热等离子体反应器中不同几何形状基体上的金刚石沉积

研究了大气压强ｄｃ热等离子体射流反应器中工艺参数对金刚石膜没积的影响,估计了两种不同的先质注入系统,逆流注入和侧面注入,发现使用乙醇时本质流率大大影响晶体尺寸和晶体生长平面的取向,而且,发现尖边缘的晶体尺寸比平表面的晶体尺寸大４倍,也研究了基体几何形状对沉积的金刚石的形态和面积的影响,这项研究结果表明,ｄｃ热等离子体射流提供高的金刚石沉积率,例如在金属丝和钻头上就是那样,尽管晶体尺寸和膜厚度有显著     

用于微波等离子体沉积金刚石薄膜的UHV反应器的设计

已建造了一个ＵＨＶ兼容沉只系统，用地通过２．４５ＧＨｚ微波等离子体化学气相沉积生长金刚石薄膜。这个系统包括一个负载锁定装置和一个球形沉积室。在该室中加热的１００ｍｍ直径的基处处一暴露于反应等离子体环境，设计设置了一些孔，以便利用椭圆率测量术，发光光谱测定法，质谱测定法和激光反射测定法进行原位监测。也可以供后面附加的如ＸＰＳ的分析室之用。     

用于金刚石沉积的一种简单微波等离子体源

我们描述一各上简单的为等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜而建造的微波等离子体源。用700W 民用微波炉磁控管，把微波功率输进一个用水冷却的圆柱形不锈钢真空容器中。把放进容器中的甲烷／氢气混合气，通过微波激发来产生一个界面清晰、不与容器壁发生相互作用 的等离子体球。它在容器中的位置，可以通过轴向电场分布的冷腔计算来预测。该容器有几个不改变共振条件的诊断口。金刚石沉积在各种基片上。其片位于等离子体球下而在石墨盖顶的石英支架上。本文介绍和讨论了某些结果。     

感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究

采用感应耦合等离子体源 (ICPS)成功地实现了化学气相沉积硬质类金刚石 (DLC)膜 ,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜 ,并且在相对较低的基片负偏压条件下就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。     

感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究

采用感应耦合等离子体源(ICPS)成功地实现化学气相沉积硬质类金刚石(DLC)膜,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜,并且在相对较低的基片负偏压条件就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。     

ICPECVD类金刚石膜沉积过程的发射光谱诊断研究

利用发射光谱(Optical emission spectroscopy,OES)对感应耦合等离子体增强化学气相沉积(Inductivelycoupled plasma enhance chemical vapor d印osition,ICPECVD)类金刚石(Diamondlike carbon,DLC)膜过程中的各种基团进行分析,并对不同条件下薄膜沉积速率以及薄膜显微硬度进行测试.分析结果发现,感应耦合等离子体源激发甲烷等离子体中存在比较突出的碳氢离子成分,从而促进形成高硬度的DLC膜.而且射频功率、沉积气压等沉积参数的变化对DLC薄膜沉积过程的中性基团、离子基团以及原子氢等成分都有着明显影响,从而最终影响薄膜沉积过程及薄膜性质.