半导体技术1988年一至六期题目索引

题目(期页)器件研究与制造光断续器的应用原理…………………(—1)网格结构紫外-可见-近红外光敏三极管………………………………………(—42)室温H_2S敏感器件……………………(—50)双栅MOSFET’S的短沟道效应……(—21)沟道载流子有效迁移率温度漂移的研究………………………………………(—27)多层金属电极的制备及过反溅问题…………………………………………(—30)Ar~+通过SiO_2层注入吸除二极管阵列的杂质及其分析…………………(—32)清洗质量在线检测的可行性试验……(—35)玻璃钝化二极管成型工序的分段降温法………………………………………(—37)     

半导体技术一九八五年一至六期题目索引

题 目 期页 工作 报告用氧化铝(CdO)做宽发射区的磷 化钢平而型扩散晶体管……………(一1)An-GaAs、Ni-GaAs可见光接收器…(一6)低失真低噪声高频中功率晶体管…… 3DA3……………………………(一 9)关于硅低频低噪声晶体管的研究……(一15)一种新的压敏效应 一汞一硅肖特基 势垒的压容效应的研究……………(一21)LPE生长中NP表面热分解的抑制…(一24)MOS反型层中迁移率的测量技术…(一28)由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布………………(一32)     

半导体技术1987年一至六期题目索引

器件研究CG441型硅微波线性晶体管…………(一 1)光集成激光器的研究………………(一5)沟道区杂质浓度不均匀分布等效因子 …………(一8)一种适用于VLSIMOS器件的阈电压 模型…………………………(一57)高频小功率VMOS FET设计历研制 …………………………(二20)同轴型高频大功率振荡三极管 3DA310………………………(二25)讨论硅变容管电参数的稳定性………(二31)双向可控硅峰值关态电压的讨论……(二34)双外延调频变容二极管的电容变化指 数n值……………………………(三6)     

半导体技术一九八六年一至六期题目索引

器件研究绒面硅太阳电池受光面取向研究……(三15)功率MOSFET的并联运用……………(三19)整流和开关二极管中子辐射效应……(三21)“二次击穿”的客观条件及护保措施…………………………………(三25)NPnN型InGaAsP/InP异质结晶体管和nN型InGaAs/InP异质结……(三28)     

《半导体技术》一九八四年一至六期题目索引

工作报告对《MOS管阈值电压的理论修正》一文的商榷…………………………………(—1)NPN超高压低频大功率晶体管制造工艺的探讨…………………………………(—5)PECVD氮化硅在半导体器件钝化工艺中的应用…………………………………(—8)石英舟HCl-H_2-Ga高温处理………(—11)银浆烧结小功率晶体管的V_(ces)失效模式及工艺改进途径…………………………(—13)LA3361锁相环调频立体声解码器的特性及应用…………………………………(—15)半导体激光器电流-电压特性导数测量技术…………………………………(—24)     

《半导体技术》一九七九年一至六期题目索引

题 目工作报告期 页铝一Ⅳ型硅肖特基接触界面JD型层的研究……………………………………一～二 1超突变2.]一Ⅳ结空间电荷区……………………………………………………一～二 12对硅尸一Ⅳ结击穿电压蠕变时问特性理论的一个修正………………………一^v二20硅光敏管短波响应的改善………………………………………………………一～二31Ⅳ沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器………………………一～二 3711096位CCJ[)移位寄存器………………………………………………………一～二45高速肖特基抗饱和(S71。厂J)J[)触发器研制报告……     

《半导体技术》一九八二年一至六期题目索引

关系、。。。,………。。。。。一………………………………一(30) 颗目 W o 对称双光敏管的设计和应用。··、……………,·。………三(36) c-v测试方法及仪表简介-……、……………。………·三(39) _-.._,关于V形槽的刻蚀拾术和VVMOS 8休管的 vteatth-一、”。。FM。Jat、W·l、·l。,r。r。—一 间tI7-toMJ 硼芽”径制。…·—。。…·。…·、、——、、、·——……四(1) V*厂下向***管宽线条版图设计 一……     

《半导体技术》一九七八年一至六期题目索引

题 日 用 页 工 作 报 告1.6—1.8千兆赫硅PNP超高频小功率晶体管的研制…………………………’…·’一1影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素……………··’…·’·’·’·‘’‘·‘…··”…·’··’”‘’”””一6300瓦功率晶体管挂铅锡工艺………………………………’··”………………’··’·’·一16关于掺ASH氧化硅乳胶用于集成电路埋层扩散的实验总结………………………一 18半自动晶体管管芯磁分选仪………………·’··,’··’··’……··’…’…·”’………··‘’”””“”一29如何选择外延生长条件…     

《半导体技术》一九八一年一至六期题目索引

题 目 期 页 工作报告集成电路制备中金属杂质与微缺陷的自吸除……一((100)取向的磕材料在双极器件中的应用……‘一(硅片在灞加兰氯乙烯的氧化气氛中氧化…………一(片状磷源的扩散………………………………………一【用POC【3作源进行磷扩散...…………………………一(探讨研制精细光刻掩模的途径………………………一(C丑f0.S电路中的寄生可控硅现象…………………一(薄膜混合集成电路失效械分析………………………一(高频晶体管工作寿命实验中抑制振荡的方法……一(tI沟MOS三管单元动态R4M的再生周期与工作点 的关系-..………………     

《半导体技术》一九八三年-至六期题目索引

勤 目 描页 题 目 赐页 工 作 拈 告GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特 硅烷外延的快速生长—………………………·(二52) 性的的研究—…………………,……………(一1)集成电路芯片显微照相的新技术……………(H54)大规模集成电路工艺中的高纯水…………。··(一7)肖特基高速四D触发器的设计与制造—……·(三1)特高频电调谐变容管及其应用……………。··(一11)关于改革平面晶体管常规工艺的研究—……·(三 6)M的61锁相环调频立体声解码器内部电路 提高小功率塑封管中测合格率的几项措施…(三ic) 分析—………     

《半导体技术》一九七七年一至六期题目索引

题 目工作报告期 页外延平面功率晶体管制作考虑………………………………………………………一外延工艺与器件质量关系试验的点滴体会…………………………………………一GPs。、GPs。硅.尸ⅣP外延型硅平面高反压晶体管工艺总结……………………一高频大功率晶体管的设计(二)………………………………………………………一用于电子器件包封的硅酮模塑粉的合成……………………………………………一高温存贮热老化毕业实践小结…………………·……………………………………半导体硅片的最佳划片方位…………………………………………………     

《半导体技术》一九八○年一至六期题目索引

题 目工 作 报 告期 页射频功率晶体管可靠性设计研究…………………………………………………一(双外延材料选取实验一400兆50瓦硅大功率音外延材料探讨………………一(氮化硼片源扩散工艺的选择………………………………………………………一(半自动单探针扩展电阻法测量电阻率…………………………………………一(Ctf。在等离子体腐蚀工艺中的应用………………………………………………一(关于半导体材料(锗、硅)微缺陷的研究………………………………………一(两手}7171L集成,K一触发器波形分析…………………………………………………     

《半导体技术》一九七六年一至四期题目索引

题目 期自力更生、排除万难、艰苦奋斗、建设三线………………………………………二 工 作 报 告:篚反击右倾翻案风的斗争中硅栅Ⅳ沟道MOSl024位随机存贮器研制成功……一二氧化硅抛光工艺小结………………………………·………………………………|I一、一5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制………………………………………一4.5公分体效应合成放大器…………………………………………………………一等离子去胶新工艺……………………………………………………………………一一离子注入技术在试制E/D型MOS集成电路中的应用………………     

《微电子学》1989年第19卷1-6期总目录索引

集成电路工艺研究 期 页离子注入在铝～硅接触中的应用……………………………………·…………………”l(1)一种新的V形槽腐蚀方法…………………………………………………………………1(5)直接热氮化二氧化硅薄膜的电特性………………………………………………………l(14)起卤化作用的等离子体中钨和硅化钨的腐蚀……………………………………………l(46)等离子生长氧化硅的电性能………………………………………………………………1(53)单片集成电路中镍一铬电阻的制作…………………………………·…………………一2(7)一种提高注入效…     

1994年1～4期题录索引

１９９４年１～４期题录索引1994年1～4期题录索引...