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在80—280K范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究,发现:(1)对钾紫青铜,在105K附近热电势有符号变化,并且在高温正常金属相,热电势S具有较小的负值,可以用经验关系S=AT+B来描述,自由电子为支配载流子;而在T<105K的低温CDW态,S为正值,可表示为S=A′T+B′/T的形式,载流子的声子曳引热电势占支配作用.(2)对钠紫青铜,在T>80K范围内S与T具有很好的线性关系,没有观察到Peierls相变,电子为支配载流子.对造成两者差异的根源,也作了初步探讨
关键词: 相似文献
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测量了掺La的Bi2212系统的随温度变化(80 ̄300K)的热电势。结果表明,热电势随掺杂浓度的增加(载流子浓度减少)而增大。定性解释了绝样样品的热电势的宽峰移动,并且用N-L模型及双带模型对热电势的结果进行了定量分析。 相似文献
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系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)^2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致。在x≥0.19时,ρab(T)在Tc随近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量的增大而增大。ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(△/T)+bT+ 相似文献
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我们测量了几种成份钾掺杂铊青铜Tl0.3MoO3单晶的电阻及热电势随温度变化的性质。结果显示,与未掺杂样品一样,无论是高于或低于Peierls相变温度Tp,掺杂样品热电势的温度特性均满足一个经验公式S=AT+B/T。然而,由于掺杂,样品的电阻,热电势的绝对值以及相变温度Tp均减少;但其热电势符号变化的温度Ts却增加。我们在漂移散射和声子曳引的基础上,引入杂质的施主效应以及弱的链间偶合的影响讨论了上 相似文献
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本文运用赝势从头计算法对(CdS)n分子簇电子结构进行了精确的量子化学计算研究,计算结果表明:随着CdS个数的增加,CdS单元之间的相互作用增强,CdS之间共价键成份减少,离子键成份增加。 相似文献
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稀磁合金的杂质效应对热导率和热电势的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用李正中的Hamiltonian,讨论了稀磁合金中sd互作用效应(孤立杂质效应和RKKY关联效应)对热导率和热电势的影响. 相似文献
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精确测量了在不同氧压下退火的单晶Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)样品的CuO面内和CuO面外的电阻率ρc(T)和ρab(T).发现ρc(T)和各向异性比(ρc(T)/ρab(T))随着载流子浓度增加而迅速下降.在过掺杂样品中,高于120K时,ρc随温度线性下降,而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系.ρc(T)和ρc(T)/ρab(T)的值可以用Alexandrov和Mot建立的双极化子模型很好地加以拟合 相似文献
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Sm2-xCexCuO4单晶的赝能隙行为研究 总被引:1,自引:1,他引:0
我们在电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4中首次观察到赝能隙的证据.研究了在O2中不同退火时间,单晶Sm1.85Ce0.15CuO4样品的电阻率ρ和热电势S,电阻率ρ的测量结果显示退火后样品高温区电阻率ρ、dρ/dT和热电势的斜率dS/dT斜率增加,意味着载流子浓度下降,与减小Ce掺杂量x的作用等效.所有的样品S~T和ρ~T曲线在某个温度T*下都发生斜率的改变,该转变温度随着退火时间的增加而向高温区移动,而且越来越明显.这可能是因为该温度下赝能隙被打开,热电势曲线在某个温度下存在一个最小值,这是载流子局域化的表现;热电势曲线上50K附近观察到一个明显的声子曳引峰,正的峰值表示载流子符号在低温区发生了改变,即由高温的电子型变为低温的空穴型,与霍尔系数实验中斜率变化一致. 相似文献
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通过对系列(La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4(x=0,0.05,0.10,0.15)的多晶样品在4.2K-300K的电阻率和液氮温区内的热电势的测量,发现(La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的电阻率在高温区呈现出线性关系,其斜率也随着x的增大而增大,在x=0.10时达到最大,而在Tc到100K的温区,随着Sm含量的增加,则呈现出由金属行为到类半导体行为的转变,同时超导温度Tc也随着降低,液氮温区内的温差热电势反映了随着Sm含量的增加,体系的载流子浓度也随之降低。 相似文献
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双波长倍增差示法测定双嘧啶片中磺胺嘧啶和甲氧苄啶的含量 总被引:1,自引:0,他引:1
本论述了双波长倍增差示法同时测定了双嘧啶片中磺胺嘧啶(SD)和甲氧苄啶(TMP)的含量,本法是基于测定标准溶液SD(8~14)×10^-6g/mL,TMP(1~2)×10^-6g/mL,和样品溶液在242.5nm和228.0nm处的吸收度。SD和TMP的平均回收率与RSD分别为100.60%,0.33%,和98.27%,1.58(n=20)。本法简便快捷,结果满意。 相似文献
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用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品,并系统地研究了在15-300K范围内样品的电阻率和热电势行为.两者在25-200K之间的温区都表现相同的物理行为—高温区为半导体热激活行为,低温区为二维变程跳跃行为.在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象.我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论.退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响,其本征的物理性质还需要深入的研究. 相似文献
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报道了一种研究团簇反应的新装置-激光串级溅射反应装置,论述了该装置的结构和工作原理,利用这一装置研究了银与硫团簇的反应,实验表明,银和硫团簇的反应得到了(AgS4)^+(AgS8),(AgS12)和(AgS16)的反应产物,与用付立叶变换离子回旋共振谱仪(FTICR)得到的银和硫团簇的反应结果相比,证明了用该装置研究团簇反应有效性。 相似文献
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本计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。首次用解析的方法研究了它们与Ge组份x和温度T的依赖关系。我们发现,随Ge组份x的增加,由于Si1-xGex层中应力的影响,导带和价带有效态密度随之快速减少,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组份x的增加而减少得越快,而本征载流子浓度上升得越快。同时,我们还发现,具有大Ge组 相似文献
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H.A.AbdEl-Ghanny 《低温物理学报》2002,24(2):149-160
采用熔化淬火工艺制备Bi6Se9Ge4CuOx。块材和粉末压实样品均在300℃进行了热处理,该温度远低于玻璃转变温度419℃(由DTA热重分析得知)。无论是末经处理还是热处理后的样品,都具有多相结构。热电势测量结果表明,可能有电子和空穴的导电。载流子的导电类型主要取决于热处理条件。热电势以扩散分量为主,声子曳引可以忽略。跳跃导电是常见的,而半金属行为只在特殊的热处理条件下出现。 相似文献