一种高线性度的2.4 GHz CMOS功率放大器设计

为了满足目前物联网低成本、低功耗与较高线性度的市场应用需求,提出了一种高线性度的2.4 GHz功率放大器(PA)。该功率放大器为两级结构,为了提高增益的同时保持较低的静态功耗其驱动级采用了电流复用两级共源放大结构,并且使用了两级失真抵消的方法减小了晶体管跨导非线性的影响,同时采用二极管线性化偏置来补偿寄生电容非线性导致的增益压缩现象。该功率放大器采用0.18μm CMOS工艺,后仿真结果表明,在2.4 GHz工作频率下,该PA小信号增益为30 dB,输出1 dB压缩点为22 dBm,静态功耗为53 mW,功率附加效率峰值为31%。     

一种应用于2.2GHz的射频功率放大器设计

采用Cree公司提供的CGH40010F GaN高电子迁移率晶体管(HEM T)作为有源器件,设计了一款工作在2.2 G Hz的射频功率放大器.利用ADS软件对功率管的偏置电路进行设计的仿真,利用阶跃式匹配方法扩展了带宽,通过对功率管寄生参数的仿真,有效地提高了功率附加效率(PA E).仿真结果表明,在2.1 GHz～2.3 GHz的频率范围内,小信号S21增益为12.03 dB～12.77 dB,大信号输出功率为40.17 dBm,功率附加效率达到61.3％.达到设计指标的要求.     

基于开关多模式的Doherty射频功率放大器设计

在工作频率为2.4 GHz的背景下,基于所设计的Doherty功率放大器,设计了一种改进的多模开关控制和包络跟踪调制的Doherty功率放大器。设计中使用的电子管是Renesas的GaAs晶体管NE6510179A。设计的Doherty峰值输出(32.0 dBm)时功率附加效率达到27.2%,回退6 dB时的功率附加效率为27.0%。在与搭建的包络跟踪模型级联改进后,新结构对低输出功率的功率附加效率有一定程度的改善,在中高输出功率部分的线性度有较大的改善。     

高效率高谐波抑制功率放大器的设计

介绍了一种对功率放大器高次谐波处理的方法,该方法通过在输出低通匹配网络中引入多个LC谐振网络来对功率放大器产生的谐波能量进行回收,抑制了负载处的谐波分量,同时也提高了功放的效率.利用该方法采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个供电电压为5V、工作于2 GHz频率的功率放大器.测试结果表明,该功率放大器的增益为35 dB,饱和输出功率为35.2 dBm,效率为48％,2次到5次的谐波分量分别为:-53 dBc、-58 dBc、-65 dBc、-60 dBc.     

L波段5W InGaP/GaAsHBT功率放大器

InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器。在VCC=5 V,ICC=300 mA下,频率1 59-1 62 GHz范围内,小信号增益大于39dB,输出功率大于38 dBm,附加效率大于55%,1d B压缩功率大于37dBm,1 dB压缩功率下的效率大于50%;采用PI/4QPSK调制信号,频率间隔21 6kHz和滤波器滚降系数0.35,在调制输出功率为36dBm下,其EVM指标小于5%,第一临道抑制比小于-27dBc。该放大器可应用于通信等领域。     

动态偏置射频宽带功放设计

射频宽带功率放大器是目前功率放大器的主要发展趋势。为了提高射频宽带功率放大器的增益平坦度与效率,采用推挽结构LDmos晶体管,使用ADS软件对动态偏置电路和匹配电路进行仿真设计。详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法。实现了多倍频程带宽、确保带内增益平坦、提高功率附加效率。仿真结果表明该功率放大器对于100MHz~400MHz的信号,在整个输入功率变化范围内,功率附加效率（PAE）与传统的功放相比提高了5~15%左右。     

E类射频功率放大器设计

基于0.18μm CMOS工艺,采用包含增益驱动级在内的两级电路结构,设计了一个工作频率为2.4GHz的E类开关模式功率放大器,并实现了全片集成.电路通过负载牵引技术获得最佳输出负载,在2V电源电压下经ADS2005A仿真,当输入信号功率为-10dBm时,获得约21.5dBm的输出功率,功率增益为31dB,功率附加效率达到57.69%的较好结果.     

DC到2.6GHz硅基MMIC放大器

本文采用基于硅基的：BiCMOS工艺设计制作了一款带宽为DC到2．6GHZ的低噪声、高增益MMIC放大器。该放大器为了实现从DC到2．6GHz的带宽，保证有足够的增益和理想的增益平坦度，采用了负反馈结构，两级级联，并选用了一种结构新颖的微波晶体管。该放大器具有功率增益高、频带较宽、噪声系数较小的特点。在仿真过程中其3dB带宽约3GHz，增益为26．6dB(1．5GHz时)，1dB压缩点输出功率约为1dBm；样品的实测结果为3dB带宽约2．6GHz，增益为26dB(1．5GHz时)，1dB压缩点输出功率约为1dBm。     

飞思卡尔推出首款2W功率放大器

<正>可为单个5 V器件提供频率范围、增益和功率特性,实现了一个设备覆盖1 500 MHz² 700 MHz频段射频功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体公司日前推出首款2 W集成式功率放大器,采用5 V电源,可提供超过40 dB的增益,可覆盖1 500 MHz2 700 MHz频段射频功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体公司日前推出首款2 W集成式功率放大器,采用5 V电源,可提供超过40 dB的增益,可覆盖1 500 MHz² 700 MHz的所有频段。该组件可支持在该频率下运行的任何蜂窝标准,其中包括GSM、3G、4G和LTE。     

S波段E类功率放大器的设计

开关模式E类功率放大器的理论效率可达100%,可用于天气雷达发射机系统中。采用GaN HEMT器件,设计了一个在2.8 GHz频点下的E类功率放大器,输出功率达到40 dBm,PAE为67%,增益为13 dB。此外,设计的微带负载网络对谐波进行了有效抑制。