稀土离子在LiYF4晶体中的有效分凝系数

在CF4气氛中成功地生长出高质量的掺三价稀土离子的LiYF4晶体,测试了16种稀土离子LiYF4晶体中的有效分凝系数,三价稀土离子在LiYF4晶体中的有效分凝系数随离子半径变化是有规律的,离子半径小于Y^3 的稀土离子的有效分凝系数都大于1,离子半径大于Y^3 的稀土离子的有效分凝系数小于1,并且后者随离子半径增大而单调减小,这种变化规律主要与离子进入晶体后对晶胞的畸变作用有关。     

Mg:Ho:LiNbO3晶体的生长及其激光性能

在生长LiNbO3的熔体中掺进1%(摩尔分数,下同)的Ho2O3和分别掺入1%,4%,5%MgO,用提拉法生长Mg:Ho:LiNbO3晶体.测量了晶体的光谱性能和抗激光损伤能力.结果表明:5%Mg:1%Ho:LiNbO3晶体红外光谱的OH-吸收峰移到3 534 cm-1;晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上.随着Mg:Ho:LiNbO3晶体中Mg2 浓度的增加,吸收光谱中吸收边连续紫移;Mg:Ho:LiNbO3晶体最强的跃迁光谱项为3I8→5G6,对应的吸收波长为459nm,是最佳泵浦波长.晶体的荧光光谱表明:Mg:Ho:LiNbO3晶体较易实现激光振荡的是4S2→5I8和5I7→5I8跃迁,对应的发射波长分别为546nm和2011nm,选用波长为620nm的激光激发Mg:Ho:LiNbO3晶体,由其上转换荧光光谱得到波长为523nm的荧光,实现了红绿光的转换.     

Mg:Er:LiNbO3晶体的生长和抗光损伤性能

在1％(摩尔分数,下同)Er：LiNbO3中分别掺入2％,4％,6％的MgO,用提拉法生长Mg：Er：LiNbO3晶体。用X射线荧光光谱仪测试Mg：Er：LiNbO3晶体中Mg和Er的分凝系数。采用m线法研究Mg：Er：LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值。结果表明：随着Mg^2 浓度的增加,Er^2 在LiNbO3中的分凝系数下降。6％Mg：1％Er：LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值比1％Er：LiNbO3基片提高2个数量级以上。采用锂空位模型讨论Mg：Er：LiNbO3晶体光损伤阈值提高的机理。     

In∶Ho∶LiNbO3晶体的生长及抗光损伤性能

在同成分铌酸锂(LiNbO3)晶体中掺入1%(摩尔分数,下同)Ho2O3和分别为0,1%,3%,5%的In2O3,采用提拉法生长In∶Ho∶LiNbO3晶体.测试晶体的紫外-可见吸收光谱、双折射梯度和抗光损伤能力.结果表明:随着In∶Ho∶LiNbO3晶体中In3+含量的增加,吸收谱中吸收边连续紫移;5%In∶1%Ho...     

Mg：Mn：Fe：LiNbO3晶体永久性全息存储研究

在Mn：Fe：LiNbO3中掺进6％MgO(康尔分数)采用Czochralski技术生长Mg：Mn：Fe：LiNbO3晶体。晶体在Li2CO3粉末中经500℃下24h的还原处理和在Nb2O3粉末中经1100℃下10h的氧化处理。晶体的测试结果表明，Mg：Mn：Fe：LiNbO3晶体的抗光散射能力比Mn：Fe：LiNbO3晶体提高1个数量级以上。采用He—Ne激光作为记录光，紫外光作选通光，用双光子法测试Mg：Mn：Fe：LiNbO3晶体二波耦合衍射效率。双光子稳态衍射效率为ηo＝52％，固定衍射效率为ηG=29％，记录时间为40min，记录速度比Mn：Fe：LiNbO3晶体提高3倍。对记录光、选通光的作用和三掺杂Mg：Mn：Fe：LiNbO3晶体双光子全息存储的机理进行研究。     

掺Nd系LiNbO3晶体的生长及外泵浦位相共轭激光器的特性

用提拉法生长Nd:LiNbO3(Nd:LN),In:Nd:LN和Ce:Nd:LN晶体.测试晶体的紫外-可见吸收光谱和抗光损伤能力.结果表明:Nd:LN晶体的吸收边相对同成分纯LN晶体向长波方向移动;In:Nd:LN晶体的吸收边相对Nd:LN晶体向短波方向移动;Ce:Nd:LN晶体的吸收边向长波方向移动.In:Nd:LN晶体的抗光损伤能力比Nd:LN晶体的提高1个数量级以上.以掺Nd系LN光折变晶体为位相共轭镜,He-Ne气体为激活介质,构成外泵浦位相共轭激光器.实验表明:掺Nd系LN晶体外泵浦位相共轭激光器的输出特性稳定,In:Nd:LN晶体的输出光强比Fe:LN晶体的提高了近1个数量级.     

Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体永久性全息存储研究

在Mn∶Fe∶LiNbO3中掺进6%MgO(摩尔分数)采用Czochralski技术生长Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.晶体在Li2CO3粉末中经500 ℃下24 h的还原处理和在Nb2O3粉末中经1 100 ℃下10 h的氧化处理.晶体的测试结果表明,Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的抗光散射能力比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高1个数量级以上.采用He-Ne激光作为记录光, 紫外光作选通光, 用双光子法测试Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体二波耦合衍射效率.双光子稳态衍射效率为η0=52%, 固定衍射效率为ηG=29%, 记录时间为40 min, 记录速度比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高3倍.对记录光、选通光的作用和三掺杂Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体双光子全息存储的机理进行研究.     

Mg∶Er∶LiNbO_3晶体的生长和抗光损伤性能

在1%(摩尔分数,下同)Er∶LiNbO3中分别掺入2%,4%,6%的MgO,用提拉法生长Mg∶Er∶LiNbO3晶体。用X射线荧光光谱仪 测试Mg∶Er∶LiNbO3晶体中Mg和Er的分凝系数。采用m线法研究Mg∶Er∶LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值。结果表明:随着Mg2+浓 度的增加,Er3+在LiNbO3中的分凝系数下降。6%Mg∶l%Er∶LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值比l%Er∶LiNbO3基片提高2个数量级以 上。采用锂空位模型讨论Mg∶Er∶LiNbO3晶体光损伤阈值提高的机理。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体生长及其存储特性的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺入ＣｅＯ２和Ｆｅ２Ｏ３，生长Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体，对该晶体进行氧化，还原处理，可有效地改变晶体中不同价态离子的相浓度，改善晶体的光折变性能，该晶体具有良好的全息存储性能，以Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息存储元件，实现了光学实时全息关联存储。     

In离子在掺杂LiNbO3晶体中的占位研究

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In^3 的掺入量低于阈值3％(摩尔分数)时,In离子占据NbLi^4 位;在掺入量高于阈值3％时,In^3 占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In^3 掺入量高于阈值3％时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级。通过In^3 的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。     

双掺锌钕铌酸锂激光晶体光学特性的研究

采用提拉法在优化条件下生长锌钕双掺的铌酸锂晶体。Nd2O3和ZnO的掺入量分别为0.2％和6％(in mole)。提拉速度为1 mm/h,旋转速度为20 r/min,生长的晶体尺寸为φ30 mm×40 mm。晶体的红外光谱测试表明,Zn:Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸收蜂发生了劈裂,在3 483 cm-1和3 530 cm-1形成吸收,而Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸收峰在3 483 cm-1处形成吸收。通过光斑畸变法测得Zn:Nd:LiNbO3晶体的光折变阈值强度为1.82×104W/cm2,比Nd:LiNbO3晶体的1.62×103W/cm2高1个数量级;采用逐点扫描的方式测得Zn:Nd:LiNbO3晶体双折射梯度为3×10-5cm-1。,比Nd:LiNbO3晶体的双折射梯度6×10-4cm-1小1个数量级。用合适的泵浦光测试了晶体自倍频性质,在150℃时当泵浦脉冲光能为40 mJ时,晶体的自倍频输出光能为35μJ。     

Co2+,Zn2+双掺杂铌酸锂晶体的坩埚下降法生长及其光谱特性

在LiNbO3中掺入0．1％（摩尔分数．下同）的CoO与3％,6％的ZnO,采用坩埚下降法技术生长了双掺杂的Co^2＋：Zn^2＋：LiNbO3晶体。用X射线衍射与差热分析表征了获得的晶体。测定了晶体不同部位在350～2500nm波段的吸收光谱。研究表明：Co离子位于LiNbO3晶体的崎变的氧八面体中,呈现＋2价,沿着生长方向Co^2＋在晶体中的浓度逐渐减少。ZnO的掺杂有效地抑制了Co^2＋离子在晶体中的掺入,使得Co^2＋在晶体中浓度的分布变得均匀。同时发现：ZnO的掺入使得上部晶体的熔点升高。从化学组分的角度解释了产生熔点变化的原因。观测到了750nm波长的荧光发射带。[编者按]     

Zn:Fe:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其成分研究

通过优选合适的化学原料，用坩埚下降法生长出了无宏观缺陷的Zn：Fe：LiNbO3(Zn：Fe：LN)单晶。生长的工艺参数是：用微凸生长界面生长，生长速度为1～3mm／h，温度梯度为20～30℃／cm。用X射线衍射及DTA对晶体进行了分析；测定了晶体的吸收光谱。结果表明：所有Zn：Fe：LN晶体中的Fe^2 浓度沿生长方向增加；掺杂3％ZnO(摩尔分数)的Zn：Fe：LN单晶中的Fe^2 浓度沿生长方向的变化量比掺杂6％ZnO的大。从坩埚下降法的温场特点、晶体的热处理过程、环境气氛，以及ZnO组分对Fe离子的排斥作用解释了产生Fe^2 离子浓度变化的原因。     

电荷补偿对ZnO:Eu~(3+)材料荧光性能的影响(英文)

采用机械力固相化学反应法制备了含3%Eu3+(摩尔分数,下同)ZnO:Eu3+(ZnO:3%Eu3+)发光材料,研究了ZnO:3%Eu3+发光材料的激发与发射光谱,以发射光谱的主峰(λem=611nm)作为监控波长,其激发光谱的主峰对应λem=465nm,分析了ZnO:3%Eu3+材料的发射峰强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂浓度的变化规律。结果表明:随电荷补偿剂含量增大,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度均出现先增大后减小趋势,但在不同电荷补偿剂下,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度最大处对应的电荷补偿剂含量不同,此时对应的Li+,Na+和K+的摩尔分数分别为1%,0.75%和0.70%。     

In:Mn:Fe:LiNbO3晶体非挥发性全息存储

在Mn：Fe：LiNbO3（Mn：Fe：LN）中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In：Mn：Fe：LN晶体。测试了晶体的红外光谱,发现：3％In：Mn：Fe：LN晶体OH吸收峰位置移到3506 cm^-1。用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明：In：Mn：Fe：LN晶体抗光致散射能力比Mn：Fe：LN晶体提高1～2个数量级。探讨了In：Mn：Fe：LN晶体OH吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理。以He—Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光．In：Mn：Fe：LN晶体中Mn：Fe：LN和1％In：Mn：Fe：LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储。射效率。研究了In：Mn：Fe：LN晶体的双光子全息存储机理。一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以用双光子固定法测量了In：Mn：Fe：LN晶体的二波耦合衍射效率。研究了In：Mn：Fe：LN晶体的双光子全息存储机理。     

Hf:Fe:LiNbO3晶体的全息图像热固定及存储寿命

在生长LiNbO3溶体中掺入2%(摩尔分数)HfO2和0.05%(质量分数)Fe2O3,采用提拉法技术生长2%Hf0.05?:LiNbO3晶体.对晶体进行极化后切割成片,再进行氧化和还原处理.进行了HfFe:LiNbO3晶体全息图像热固定实验,加热温度为120℃,加热时间为40 min,经过显影,在热定影实验中获得200h的无损读出结果.以Hf:Fe:LiNbO3晶体作为存储介质,进行热固定衰减时间、存储寿命τ0测试.结果表明:Hf:Fe:LiNbO3晶体中Fe离子激活能Ea=1.125 eV;τ0=6.1×109s;20℃下衰减时间为115年,比Fe:LiNbO3的衰减时间(5.2年)长20倍.     

In:Fe:LiNbO3晶体的生长及其在全息关联存储中的应用

用提拉法生长1％（摩尔分数,下同）In ：Fe ：LiNbO3（LN）,2％In ：Fe ：LN,3％In ：Fe ：LN和Fe ：LN晶体,配料中掺入0．03％（质量分数）Fe2O3。采用光斑畸变法测试晶体的光损伤阈值。结果表明：1％In ：Fe ：LN和2％In ：Fe ：LN晶体的光损伤阈值比Fe ：LN晶体高1个数量级以上。3％In ：Fe ：LN晶体的光折变阈值比Fe ：LN晶体高2个数量级以上。晶体的位相共轭效应测试结果表明,1％In ：Fe ：LN晶体的位相共轭反射率（R1=185％）高于3％In ：Fe ：LN晶体（R3=120％）。以3％In ：Fe ：LN晶体作为存储元件,1％In ：Fe ：LN晶体作为位相共轭镜．进行全息关联存储实验．其再现图像清晰完整,噪音小。     

Tm3+/Ho3+共掺碲酸盐玻璃中Tm3+交叉弛豫主导的2.0μm发光特性

研究了不同摩尔分数Tm3 掺杂下Tm3 /Ho3 共掺碲酸盐玻璃在2.0μm处的发光特性.此发光包括两个过程:Tm3 之间的交叉弛豫过程;通过Tm3 与Ho3 之间的能量转移,将能量传递给Ho3 而使Ho3 跃迁至5I7能级上产生布居,当Ho3 跃迁回基态时则发出波长为2.0μm的光.计算了Tm3 的交叉弛豫速率,并根据速率方程分析了Tm3 的交叉弛豫机理.结果表明:随着Tm3 浓度增加,交叉弛豫逐渐增强;2.0μm处发光的强度逐渐增强.证明了在Tm3 /Ho3 共掺情况下,2.0μm处的发光强度取决于Tm3 的交叉弛豫强度.