射电子显微镜(TEM)观测a-Si:H 薄膜在不同温度下生长的分形结构。实验方法为原位动态技术。对分形结构的TEM形貌像用Sandbox方法计算了其分形维数。450℃时,形成具有类似分叉状的分形结构,分形线数d_f=1.69;800℃时,形成岛状分形结构,分形维数d_f=1.76。实验结果表明,分形结构的形成与薄膜物性的变化相联系。文中还对分形结构与a =Si:H 薄膜晶化的关系进行了讨论。     

低温退火工艺对柔性基上ITO膜透光率的影响

国内外学者对铟锡氧化物膜的各种工艺参数进行了过广泛的研究，然而对低温退火提高ＩＴＯ膜的透光性还未见报道。文章在研究了低温退火工艺对柔性基上真空蒸镀ＴＩＯ膜的透光率的影响后，进一步分析了影响透光率的工艺参数。     

退火态Cu膜表面形貌的分形特征

用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理。用扫描电镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征。结果表明：当退火温度T在小于673K范围内增加时,分形维数Dr逐渐减小;而当T增加至773K时,Dr异常增加。本文根据表面扩散、晶粒长大、缺陷形成等机制对其进行了分析。     

Ge—Au合金膜的微结构及电子束诱导晶化

ＧｅＡｕ体系是典型的二元共晶系，在室温平衡状态下，二者不相溶。在蒸发沉积制成的薄膜样品中，其非平衡结构对沉积条件敏感，低金属含量和低衬底温度，促进沉积形成非晶薄膜。通过研究不同条件下沉积的合金膜的微结构，可以了解成膜机理；利用电子束诱导晶化，可以为研究晶化动力学过程提供实时观察，并且在ＧｅＡｕ非晶薄膜中实现微区晶化，为其在微电子和信息领域提供应用的可能     

Au/SiO-2/α-Si:H中Au与α-Si:H的相互作用研究

近年来对Au/α-Si:H系统分形及晶化方面的研究很多[1,2],它们的共同点是双层膜蒸镀都在真空中一次完成,中间不离开真空室,硅分形易于形成且效果非常显著.     

Ge／Pt／Au,Ge／Au／Ni／Au—n型GaAs欧姆接触的对比研究

对用快速热合金方法（RTP）形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au-n型GaAs欧姆接触进行了对比研究。实验结果表明，在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下，Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度－时间”窗口的接触电阻率。合金后，Auger能谱分析表明，Ge/Au/Ni/Au金属系统扩散进GaAs体内的净施主Ge浓度较高，因而接触电阻率较低。两种欧姆接触金属系统经高温存贮一定时间后，发现其接触电阻率都有所降低。