Co(OH)2晶体吸收光谱的研究

采用点电荷模型, 以平均共价因子N作为拟和参量, 并用Bkq作为晶场参量, 运用配位场理论和完全对角化方法对Co(OH)2晶体的吸收光谱重新进行了理论计算. 同时对其光谱首次进行了识别, 并从理论上解释了所测Co(OH)2晶体的吸收光谱.     

NH4ZnPO4: Mn2+晶体的g因子和零场分裂的理论研究

采用半自洽场3d轨道模型、点电荷模型和平均共价因子模型,计算了NH4ZnPO4：Mn^2＋晶体中Mn^2＋电子顺磁共振的g因子和零场分裂参量D、E．计算结果显示D、E的理论值和实验值（D=176×10^-4cm^-1、E=58×10^-4cm^-1）符合得很好,并分析指出了g因子的反常．     

Ti3+:ZrSiO4中Ti3+中心g因子研究

锆英石(ZrSiO4)的热膨胀系数和导热系数较低,抗震性能和化学稳定出色,近年来,逐渐受到人们的重视.通过引入平均因子和3d1电子在D2d晶场的g因子公式,研究了Ti^3 :ZrSiO4中Ti^3 中心EPRg因子,得到的结果与实验值基本稳合.     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d^7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co^2＋杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。计算中，不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应，而且考虑了3d^7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应，与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到。在考虑了键长与键角的微弱畸变后，理论计算值与实验观测值符合较好。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

SrLaAlO4:Co2+的四角场分裂及双中心跃迁的研究

联系SrLaAlO4（SLA）晶体的结构数据，在立方场和四角场下对SrLaAlO4:Co^2 晶体的能级进行了计算，得到了与实验符合很好的理论计算值。由四角场下的计算结果，我们重新对光谱进行了识别。我 们的计算结果验证了Aleshkevych等关于18830cm^-1是一条双中心跃迁的猜测，同时也纠正了他们关于这一双中心跃迁的错误识别。     

SrAl_(12)O_(19):Mn~(2+)晶体的吸收光谱及g因子的理论研究

本文引入平均共价因子, 采用点电荷模型, 对SrAl12O19:Mn2+晶体的吸收光谱及因子进行理论研究, 计算结果表明理论值与实验值符合较好. 其次, 利用=110时g因子的实验值, 得出了键长随温度变化的关系.     

Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

ZnSe:Co2+的光谱研究

联系ZnSe晶体的结构数据，在立方场下对ZnSe：CO2＋的能级进行了计算，对光谱进行了识别，得到了与实验值符合很好的理论计算值．同时通过计算，纠正了Hwang等人对19724cm-1附近三条光谱的错误识别．     

FeSO4.4H2O晶体吸收光谱的研究

FeSO4 4H2O晶体是一种重要的单晶,在光学方面具有很大应用潜力,关于FeSO4 4H2O晶体吸收光谱的研究对其应用具有重大的促进作用．本文引用平均共价因子N,在考虑电子静电相互作用和立方晶场的作用下,通过完全对角化的方法对FeSO4 4H2O晶体的吸收光谱进行计算及对实验结果的一些主要吸收峰进行识别．结果表明计算结果与吸收光谱的实验值符合的比较好．     

在绿柱石晶体中掺入Fe^3＋的吸收光谱研究

绿柱石是一种结构较复杂的硅酸盐矿物,其晶体结构中Al^3＋可以被Fe^2＋,Fe^3＋等取代,对这种晶体的吸收光谱的研究有助于认识绿柱石晶体的结构,从而更好的使这种晶体得到应用．本文引入平均共价因子Ⅳ,在立方晶场下考虑电子静电相互作用,通过完全对角化的方法对掺入Fe^3＋的绿柱石晶体的吸收光谱进行理论计算,并对实验结果中吸收峰进行了识别．结果表明,实验与理论符合的比较好．     

ZnGa2Se4:V3+ 光谱的理论研究

应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B00的条件下, 分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响, 因此不能忽略.     

低温燃烧技术合成钴掺杂镓酸镁锌复合尖晶石材料

采用Mg(NO3)2·4H2O,Ga(NO3)3·6H2O,Zn(NO3)2·6H2O,CO(NH2)2,NH4NO3及Co(NO3)2·6H2O等为原料,于500℃利用低温燃烧技术成功获得了一系列钴掺杂镓酸镁锌复合尖晶石材料。采用X-射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、F-4500型荧光分光光度计对样品进行分析表征。结果表明,所得产品不是MgGa2O4和ZnGa2O4的简单混合物,而是一种新型的固溶体材料。ZnxMg1-xGa2O4:Co2+(0≤x≤1.0)晶体的晶格常数与掺杂比例x之间存在比较好的线性关系。合成的晶体结晶度高,排列较规整。发射光谱的形状和位置分析表明,可见光区670 nm附近的强发射峰源于四面体位中Co2+的4T1(4P)→4A2(4F)能级跃迁;近红外区的弱发射峰源于四面体位中Co2+的4T1(4P)→4T2(4F)能级跃迁。     

新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:EU3+,Si4+,Ti4+的合成及性能表征

采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征.结果表明:Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的晶体结构与Gd2O2S相同,为六方晶系.颗粒的形貌为类球形.Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的激发光谱呈250～400 nm宽带状,激发光谱主峰位于365 nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3+的5DJ(J=0,1)→7FJ(K=0,1,2,4)跃迁.最强的发射峰为627 nm和617 nm,均属于5D0→7F2跃迁,且627 nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si4+和Ti4+离子的共掺杂可显著延长样品Cd2O2S:Eu3+的余辉时间.     

Nd:YVO4激光晶体Raman光谱的两种分析方法的比较

根据商群对称性分析法和位置群分析法分别对Nd :YVO4 (简称NYV)晶体的Raman光谱做了理论计算 ,得到了不同的结果 .运用实验的手段 ,根据Raman谱线的数目判定商群对称性分析法符合实际 ,同时判定NYV晶体原胞中应含有 4个NYV分子式