共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
《固体电子学研究与进展》2004,24(1):F003-F003
宽带GaAs MMIC功率放大器在电子系统和微波通信中得到广泛应用。南京电子器件研究所最近研制成一种2~6GHz宽带功率放大器,具有比较优异的性能。 相似文献
3.
本文介绍了6 ̄20GHz微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标:工作频率6 ̄20GHz,1dB压缩输出功率≥18dBm,增益≥28dB,输入输出驻波比≤2.0:1,噪声系数≤4.0dB,增益平坦度≤±2.0dB。 相似文献
4.
着眼小型化、大功率,对宽禁带半导体中的GaN功率器件的宽带内匹配技术进行了研究.基于国产的GaN功率器件,采用切比雪夫宽带匹配理论,研制了一款工作频率覆盖2 GHz~6 GHz的宽带功率放大器,在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性.测试结果表明在漏源电压为36 V,连续波条件下,在2 GHz~6 G... 相似文献
5.
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款6~27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用预匹配电路降低带内低频段的增益,将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络,将GaAs PHEMT的栅极等效电容和漏极等效电容加入匹配电路中,缩小了宽带功率放大器MMIC的尺寸。在片测试结果表明,该放大器MMIC在6~27 GHz内,增益大于23 dB,增益平坦度约为±0.8 dB,饱和输出功率大于20.9 dBm。放大器MMIC的工作电压为4 V,电流为125 mA,芯片尺寸为1.69 mm×0.96 mm。该宽带功率放大器MMIC有利于降低宽带系统的复杂度和成本。 相似文献
6.
6~18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一款采用三级拓扑结构的6~18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片.放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率.经匹配优化后放大器在6~18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 w,对应的功率附加效率为21%... 相似文献
7.
运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6~18GHz频段内,平均输出功率Po为33dBm,功率增益Gp在22~24dB之间,功率附加效率PAE在23%~28%之间,输入输出端口电压驻波比VSWR<1.8,稳定性判断因子K>1(在5~19GHz内)。 相似文献
8.
宽带 Ga AS MMIC功率放大器是雷达及微波宽带测试中的关键部件 ,在有关电子系统和微波通信中得到广泛应用。南京电子器件研究所最近研制成功的 7~ 1 8GHz宽带大功率放大器 ,具有比较优异的性能。该宽带单片功率放大器采用 76mm、0 .5 μmPHEMT MMIC工艺线完成。放大器的拓扑结构采用两级有耗匹配方式 ,双路信号在片内用 Lang桥直接合成 ,体积较小 ,从而实现高增益、大功率。宽频带大信号模型的建立是其中的关键 ,利用微波在片测试系统结合模型提取软件进行非线性模型的提取 ,并利用负载牵引系统对提取的模型进行验证、优化。利用… 相似文献
9.
10.
11.
2~6GHz单片功率放大器 总被引:8,自引:0,他引:8
报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0~ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出功率为 1~ 1.4 W,功率附加效率大于2 0 %。该宽带单片功率放大器在 76mm Ga As单片 MMIC工艺线上用全离子注入、0 .5μm栅长工艺研制完成 ,电路芯片面积为 0 .1mm× 2 .6mm× 2 .7mm。 相似文献
12.
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ~4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8~4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41% ~62%. 相似文献
13.
SiC宽带功率放大器模块设计分析 总被引:1,自引:1,他引:0
功率放大器是射频前端中的关键部件,宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅(SiC)宽禁带功率器件,利用ADS仿真软件,依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真,制作了500~2 000 MHz波段宽带功率放大器,并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的,SiC宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。 相似文献
14.
15.
阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5~3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5~3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%~65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性. 相似文献
16.
本文介绍了6~20GHz微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标: 工作频率6~20GHz, 1dB压缩输出功率≥18dBm , 增益≥28dB, 输入输出驻波比≤2.0∶1, 噪声系数≤4.0dB, 增益平坦度≤±2.0dB 相似文献
17.
宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多,具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带功率放大器的应用。本文基于GaN功率管的大信号仿真模型,采用宽带匹配技术进行功率管的匹配电路设计。通过ADS软件仿真和优化,设计了一款工作在0.5-4GHz宽频带范围的功率放大器。仿真结果显示,在0.5-4GHz内,功率附加效率(Power added efficiency, PAE)超过60%,增益大于11dB,增益平坦度为±1.5dB,且端口驻波性能良好,满足了发射机系统的要求。 相似文献
18.
19.
20.
针对5G移动通信系统n1,n2,n40和n41频段,基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)工艺,设计了一款工作在1.8~2.7 GHz的宽带高增益功率放大器。该功放采用并联式负反馈的三级放大结构。为了拓展电路的工作带宽,一方面,第二、三级级间匹配采用片上变压器,并将单端信号转换为差分信号;另一方面,输出匹配网络采用片外变压器,实现阻抗变换和功率合成。实测结果表明,室温下所实现的宽带功率放大器在1.8~2.7 GHz全频段内小信号增益不小于32 dB,饱和输出功率大于31.9 dBm,饱和工作效率大于28%。输入4G-LTE 20 MHz的调制信号,当放大器的输出功率为22 dBm时,全工作频段邻近信道功率比(Adjacent Channel Power Ratio, ACPR)小于-39 dBc。1 dB压缩点输出功率在1.9,2.3和2.6 GHz三个工作频点实测均大于30.7 dBm。 相似文献