无火焰原子吸收光谱测定二乙基锌中痕量杂质

了分析二乙基锌（ＤＥＺ）的一种方法。由于二乙基锌易自燃和易挥发，并且其杂质种类、形态不为所知，因而采用将二乙基锌离解成为水溶液，无火焰原子吸收光谱法测定其中Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｓｉ。检测限：Ｃｕ０．１０μｇ／ｇ，Ｇａ０．２０μｇ／ｇ，Ｍｇ０．９０μｇ／ｇ，Ｓｉ ０．８０μｇ／ｇ，变异系数１０％￣４０％。     

Ag／Si3N4纳米复合材料的电学性质研究

利用干压方法制得了０－７０ｖｏｌ％Ａｇ弥散的Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４纳米复合材料。借助于ＳＥＭ，ＥＤＳ和复阻抗谱等方法研究了Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的结构和反常电学性质。结果表明，纳米Ａｇ粒子以μｍ尺寸的团聚体形式存在于纳米Ｓｉ３Ｎ４基体中。     

二价离子替代的Nasicon及其应用研究

含二价阳离子的Ｎａｓｉｃｏｎ，Ｍ￣（２＋）Ｎａｓｉｃｏｎ（Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ）可由母体Ｎａ＿３Ｚｒ＿２Ｓｉ＿２ＰＯ＿（１２）（Ｎａｓｉｃｏｎ）为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。Ｘ射线衍射分析结果表明离子交换后的产物Ｍ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ大多保持原母体的Ｃ＿（２／ｃ）结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Ｎａｓｉｃｏｎ的电导率相差甚大。其中最好的是Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ，其电导率在４００℃时可达到１．４８×１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ。Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ用作微功率固态电池Ｍｇ／ＣｕＣｌ的电解质，该电池的开路电压为２．０７Ｖ，短路电流为１ｍＡ。平均放电电压为１．６Ｖ，电池的放电容量是３．４ｍＡＨ。     

复合型Si光电发射材料

采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，其最高灵敏度分别可达９５０，１０５０，１５０和２０００μＡ／１ｍ，其最低逸出功分别已达１．０，０．９，０．８５和０．９ｅＶ。比较了复合型Ｓｉ光电发射材料与Ｓｉ和Ｎａ＿２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的一些性能参数，提出了复合型Ｓｉ光电材料的表面原子模型；讨论了复合型Ｓ光电材料的光电发射过程并分析了碱锑过渡层的作用。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

炭／炭复合材料在1500℃的抗氧化

本文研究了Ｃ／Ｃ复合材料ＭｏＳｉ２涂层系统的抗氧化性能。结果表明，ＭｏＳｉ＿２涂层系统具有１５００℃长时间抗氧化和优良的抗热震性能，在１５００℃时，２４２ｈ的氧化失重仅为０．７５％；长时间的氧化失重速率稳定在２．４３×１０－５ｇ／ｍ２·ｓ的极低水平。     

Cu－Al_2O_3复合材料的制造工艺对组织、性能的影响

本文研究使用Ｃｕ－０．３ｌ％Ａｌ合金水雾化粉末，其粒度为７４μｍ以下（─２００目），进行内氧化处理得到Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３粉末，经等静压压坯→烧结→裸锭热挤压→冷轧工艺制造的材料密度为８．８ｇ／ｃｍ３，强度σｂ为６０８ＭＰａ，硬度ＨＶ为５２９ＭＰａ，电阻率ρ为２．２μｃｍ。对材料的金属膜电镜分析表明：组织中分布看γ－Ａｌ２Ｏ３微粒，它的平均尺寸１５０Ａ，微粒间距离约２００Ａ左右。     

纳米Au团簇在氧化钛修饰的介孔分子筛MCM-41中的组装

以钛酸丁酯为ＴｉＯ_２前驱体,使ＴｉＯ_２均匀分散于纯硅介孔分子筛ＭＣＭ－４１的介孔孔道内表面,利用ＴｉＯ_２光学性质将ＡｕＣｌ－４还原为Ａｕ（０）并组装于氧化钛修饰的ＭＣＭ－４１孔道中．对所合成的Ａｕ负载的氧化钛修饰的ＭＣＭ－４１进行了ＸＲＤ,ＸＰＳ,Ｎ_２吸附－脱附曲线,及固体ＵＶ－Ｖｉｓ漫反射等多种结构表征．由ＸＰＳ谱和固体ＵＶ－Ｖｉｓ漫反射吸收光谱的ｐｌａｓｍｏｎ吸收峰证明Ａｕ团簇呈现０价的金属状态．     

提高Si3N4抗氧化性能的陶瓷涂层

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在热压Ｓｉ３Ｎ４表面涂上一层ＳｉＯ２涂层，用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测了涂覆ＳｉＯ２后Ｓｉ３Ｎ４表面的组成，结果表明，在Ｓｉ３Ｎ４表面有ＳｉＯ２涂层存在，经涂覆 热压Ｓｉ３Ｎ４在１３０℃氧化１００ｈ后，氧化增重从未涂覆的０．４２ｍｇ／ｃｍ＾２降到０．２８ｍｇ／ｃｍ＾２。     

原位生长陶瓷相增强Al基复合材料的界面、微观结构及性能

本文对原位生长Ａｌ_４Ｃ_３与外加ＳｉＣ颗粒混杂增强Ａｌ（Ａｌ_４Ｃ_３·ＳｉＣ／Ａｌ）和原位生长Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＢ_２颗粒混杂增强Ａｌ（Ａｌ_２Ｏ_３·ＴｉＢ_２／Ａｌ）两种复合材料的界面、微观结构和性能进行了研究。原位生长陶瓷相在基体中呈均匀分布。Ａｌ_２Ｏ_３和ＴＩＢ_２为尺寸１０ｎｍ～２μｍ的颗粒，Ａｌ_４Ｃ_３为长度０．２μｍ，直径０．０２μｍ的棒状单晶体。原位陶瓷相和Ａｌ基体之间的界面是清洁的，不存在中间过渡层。Ａｌ_４Ｃ_３和Ａｌ之间可存在的取向关系．Ａｌ_２Ｏ_３和ＴｉＢ_２粒子与Ａｌ之间不存在取向关系。两种复合材料都表现出优于ＳｉＣ_ｗ／Ａｌ复合材料的强度。     

光电导型混晶Si1-xGex波导探测器

首次报导了光电导型混晶Ｓｉ－ｘＧｅｘ波导探测器。混晶Ｓｉ１－ｘＧｅｘ是在硅基ＳｉＯＮ／ＳｉＯ２／Ｓｉ上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经６５０℃退火３０ｍｉｎ得到的。探测器宽１０μｍ,长２ｍｍ。探测器加２０Ｖ偏置电压是,探测灵敏在０．０２２－０．０１０Ａ／Ｗ之间。混晶Ｓｉ１－ｘＧｅｘ造成探测器的光谱响应曲线发生蓝移。当锗组分ｘ＝０．３５、０．４、０．５、和０．６时,探测器峰值波长分别对应为８７５     

Fe73.5Cu0.8Nb2V1.2Si11.5B11新型纳米晶合金的研究

报道了Ｆｅ７３５Ｃｕ０８Ｎｂ２Ｖ１２Ｓｉ１１５Ｂ１１新型纳米晶合金的研究结果。透射电镜和穆斯堡尔谱研究表明，合金经８４３Ｋ，０５ｈ真空退火，形成由平均晶粒尺寸为１８ｎｍ左右的αＦｅ（Ｓｉ）相（～７８％）和剩余非晶组成的显微结构。合金的饱和磁感应强度为１４Ｔ，ｆ＝１ＫＨｚ时最大有效磁导率（μｅ）为７１８×１０－３Ｈ／ｍ，Ｐ１２／２ｋ２１ｋＷ／ｍ３，Ｐ１１／１０ｋ２１８ｋＷ／ｍ３，Ｐ０５／２０ｋ１５７ｋＷ／ｍ３，Ｐ０２／１００ｋ３００ｋＷ／ｍ３，矫顽力Ｈｃ≈１１Ａ／ｍ。合金具有明显的磁场处理效果，经纵向和横向磁场退火后，其Ｂ３０、α３０分别为１４４Ｔ，０９０和１３０Ｔ、０１。与Ｆｅ７３５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３５Ｂ９相比，由于用Ｖ代替了部分Ｎｂ，提高了熔体流动性，改善了快淬合金带材的机械特性，降低了成本。     

电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

电场对Au／SiO2及Au—Ag／SiO2表面结构与原子迁移特性的影响

利用扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）研究了ＳｉＯ２衬底上在外加直流电场作用下沉积的Ａｕ薄膜及Ａｕ－Ａｇ复层薄膜的表面形貌、结构变化及电迁移扩散行为。结果表明：①在衬底表面施加水平方向电场辅助沉积制备的Ａｕ薄膜其表面显示出平整的椭球形晶粒，并沿外电场方向呈织构取向。与未加电场的热蒸发沉积膜相比，具有较为均匀、有序的表面微观结构。②ＳｉＯ２表面Ａｕ－Ａｇ复层薄膜在直流电场作用下，Ａｕ，     

Al-12.6%Si薄带双辊快速凝固成形试验研究

运用双辊快速凝固方法将液态Ａｌ－１２．６％Ｓｉ合金直接制备成厚度为０．１￣０．５ｍｍ的薄带。介绍了这一方法的基本原理、特点和试验设备设计中的关键问题。辊面可控线速度Ｖｒ为２￣８．５ｍ／ｓ,薄带厚度正比于Ｖｒ＾－１／２。薄带组织为细小的初晶α－Ａｌ和极细小的（α－Ａｌ＋Ｓｉ）共晶体,塑性和抗拉强度得到明显改善．     

Au／Si3N4体系电迁移特性的ADXPS研究

运用变角Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜技术对沉积于Ｓｉ３Ｎ４衬底表面上的纳米级Ａｕ薄膜的电迁移特性进行了实验研究。结果表明：在电场作用下,薄膜表面的微观结构发生了变化,Ａｕ的晶粒趋向细化,膜层趋于均匀,表面粗糙度降低,电迁移过程中Ａｕ与衬底Ｓｉ３Ｎ４发生了界面化学反应,生成了Ａｕ的硅化物ＡｕＳｉｘ。     

Si基GaN上的欧姆接触

研究了Ｓｉ基ＧａＮ上的欧姆接触,对在不同的合金化条件下铝（Ａｌ）和钛铝铂金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Ａｌ／ＧａＮ在４５０℃氮气气氛退火３ｍｉｎ取得最好的欧姆接触率７．５＊１０＾－３Ω．ｃｍ＾２,而Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触在６５０℃氮气气氛退火２０ｓ取得最好的欧姆接触８．４＊１０＾－５Ω．ｃｍ＾２,而且Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触有较好的热稳定     

Au/Si3N4体系电迁移特性的ADXPS研究

运用变角Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜技术对沉积于Ｓｉ３Ｎ４衬底表面上的纳米级Ａｕ薄膜的电迁移特性进行了实验研究。结果表明：在电场作用下,薄膜表面的微观结构发生了变化,Ａｕ的晶粒趋向细化,膜层趋于均匀,表面粗糙度降低;电迁移过程中 Ａｕ与衬底 Ｓｉ３Ｎ４发生了界面化学反应,生成了 Ａｕ的硅化物ＡｕＳｉｘ。     

SiCw／Al－Li复合材料热挤压变形及其对组织和性能的影响

采用热挤压的工艺方法成功地对压铸态ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ复合材料进行二次加工，研究了挤压态复合材料的微观组织和性能。结果表明，ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ复合材料具有很好的热成形性能，挤压可有效改善复合材料的综合机械性能。     

论不锈钢容器中烘烤对出气率与抽速关系的影响

为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响，在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为１００℃和２５０℃烘烤的情况下，对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率ｑ（Ｔｏｒｒ，ｌ／ｓ，ｃｍ＾２）遵循指数规律：ｑ＝（Ｃｓ／Ａ）＾ｍ，其中，ｃ和ｍ（０〈ｍ〈１）为常数：Ｓ／Ａ为抽气参数，其定义为抽速Ｓ（ｌ／ｓ）与真空容器表面积Ａ（ｃｍ＾２）之比，Ｓ／Ａ的变化范围从２．４６×１０＾－５到１．２６