复合氧化物SrTiO3—TiO2氧敏材料的研究

将具有氧敏特性的ＳｒＴｉＯ３与ＴｉＯ２复合化，采用电子束蒸发方法，制备了ＳｒＴｉＯ２－ＴｉＯ２薄膜，研究了其氧敏特性。实验结果表明，复合氧化物ＳｒＴｉＯ３－ＴｉＯ２薄膜的ｎ－ｐ型转换点比ＳｒＴｉＯ３薄膜的ｎ－ｐ型转换点高，氧敏特性有所改善，从而提高了贫燃共氧灵敏度曲线的线性化。     

薄膜氧敏材料的特性研究

用电子束蒸发的方法制备了ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２及其按不同配比混合和掺杂的各种薄膜。对薄膜的结构和氧敏特性进行了研究，同时还研究了预烧结、掺杂等对薄膜氧敏特性的影响。实验表明，薄膜对氧气有良好的选择性和灵敏度     

TiO2:MgF2薄膜的湿敏特性

采用真空镀膜技术制备了TiO2MgF2薄膜湿敏元件,仔细研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.结果表明工作频率为100Hz时,该元件在全湿度范围内具有良好的阻抗-湿度特性,感湿特性曲线线性良好;元件具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点.     

TiO2纳米薄膜的制备与氧敏性能的研究

本文通过Sol-gel法在Al2O3基片上制得了TiO2纳米薄膜，经XRD分析，薄膜具有多晶结构，其主晶相为金红石，本实验还对TiO2薄膜的氧敏特性进行了研究，实验结果表明，TiO2纳米薄膜在800度下具有良好的氧敏特性和重复性，并且具有较快的响应速度。     

掺杂对TiO2湿敏薄膜特性的改进

采用真空镀膜技术制备TiO2与TiO2∶MgF2薄膜湿敏元件,仔细研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.结果表明:掺杂适量MgF2的TiO2∶MgF2薄膜湿敏元件,工作频率为100Hz时,在全湿度范围内具有良好的阻抗-湿度特性,感湿特性曲线线性良好;元件具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点.     

LaNiO_3纳米陶瓷薄膜氧敏特性的研究

以 L a(NO3) 3· 6 H2 O和 Ni(NO3) 2 · 6 H2 O为原料 ,采用柠檬酸为螯合剂 ,利用溶胶 -凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物 L a Ni O3纳米陶瓷薄膜 ,研究了薄膜的氧敏特性及烧成温度和掺杂对薄膜氧敏特性的影响     

厚膜ZrO2氧敏元件的制备及特性研究

本文报道了一种厚膜型ＺｒＯ＿２氧敏元件的制备工艺，研究了该元件的氧敏特性及稳定性．实验发现，该工艺制备的氧敏元件，对氧气具有较高的灵敏度和很好的选择性，且比较稳定．     

纳米级金红石型TiO2放大试验

以Ｈ２ＴｉＯ３为原料，经过ＴｉＯ（ＮＯ３）２水解的放大实验，制备了金红石型ＴｉＯ２纳米粒子，通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、透射电镜（ＴＥＭ）和比表面吸附（ＢＥＴ），对纳米粒子的结构、形貌、粒径进行了分析和表征，结果表明，粒子的平均粒径在１１ｎｍ左右，晶型为金红石型，粒子分布较松散，部分颗粒呈纤维状排列。     

金红石型二氧化钛纳米晶的制备

以TiCl4为原料，采用胶溶法制备出了具有金红石结构的纳米针状TiO2粉体，该针形晶体长约180nm，直径约30nm，讨论了反应时间、反应温度对TiO2粒子形貌的影响，并采用TEM和XRD等方法对晶体进行了表征。     

高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究

金红石单晶体经中子辐照后，不仅由无色透明变为深兰色，而且导电特性发生很大变化，且由高绝缘材料变为n型半导体，作者分别在低温、室温及高温下，研究了样品电阻随温度的变化关系，并在空气和真空气氛下，对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响。结果表明，金红石晶体经中子辐照后，在低温下具有典型的半导体导电特性；在高温下于空气中退火，样品会被逐渐氧化，最后变为无色的绝缘体；在10^-4Pa高真空气氛中退火，样品表现出点缺陷导电行为，且缺陷离子具有两个不同的激发能级（0.06eV和0.12eV)，分别对应子H^ 和Ti^3 ，且在整个过程中没有发现样品被氧化。     

金红石型纳米二氧化钛的制备

采用CO（NH2）2控制TiCl4的水解过程,在常温常压下制备出了纳米TiO2.经XRD表征所制产品晶相为纯金红石相,晶粒平均尺寸小于10 nm,并在此基础上探索了最佳制备条件.     

Si掺杂金红石TiO2光学特性的第一性原理研究

TiO2是一种重要的n型金属氧化物半导体功能材料。近年来的实验与理论研究表明,运用杂质掺入来减小TiO2禁带宽度是提高其活性的一种有效办法。本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法,从理论上研究了Si掺杂金红石相TiO2的电子结构和光学特性。通过能带结构、态密度及电荷布居的分析发现,Si原子的引入使Si-Ti的键长发生明显的变化,近邻氧原子有靠近硅原子的趋势而近邻钛原子有远离硅原子的趋势。半导体禁带宽度没有明显变化,但是禁带中产生了一个杂质能级,该杂质能级主要是由Si的3p电子和Ti的3d电子杂化引起的。因此,Si掺杂能使材料的宏观特性表现为电子激发能量减小,材料活性增强,响应可见光范围达到480nm左右。     

添质铝金红石(TiO2)单晶体焰熔法生长实验及机理

使用添加适量(原子分数为0 4%)Al2O3的金红石粉料,采用焰熔法成功地生长了尺寸为20mm×30mm的透明金红石单晶体,而采用相同工艺使用纯金红石粉料生长的晶体却是蓝黑色不透明的·添质铝在晶体生长过程中有如下作用:Al3 在晶体中取代Ti4 的位置,减少了氧的配位数,因而减少了晶体形成时对氧的需求,从而减少了由于Ti4 还原而形成的Ti3 和非本征氧空位的数量;由于Al3 半径小于Ti4 ,因此增加了正离子间距,使氧离子更易于迁移;形成添质后晶体的本征(固有)缺陷对Al′Ti V¨O,提供氧离子扩散通路·因此适量Al2O3的添加从宏观上增加了氧离子在晶体中的扩散速度,避免了大量色心的形成,从而在生长过程中可直接获得透明的金红石单晶体·     

液相合成金红石二氧化钛纳米晶的性能研究

采用低温陈化法和水热法制备了金红石型纳米TiO2晶体。利用TEM，XRD及BET等方法对纳米TiO2进行了表征，结果表明低温合成的纳米晶TiO2为针形聚集体，水热合成出的TiO2为纳米针。通过计算，不同条件下得到的产物的晶格参数及比表面有明显变化。     

浮区法制备金红石单晶及其光谱特性

采用锐钛矿型二氧化钛为原料, 通过浮区法制备金红石型二氧化钛单晶. 通过X射线衍射（XRD）和拉曼散射（Raman）测试, 对单晶体的结构进行表征, 表明晶体为典型的金红石相. 在Raman光谱中可观测B_1g(143 cm^-1),E_g(446 cm^-1),A_1g(605 cm^-1)和B_2g(826 cm^-1)4个Raman活性模, 并观测到可能属于2级Raman散射峰, 如273,316,327,519,700 cm^-1.     

焊接电流对钛型药芯焊丝熔滴过渡特性的影响

采用水中收集熔滴的试验方法,选用3种国产焊丝,分别研究了其焊接电流对钛型药芯焊丝熔滴过渡特性的影响。结果表明,焊接电流增大时,药芯焊丝的熔滴质量比增大、熔滴细化、平均质量减小;熔滴过渡频率增高,f曲线呈单调上升变化,3种焊丝增长速率大致相同。所试3种药芯焊丝均为钛型渣系,焊接电流变化时,熔滴过渡指数的变化有一定的差异,但总的趋势相同。同时还表明,熔滴过渡频率可能与药芯的种类及组成成分等因素也有一定的关系。这一结论对改进国产钛型药芯焊丝工艺性能将提供现实的参考价值。     

代县金红石矿矿石特征及应用前景分析

山西代县金红石矿是一个特大型金红石矿床,在对该矿床的矿石特征进行研究的基础上,分析了影响该矿康开发利用的各种因素．并对矿床的开发利用前景进行初步评价.     

金红石相纳米二氧化钛的制备

报道了一种制备金红石相纳米二氧化钛的新方法.即以四氯化钛作为原料,通过加入特殊的有机添加剂,利用简单的水解法,在较低温度下制备了金红石相纳米二氧化钛粒子.利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE SEM)及热重 差热(TG DTA)分析等方法对产物的形貌以及添加剂的用量和煅烧温度对产物晶相和粒径的影响进行了研究.结果表明,添加剂的用量对二氧化钛产物中金红石相的含量有显著影响,当添加剂的用量为0.5 g/mL水时可直接水解得到完全的金红石相;经过400 ℃的煅烧,即可得到结晶良好的金红石相纳米二氧化钛球形粒子,晶粒径约为40~50 nm.