光导器件及其背景限探测度

本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。     

光导器件及其背景限探测度

光导器件及其背景限探测度梁宏林，朱惜辰（昆明物理研究所昆明６５０２２３）碲镉汞（ＭＣＴ）作为红外热象仪探测器的优选材料，于６０年代初就开始为人们所发现。６０年代末，就有高性能的ＭＣＴ红外探测器研制成功，随之，多元ＭＣＴ红外探测器，ＭＣＴ焦平面器件都有...     

集成光导器件的新发展

单模光纤的好处虽早为人们所了解,但因技术上的困难,致使目前的光纤通信系统,仍用多模光纤。近年来对几种重要器件的研究有了新的突破,特别是集成光导器件和次微微秒脉冲发生器的研制成功,使单模光纤通信有了极美好的前景。本文先讲有关的物理效应,其次介绍调制器、开关、耦合器、滤波器、微微秒脉冲发生器等新发展的器件。所包括的内容并不全面,只不过用以引起这方面工作者更大的兴趣。     

薄膜光导—电致发光记忆器件

交流薄膜电致发光(ACTFEL)器件的固有记忆特性,驱使人们试图研制高信息容量的显示器。然而最近较为深入的研究表明,这种记忆效应存在着严重的稳定性和重复性问题。最近法国的P.Thioulouse等人报道了一种称之为薄膜光导(PC)—EL器件的新型记忆EL结构。这种器件的记忆效应由     

红外探测器件

本专利讲述热释电红外探测器件的一种制造方法。本方法的特点是:用掺有红外吸收材料的有机薄膜涂覆在去掉了衬底的热释电薄膜器件的一面上,这样即可获得具有抗机械冲力、灵敏度高、使用方便的热释电红外探测器件。本方法的工艺过程如图示:用     

红外探测器件

美国专利US7312450 (2007年12月25日授权)本发明提供一种可在保持性能的同时降低功耗的红外探测器件。该器件由一个热释电元件、一个I/V转换电路、一个电压放大电路、一个探测电路、一个输出     

碲镉汞光导器件振动噪声

利用振动台和频谱分析仪对碲镉汞中波光导器件的噪声进行了研究.随机振动的实验结果表明,振动环境中测量到的噪声随着随机振动功率谱密度的增大而线性增加,其比例系数是分段的,当振动功率谱密度小于0.01 g2/Hz,为32μVHz0.5/g2,大于0.01 g2/Hz,为80μVHz0.5/g2.对实验结果进行了初步分析,认为振动能量以一定的内耗系数转化为热能,以声子的形式在碲镉汞材料内传递,改变了晶格振动的能级,影响了材料的散射特性,从而影响器件的输运特性、电阻率等电学特性,产生了附加的振动噪声.     

光导锑化铟器件典型样品特性分析

本文对近-40℃温度下工作于3～5μm波段的四元串接使用的光导锑化铟器件典型样品进行了特性测试分析。给出了器件信噪比及暗阻随工作温度的变化、信噪比随器件偏置的变化及器件的噪声频谱曲线。并进行了简要的分析,对器件的制作和使用具有一定的指导意义。     

硫化铅光导器件探测度的电场调制

本文报导了硫化铅光导绝缘栅场效应晶体管的实验结果。它采用栅电极实现探测度的调制。加上一个负的栅电势便可耗尽n型PbS薄膜载流子,探测度提高200倍,而噪声则不变。在180°视场、300°K背景中,取得2×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦的探测度(173°K、500赫)。发现在实验室环境条件下经过18个月之后,这种器件仍具有高稳定的工作特性,性能没有发生显著的变化。这些器件只须抽一次真空就可完全用真空淀积方法制成,各种导电、绝缘和半导体薄膜,依次通过精密对准的金属掩模沉积。     

后表面对光导器件性能的影响

本文导出了更普遍的■_λ及D_λ~*公式。推导中取消了α→∞及τ_n=τ_p的条件,且考虑了后表面反射的影响。本文用得到的公式计算了后表面对Hg_(1-x)Cd_xTe光导器件的影响,结果既不同于Szmulowicz,也不同于Kruse。     

碲镉汞光导器件的电学参数

本文从材料不均匀性和表面影响的角度探讨x=0.27的碲镉汞红外光电导器件芯片的电学参数可设计性差的原因。     

高Al组分AlGaN及其光导器件

在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了掺Si的n型Al0. 45 Ga0. 55N外延层,透射光谱表明材料对280nm以前紫外光显著吸收;双晶摇摆曲线表明材料存在大量缺陷。用此材料制作了光电导探测器,结合材料讨论了持续光电导效应的产生机理。     

红外辐射探测器件

本发明提供一种用于从红外辐射中产生图像的红外辐射探测器件,该探测器件包括许多个极性热探测器(2),这些极性热探测器都具有特定的电阻,它们分布在探测模块的焦平面上。读出模块(8)将电信号转换成图像处理部分可以使用的信号。电信号补偿模块(10)包括两个分路,     

红外探测器件的发展

红外辐射探测器已有一百多年的发展史，近代发展尤为迅速．1）红外探测器分做热敏和光电两大门类热敏型探测器有经典的温差热电偶和气动的高雷管属，此外还有热敏电阻．热敏电阻可以用金属、超导体、半导体、金属氧化物半导体、铁电半导体等固体材料制成．其中用氧化铝等陶瓷器件性能稳定，价格低廉；碳和半导体锗、硅及超导测辐射热计的探测率高，响应速度快，但只能在深低温下工作．利用三甘氨酸硫酸盐等铁电晶体的宏观自发极化现象制成的热释电红外探测器室温工作，又有较高的探测率和响应速度，使用很广．光电器件有所谓"外光电"和"内光…     

红外探测器件的制作方法

本专利提出一种制作红外探测器的新方法,即后划线制作法。使用这种方法制作多元半导体器件时,先用粘着剂把多元半导体,如HgCdTe薄片,粘结在具有绝缘性能的衬底上,靠光蚀法在HgCdTe薄片上作一层规定图案的光至抗蚀剂膜,然后用腐蚀液和浓硫酸把无光致抗蚀剂地方(如图2的5所示)的HgCdTe薄片,以及它下面的粘着剂去掉,使衬底的表面暴露出来,然后再进行其他加工工艺,以做成红外探测器。     

多元光导碲镉汞器件超声焊接工艺

本文通过超声楔焊过程,理论分析了塑性变形和界面的切向移动是提高焊接质量的两个主要因素,根据上述两方面因素,结合我们目前的多元光导碲镉汞器件流程中半过渡延伸电极形成区焊区的特点,提出了适合该工艺压焊区薄膜的最佳厚度在500nm以上,膜层要有良好的欧姆     

碲镉汞光导器件的交叠结构与性能

光数载流子扫出效应是限制碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）光导器件性能提高的重要因素之一。交叠结构的光导器件能有效地消除少数载流子扫出效应，就结构的尺寸问题，进行了理论分析和实验，实验结果与理论符合，器件呼应率有较大的提高。