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Al-Si-Sn三元合金精炼方法能够显著提高太阳能级多晶硅的提纯产率,但添加的金属Sn与Si难以分离的问题限制了它的实际应用。选用SnCl2(60g/L)作为电解液,Al-Si-Sn合金(58.14%(原子分数)Al-31.86%(原子分数)Si-10%(原子分数)Sn)作为阳极,高纯Sn(99.99%)作为阴极,在室温下进行恒电流沉积实验。通过讨论电流密度、电解液pH值、沉积时间、搅拌速度等参数对电流效率及Sn沉积层形貌的影响,优化电解回收金属Sn实验工艺。研究结果表明,在室温下,当磁力搅拌速度为800 r/min,电流密度为0.4~0.5 A/cm2,沉积时间为3~6 min,pH值为3~4时,电流效率达到最大值。 相似文献
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区域熔炼制备高纯铟的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以精铟为原料,采用区域熔炼方法提纯金属In,研究平衡分配系数、区熔速度及区熔次数对铟提纯效果的影响。结果表明,Ni、Cu、Ag、As、Fe、Zn通过区域熔炼有较好的去除,而Cd、Sn、Pb脱除效果较差;在熔区速度3.5 mm/min,10次熔融,可得到铟的纯度为99.9991%。结合真空蒸馏提纯铟的实验结果,采用真空蒸馏-区域熔炼的方法能获得更高纯度的金属In。 相似文献
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采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的InI多晶进行提纯, 探索高纯、单相InI多晶的制备工艺。通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜以及电感耦合等离子体原子发射光谱仪对水平区熔提纯前后的InI多晶的晶格结构、形貌组分以及杂质浓度进行了表征。结果表明, 经过水平区熔提纯后的InI多晶晶格结构完整, 质量较高, 晶格参数为a=0.476 nm, b=1.278 nm, c=0.491 nm, 与理论值十分接近; In、I化学配比得到了有效调节, 其化学配比接近理论化学配比1: 1; 中间产物含量及杂质浓度显著降低。以提纯后InI多晶为原料, 用提拉法生长出的InI单晶电阻率达到1010 Ω·cm。 相似文献
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日本和韩国把全球稀缺矿产资源——铟,列为战略矿产资源储备。而我国作为世界铟生产和出口大国,却对铟产业的发展不够重视。我国铟产业结构不合理,铟生产集中度低,开采加工过程中资源浪费严重,加之铟企业竞相压低价格出口,致使出口定价权长期被日本等消费国家控制,我国铟产业发展陷入日本等国家设计的“低水平发展循环陷阱”。因此,很有必要通过采取加强对铟资源保护、加大对铟产业技术的研发投入、建立我国铟资源的战略储备和商业储备、国家出台一系列相互配套的鼓励政策等对策,来支持我国铟产业健康快速发展。 相似文献
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研究了氟化物体系熔盐电解制备金属钕的过程中,熔盐配比及加料速度对氧化钕利用率的影响.结果表明,控制适宜的熔盐配比和加料速度,可将氧化钕的利用率提高到约104%,产品一次合格率达到97.2%以上. 相似文献
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冶金级硅氧化精炼提纯制备太阳能级硅研究进展 总被引:4,自引:1,他引:3
综述了目前冶金级硅氧化精炼制备太阳能级硅的研究进展,详细介绍了熔渣精炼、吹气氧化精炼和热等离子体精炼的方法和装置以及杂质的去除效果。研究发现:上述氧化精炼方法对硅中杂质元素Al、Ca、Cu、B、P等具有很好的去除效果;熔渣和吹气氧化精炼对Fe不明显,须借助于定向凝固方法才能彻底的去除;吹气氧化精炼和等离子体精炼对硅中B的去除效果十分明显,可使其降低至0.1ppmw以下,这为当前冶金法提纯制备太阳能级硅在技术和工艺上提供了很好的思路;通过氧化精炼,硅中杂质元素完全可以达到太阳能级硅的要求。本文提出,吹气氧化精炼(或等离子体精炼)与定向凝固精炼联合使用并形成规模化和连续化精炼装置是加快我国太阳能级硅产业化进程最切实可行的办法和措施。 相似文献
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为了解决用生产工序少、成本低的钛焊接阴极辊电解生产铜箔出现的周期性色差问题,对钛焊接阴极辊焊缝施加变形量为55%~60%,60%~70%,70%~80%的加工变形,变形后在T1,T2,T3温度下进行热处理,最终在金相显微镜下观察母材及焊缝的显微组织,评定组织的晶粒等级.结果表明,经60%~70%和70%~80%加工变形后,再在T1,T2,T3温度下进行热处理均可明显改善焊缝的粗大组织,其中7号工艺方案(60%~70%加工变形,T3温度热处理)可使焊缝组织与母材组织最接近,晶粒度仅相差0.5级.用于生产电解铜箔,铜箔无周期性色差. 相似文献
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在333K、pH=3.5~4.5、频率为40kHz的超声波条件下通过改变电流密度和电解液浓度,得到超声电解法制备超细钴金属粉体粒度的变化规律。研究了在电解过程中加入明胶和十二烷基硫酸钠分散剂对钴粉粒度的影响。在0.08mol/L CoCl2电解液,电流密度160mA,1v01%十二烷基硫酸钠分散剂,电解时间1h实验条件下得到了D50粒度为0.72μm的钴超细粉体。 相似文献