程序控温吸附法对分子筛扩散性能的研究

提出了研究气体分子在沸石分子筛晶内孔中活化扩散的抛物线降温吸附法,经理论推导得到了计算晶内活化扩散动力学参数的基本公式,同时解决了降温过程中吸附动力学参数的计算问题。在前人工作的基础上,对研究多孔物质扩散性能的 TPD 公式加以改进,使其能够适于沸石分子筛的晶内活化扩散研究。对实际体系的研究结果表明:当采用抛物线降温吸附法对沸石分子筛进行研究时,可根据一次实验的数据,经一次回归计算得到气体分子在沸石分子筛晶内孔中的活化扩散动力学参数及吸附动力学参数,能够方便地进行活化扩散及吸附的研究,并可结合 TPD 数据进一步说明扩散和吸附所具有的特性。     

晶化时间及母液循环对SAPO-34分子筛合成的影响

以二乙胺为模板剂采用传统水热法制备SAPO-34分子筛,研究了不同晶化时间下分子筛晶体结构与形貌的变化.以X射线衍射仪(XRD)与扫描电镜(SEM)测试结果确定最佳产物并回收所得晶化母液.以此为初始凝胶环境,在不添加有机模板剂的条件下补充原料制备SAPO-34分子筛.确定了最佳晶化时间,并对两种合成方法所得最佳产物进行...     

电场诱导下Ag+在碲酸盐玻璃中扩散与析晶研究

纳米晶掺杂光学玻璃材料在信息技术领域具有广泛的应用前景.在热处理过程中,利用直流电场引导外源金属离子扩散进入玻璃基片,进而控制金属纳米晶体在玻璃基体中的生长.研究了直流电场诱导热处理工艺对Ag+在铌碲酸盐玻璃基片中的扩散与析晶机理,结果发现与直流电场相匹配的热处理工艺既可控制Ag+扩散与银纳米晶体生长同步完成,又可控制2种过程分布进行.电场诱导热处理工艺可望成为一种纳米晶掺杂玻璃材料的制备新工艺.     

ZSM-5/KL复合分子筛的形貌控制及轻烃芳构化性能

以ZSM-5分子筛为基体,采用分级晶化方式合成ZSM-5/KL复合分子筛。通过调控晶化时间、晶化温度和晶化级数等合成因素控制复合分子筛的合成过程及形貌,并利用X射线衍射(XRD)、N2吸附脱附、扫描电镜(SEM)等技术对样品进行表征,采用正戊烷芳构化反应考察复合分子筛的催化性能。结果表明,不同的晶化方式对复合分子筛的形貌具有明显影响。与单级晶化方式相比,多级晶化方式可有效调控壳相L纳米晶体在ZSM-5晶粒表面的生长和形貌,并促进核壳型复合分子筛的生成。反应实验结果表明,与混晶型复合分子筛相比,核壳型复合分子筛具有更好的芳构化性能。     

扩散控制的强制性枝晶凝固

本文对SCN基模型合金和金属合金Al—Cu进行了强制性枝晶生长的实验研究,测量并讨论了枝晶端部温度、枝晶端部溶质成分和有效溶质分配系数及其变化规律。分析了强制性枝晶生长过程的扩散传输,指出强制性生长动力学机制受控于枝晶端稳定性行为。实验结果进一步揭示了强制性枝晶凝固的规律。     

铝钎焊接头中Cu的腐蚀与扩散行为

应用X射线衍射仪、扫描电镜和能谱分析仪，研究了Al-Si-Cu钎料中Cu在真空钎焊接头中的腐蚀与扩散行为，研究结果表明，真空钎焊后的接头仍然存在腐蚀问题，如点蚀和晶间腐蚀等，并且随关ω（Cu）的增加腐蚀加重，Cu在钎焊接头中以晶界扩散为主，且晶界扩散比晶内扩散快。     

钴同晶取代磷酸(硅)铝分子筛的表征

对钴同晶取代磷酸(硅)铝分子筛的表征进行了综述,主要是关于如何判断骨架掺杂成功以及钴离子的掺杂位置、掺杂价态、所处的微环境以及掺钴磷酸(硅)铝分子筛性质(如酸性和氧化还原活性位)等方面的表征,涉及X射线衍射、紫外可见光谱、电子顺磁(自旋)共振谱、核磁共振、X射线吸收谱、程序升温技术和红外光谱等手段在钴同晶取代的磷酸(硅)铝分子筛表征中的应用。     

储粮中CO2气体的扩散特性及霉菌活动监测研究

将一定量高水分粮食作为模拟霉变点,按照试验的需要埋设在模拟储藏粮堆内,研究霉菌生长产生CO2气体在粮堆中的扩散特性,探索利用气体扩散规律监测储粮霉菌活动的可能性.结果表明:CO2气体可在粮堆中快速扩散,高温能进一步提高扩散速率,30℃比15℃试验组扩散400 mm的速率高58％;霉变发生部位的CO2气体浓度显著高于相隔一定距离检测点的CO2浓度(P＜0.05),但两点间不同浓度CO2气体的扩散比值没有显著差异(P＞0.05);在敞口储藏状态下,粮堆表面CO2气体散失量较大,检测靠近粮堆表层的CO2气体浓度难以准确反映粮堆的霉菌活动状况.CO2气体在粮堆水平方向的扩散具有向底部沉降的特性,可重点在粮堆的中、下层设置气体检测点,以便灵敏、可靠地监测储粮霉菌的危害.     

气体渗硼层孔洞成因探讨

渗层易产生孔洞,是长期困扰气体渗硼发展的主要问题之一。本文通过对渗硼孔洞的电子探针扫描和气体渗硼的热力学分析证实:在BCl_3+H_2渗硼气氛中,孔洞主要是由Fe-Cl产物组成,气氛中的残留H_2O、O_2加剧了产物的形成。严格控制气氛中残留H_2O、O_2含量不仅可有效地防止孔洞的形成,而且可大幅度降低BCl_3用量。此外还讨论了B.Cl_2的扩散特点及温度对孔洞形成的影响。     

沸石分子筛吸附和扩散性质的研究进展

简述了沸石分子筛的结构组成,介绍了分子筛的性能。综述了物质在沸石分子筛中吸附与扩散的表现,列举了主要分子筛吸附性能与扩散系数的测量方法,介绍了不同类型分子筛的吸附扩散。在目前的研究中,每种测定沸石分子筛吸附性能的方法都有一定的适用条件,每种测定分子筛扩散系数的方法由于测量机理、边界条件与假设条件的不同,所得的扩散系数也有差异,要根据实际实验情况来选择适当的测量方法,不同分子筛适宜吸附的底物也不同,具有不同的应用价值。     

技术扩散场技术扩散状态模型的理论研究

为研究技术扩散和吸收的运行机制,借用场的概念,提出技术扩散场的技术扩散思想,试图为研究技术扩散提供一种理论和方法。在系统地分析国内外有关技术扩散研究成果及发展趋势的基础上,对技术扩散场系统进行定义,建立了技术扩散场理论,在此基础上,详细分析了技术扩散的动力和影响技术扩散的因素。将影响技术扩散的主要因素加以抽象,建立了技术扩散场的三维空间坐标,为技术扩散设定了扩散的空间。建立了技术扩散场的技术扩散状态模型,该模型描述了技术扩散场处于静态场状态时技术扩散的扩散状态过程。在技术扩散场中,随影响因素的变化,技术扩散的规律遵循技术扩散状态模型。     

技术创新扩散场——技术创新空间扩散研究的一种新方法

在继承以往空间扩散研究成果的基础上,将系统论、场论的研究思路与方法,引入技术创新扩散领域,提出了研究技术创新空间扩散的一种新方法。同时,在定义技术创新扩散场的基础上,探讨技术创新空间扩散的梯度、散度及吸引力的规律性,得出了有益的结论。     

Diffusion welding of SiCp/2014Al composites using Ni as interlayer

SiCp/2014Al composites were bonded with the vacuum diffusion welding technique using Ni as the interlayer metal. Ni and Al were interdiffused and there were intermetallic compounds formed in the inter transition layer, which was composed of Ni3Al//NiAl//NiAl3. The relation between the diffusion distance and the element concentration was calculated according to Fick＇s second law. The relations of the diffusion concentration and the diffusion welding technique parameters were calculated.     

一类创新产品扩散模型的稳定性分析

在考虑存在竞争产品、周期广告投入、产品使用寿命及兼顾市场价格对创新产品市场最大潜力的影响基础上,建立了一类新的技术创新扩散微分动力学速度模型.根据微分动力学系统稳定理论,对该微分动力学模型进行了稳定性分析.发现在满足一定的条件下,该技术创新市场扩散量会存在至少一个周期解,并在一定条件下是全局稳定的.     

扩渗工艺参数对纯镁表面渗锌合金化的影响

对纯镁进行了表面渗锌处理,研究了扩渗温度及扩渗时间对于合金化渗层组织、相结构及反应层连续性的影响.研究结果表明:扩渗温度的选择有一个合适的范围:温度过低,Zn元素原子的能量达不到其激活能,不能产生活性原子,扩渗速度太慢,扩渗过程无法进行;扩渗时间的延长会促使Zn的进入量和金属间化合物的生成量增加,最终使固溶层和反应层获得一定的厚度.要形成一定厚度的反应层,扩渗温度的应控制在400-420℃,相应的扩渗时间为8h以上.     

扩散过程的元胞自动机模拟

以元胞自动机为研究方法,通过编写Matlab程序,以演化示意图的形式,模拟了圆域内的扩散过程,给出了累积演化率曲线．同时,用微积分的方法,解析了该扩散过程,并结合实例与元胞自动机方法对比．研究证明．元胞自动机可以生动形象地模拟扩散过程,且与微积分得到的结论一致．     

半刚性基层内水气扩散影响因素

为从水气角度量化沥青路面水损害提供理论依据,探究半刚性基层内水气扩散的影响因素,通过理论推导确定材料厚度和温度条件这两个主要影响因素,设计试验装置和试验方案,探究材料厚度和温度条件对半刚性基层内水气扩散的影响规律。研究结果表明：半刚性基层内水气扩散与其两侧相对湿度差无关,与温度因素和厚度条件相关;水气扩散通量随着材料厚度增大而逐渐减小,且减小趋势逐渐减缓,而水气扩散系数随着材料厚度增大而增大,且增大趋势逐渐减缓,这说明材料厚度增大会在一定程度上阻碍半刚性基层内的水气扩散;水气扩散通量随着温度增大而增大,且增大趋势逐渐加剧,而水气扩散系数随着温度增大而增大,且增大趋势逐渐加剧,这说明温度增大会为水气扩散提供更多的能量,加剧水气在半刚性基层内的扩散。     

球铁与铜扩散接合的研究

采用自制的小型真空扩散接合装置,进行了球铁与铜扩散接合试验研究。系统研究了工艺参数对接合质量的影响,分析了中间垫片在接合过程中的作用,对试样的预处理、接合区的原子迁移行为也进行了研究。镍箔是球铁与铜扩散接合理想的中间垫片;试样表面预处理对接合质量有重要影响。     

扩散过程的元胞自动机模拟

以元胞自动机为研究方法,通过编写Matlab程序,以演化示意图的形式,模拟了圆域内的扩散过程,给出了累积演化率曲线.同时,用微积分的方法,解析了该扩散过程,并结合实例与元胞自动机方法对比.研究证明,元胞自动机可以生动形象地模拟扩散过程,且与微积分得到的结论一致.     

硅掺杂半导体立方氮化硼单晶的制备

本文采用扩散的方法实现了立方氮化硼的硅掺杂,分析了扩散温度、时间对其电阻的影响.实验结果表明:在扩散的初始时段,立方氮化硼的电阻下降很快;而随着掺杂时间的增加,电阻变化趋缓,说明掺杂浓度随时间增加将出现饱和现象.另外,当扩散温度增加时,立方氮化硼的电阻也随之下降,即较高的温度有利于获得较高的掺杂浓度.