钨酸铅(PbWO4)晶体的发光均匀性研究

通过对下降法生长的全尺寸钨酸铅（PbWO4）晶体沿长轴方向不同点的透过率和光产额的测量、分段晶体的透过率和光产额的测量,研究了钨酸铅晶体的发光均匀性及其影响因素。结果表明：钨酸铅晶体发光均匀性主要由生长后期的钨酸铅晶体质量所决定,采用晶种为大头的加工取向有利于提高钨酸铅晶体的发光均匀性。     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究进展

钨酸铅(PWO)晶体由于自身特点:高密度(8.28g/cm~3)、短辐射长度(0.87cm)和Moliere半径(2.12cm)、快的闪烁衰减时间((?)<50ns)以及较强的抗辐照损伤能力,已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一,作为一种良好的闪烁晶体,PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶体的结构、发光机制、自身缺陷、晶体生长的研究现状,着重阐述了生长工艺改善和离子掺杂改性对钨酸铅晶体性能的影响,分析了PWO晶体的发展前景。     

CsI(Tl)晶体发光均匀性的研究

本文对Tl分布、几何形状以及表面条件对大尺寸锥形CsI（Tl）晶体的闪烁发光均匀性的影响进行了研究,提出了改善大尺寸锥形CsI（Tl）晶体的发光均匀性的措施.     

Mo^6＋，Gd^3＋，PbF2组合掺杂对钨酸铅发光的改善和光谱分析

坩埚下降法生长了（Mo^6＋、PbF2），（Mo^6＋、Gd^3＋），（PbF2，Gd^3＋）组合掺杂，及PbF2单掺杂钨酸铅晶体，对样品进行了吸收光谱、光产额、x射线和紫外激发发光光谱等测试和表征，讨论了掺杂对钨酸铅发光的增强效果。掺杂钨酸铅总发光额都得到了增强；在门宽100ns内晶体的光产额都有提高，但在测试门宽在200ns内，（Gd^3＋、PbF2）掺杂样品光产额有所下降。x射线激发发光显示，PbWO4：（Mo^6＋、Gd^3＋）的蓝发光和绿发光分量都有提高；PbWO4：（Mo^6＋、PbF2）蓝发光受到拟制，提高了绿发光成分，晶体光学吸收边明显红移。PbWO4：（Gd^3＋、PbF2）蓝发光得到增强，绿发光得到一定的拟制。光致发光光谱分析表明，Gd^3＋掺杂对PbWO4基质发光有敏化作用。实验证实，F在PbWO4生长中非常不稳定，显示很差的掺杂均匀性。     

钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究

采用提拉法生长出直径 2 0 -2 5mm,长 2 5-3 0 mm优质 Pb WO4及 La3 +、Mg2 +、Mo6+和 Bi3 +掺杂 Pb WO4晶体。测试了晶体的 X射线衍射谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对 Pb WO4晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响 ,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。     

Ta：PbWO4晶体闪烁性能的研究

报道了在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｔａ２Ｏ５生长Ｔａ：ＰｂＷＯ４晶体的研究结果。测定了核晶体的透过率、发光效率和抗辐照损伤能力，研究和探讨了Ｔａ：ＰｂＷＯ４晶体闪烁性能增强的机理。     

PbF2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段,测试了用Ｂridgman方法生长的ＰbF2:Gd晶体中Ｇd离子沿生长方向的分布。发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇd在ＰbF2晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明ＰbF2:gD晶体的发光是不均匀的。这种不均匀性源于Ｇd离子在ＰbF2晶体中的分布不均匀性,通过在ＰbF2:Gd晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Ｇd离子在ＰbF２晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Ｎa离子的均匀化效果为最好,推测Ｎa离子的作用是消除了ＰbF2:Gd晶体中因子Ｇd离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低。     

大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体的坩埚下降法生长工艺，讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施，成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体，尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时，对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试，结果表明，坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体 具有较好的光学均匀性．     

钨酸铅晶体的发光光谱及辐照诱导色心的研究

概要介绍了纯钨酸铅晶体和不同掺杂钨酸铅晶体发光光谱及辐照性能的研究结果．测量了晶体的光致发光和辐射激发发光光谱,比较了辐照诱导色心的密度和辐射发光光谱之间的关系．详细分析了钨酸铅晶体辐照诱导色心密度的分布,根据辐照诱导色心模型,计算了色心的能量及分布．     

PbF_2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段,测试了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中Ｇｄ离子沿生长方向的分布．发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇｄ在ＰｂＦ２晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的发光是不均匀的,这种不均匀性源于Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的分布不均匀性．通过在ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Ｎａ离子的均匀化效果为最好．推测Ｎａ离子的作用是消除了ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中因Ｇｄ离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低．     

钨酸铅PbWO4闪烁晶体缺陷研究进展

本文介绍了近年来钨酸铅晶体缺陷研究方面的进展，这些结果表明了在钨酸铅晶体闪烁性能研究中考虑晶体缺陷影响的重要性。根据钨酸铅晶体的特点，就闪烁性能与非化学计量配比、晶体结构／多型性、杂质效应以及氧组份等因素的关系进行了简略的讨论。     

掺镁PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的秀经和发光效率高于ＰｂＷＯ４晶体。     

钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体研究进展

钨酸铅（ＰｂＷＯ４）闪烁晶体是拟使用于西欧大型强子对撞机（ＬＨＣ）中精密电磁量能器量有希望的候选者，本文概要介绍了近年来国际上对于钨酸铅晶体的研究进展。包括它的闪烁性能、发光机制、辐照硬度和杂质效应等。本文最后列出了欧洲核子研究中心（ＣＥＲＮ）的ＣＣＣ组最近对７５根大尺寸ＰＷＯ晶体综合测试的统计结果。这有助于建立批量生产ＰＷＯ晶体的质量监控方法。     

大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体的坩埚下降法生长工艺,讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施,成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体,尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时,对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试,结果表明,坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体 具有较好的光学均匀性．     

可调缺陷层等离子体光子晶体的滤波特性分析

等离子体光子晶体中引入另一种缺陷等离子体层,构成一种新的等离子体光子晶体滤波器.在不需改变等离子体光子晶体几何外形尺寸的情况下,通过改变缺陷等离子体层的参数,实现缺陷等离子体等效折射率改变,使等离子体光子晶体缺陷层的谐振频率发生偏移,实现了滤波器的可调谐特性.数值模拟中采用时域有限差分算法,计算了电磁波通过等离子体光子晶体的透射谱.结果表明通过调控缺陷层等离子体参数,使缺陷层的谐振频率发生偏移,从而实现等离子体光子晶体可调滤波特性.     

聚丙烯酸钠或聚甲基丙烯酸调控下合成特殊形貌的PbWO4晶体

以聚丙烯酸钠（PAANa）或聚甲基丙烯酸（PMAA）为模板,Na2WO4为沉淀剂,在Pb（NO3）2溶液中合成具有特殊形貌的PbWO4晶体。PAANa、PMAA或PbWO4的浓度改变时,PbWO4晶体的形貌都将发生较大的变化。PbW04的浓度为0．0500mol／L时,PbWO4晶体为宝塔形;PAANa浓度增大后,PbWO4晶体变为枣核形;PMAA取代PAANa后,PbWO4晶体可变为有四条楞的枣核状晶体,但PbWO4晶体的晶型都没有改变。