半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压，并研完了该电压与器件结构参数之间的关系，给出了降低器件功耗的方法。     

功率RMOS器件的优化设计

从ＲＭＯＳ器件的导通电阻模型出发，通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系，得出：减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度，可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压；反之，器件的导通电阻和反向耐压增加。同时，浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明，条形结构优于元胞结构。     

CSSPD型固体放电管及其应用

本文扼要介绍了新一代防雷电涌保护器件－ＣＳＳＰＤ型固体放电管的一系列独特优点、工作特性、电学参数和应用实例。     

分布式多元胞集成半导体放电管的设计与工艺

介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。     

一种多胞微波GaAs MESFET制作技术及其沟道电流模型

介绍了单管 ５ Ｗ 大栅宽多胞微波砷化镓 Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性,并结合器件结构特点和 Ｉ Ｖ 特性,建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型,最后与实验测试数据比较,其拟合度优于常规模型的拟合度。     

一种多胞微波GaAsMESFET和技术及其沟道电流模型

介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和Ｉ－Ｖ特性,建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型,最后与实验测试数据比较,其拟合度优于常规模的拟合度。     

高压RESURF LDMOST的开态电阻与关态电压

降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优化设计深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。     

VDMOS功率器件开关特性研究

本文详细分析了线性负载ＶＤＭＯＳ功率器件的开关特性，得到了开关时间与栅输入电容及器件跨导、测试（工作）电流及电压的关系，并以方形原胞为例，指出了在设计和工艺上提高开关速度的途径。     

提高半导体放电管抗浪涌能力的研究

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件，抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制，讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响，指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温，从而提高了器件的抗浪涌能力。     

氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性

一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其内烁噪声进行测量，将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能谱进行比较发现，器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低，相长时间吸杂则噪声趋势，探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明，器件的低频噪声是由载流子对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面陷阱的热激发造成的，而背面吸杂则导致Ｓｉ－ＳｉＯ２的应力衰竭，进而改变了截面陷阱的能量分布。     

半导体浪涌保护器基区参数探讨

讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度，着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系，指出控制基区宽度，可有效地提高器件的浪涌能力，降低静电电容和开通电压     

改进SSPD浪涌吸收能力的工艺研究

介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下,提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明,关键是减少基区总宽度,而在制备工艺中设法减少基区少子寿命的衰减也是有效措施之一。     

Investigation of the surge characteristics of power rectifiers and thyristors in large-area press packages

The effects that packaging has on thermal cycling of large-area rectifiers and thyristors in both steady state and surge operation are investigated. A comparison between theoretical and experimental data on forward drop and temperature rise in surge tests are given. A theoretical study is then presented which shows the effects of package variations on device ratings and the size of thermal excursions. The study shows that significant improvements in both steady state and surge device properties can be achieved through advances in packaging techniques.     

某配电装置雷电故障原因分析及解决方案

通过一个实例分析在一个电源系统中进行雷电试验时出现的故障问题,通过在电路保护中浪涌试验等级要求,计算保护器件所需满足的基本性能参数,并根据计算结果对TVS管的选型以及TVS在电路中的应用详细分析,提供了电路设计中应对浪涌试验一个理论计算与实践器件选型的完美解决方案。     

半导体放电管定量自动注胶装置设计

半导体放电管是一种瞬态过压保护器件,广泛应用于通讯、铁路等行业。为了提高半导体放电管注胶工艺的自动化水平,给出了一种半导体放电管定量自动注胶装置的设计。该装置能够按需调节供胶量,供胶过程中能够自动去除绝缘胶中所混有的气泡,并具有注胶装置自动清洗的特点。该装置的设计解决了半导体放电管涂胶工艺中的关键性技术难题,实现了不同规格放电管的定量自动注胶。     

半导体放电管的短路点设计

本文主要讨论了电话系统电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路的设计方法，以及阴极短路点结构对某些器件参数的影响。     

防雷隔离器在雷达终端上的应用

终端系统作为雷达的重要组成部分,在受到雷电浪涌的危害时,会使得部分对外接口电路损坏,造成系统无法正常工作。为避免这一问题,文中综合利用电源、地线隔离、继电器隔离保护、压敏电阻、电压抑制二极管和信号光电隔离方法设计的防雷隔离器,有效地抑制了雷电浪涌,对终端系统对外接口电路起到了较好的保护作用。并通过工程试验,验证了该防雷设备的有效性。     

10 A～2 kA智能化浪涌电流测试仪

介绍了整流二极管智能化浪涌电流测试仪的技术指标和工作原理,以及依照中国整流二极管浪涌电流测试的国家标准,并为适应国外厂商对该指标的特殊要求,由单片机及D/A和A/D转换器组成智能化控制系统。介绍了两种浪涌电流波形的产生、波形的个数、浪涌电流值的设置,并对被测整流二极管经浪涌电流测试后的实际电流波形和电流值等技术参数进行设计、检测和数据处理,在仪器面板上以数字显示出实际浪涌电流值,最后提供了测试方法及误差分析。实践证明,它是一种测量整流二极管有关技术参数的经济实用的新一代专用测试仪器,已获得实际应用。     

4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究

通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜（High-Resolution Transmission Electron Microscopy ,简称HRTEM）研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Schottky ,简称JBS）在反向浪涌电压应力作用下的失效机理;进而重点研究了结终端扩展区（Junction Termination Extension ,简称JTE）的长度、深度和掺杂浓度对该器件反向浪涌峰值电压（Maximum Surge Peak Reverse Voltage ,简称VRSM）的影响,并结合JBS的基本结构对其进行优化设计;最后,流片测试显示优化设计的4H-SiC结势垒肖特基二极管的VRSM值约为1450V,比原器件提升了20%左右。