离子注入剂量的均匀性检测和校正

介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。     

LC-11型强流离子注入机剂量控制器

本文介绍了LG－11型强流离子注入机全机械扫描剂量控制器的工作原理，硬件结构和软件框图。     

光热探针检测半导体离子注入剂量与均匀性

本文主要介绍光热探针技术的原理及其在半导体离子注入测试和监控中的应用。     

离子注入机ⅦSta平台向掺杂工艺的无缝可变换性

离子注入机ⅦSta平台对≤130mm尺寸CMOS工艺在整个能量和剂理范围提供单片注入。这些注入机的特征是硬件和设计原理通用，并包含离子束注入角控制、剂量到定和终端站设计。这种方法对重更剂量范围能使工艺可完全互换，并对引起制造所有权成本(COO)降低提供了最大的灵活性。一个完整工艺的透彻性需要剂量形貌特征精确匹配，并很好地说明这一能力、晕圈效应、VT和延展注入。此外，也证实了ⅦSta平台的单片设计消除了缺陷来源，确保了无风险工艺互换。     

大角度离子注入机的束流自动调节

阐述了大角度离子注入机的束流自动调节,着重描述了新建立菜单的第一次调束,从束流的引出到固定法拉第杯获得目标束流的具体调节步骤,包括束流的均匀性检测的全部过程,另外对调束过程中的一些算法也进行了细致的介绍。     

离子注入均匀性的工艺控制

叙述了影响离子注入均匀性的几个主要因素,其中包括束流品质,离子束聚焦与扫描以及束流大小选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性,通过这些控制手段,均匀性可以优于１ ％ ,结果令人满意。     

混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统

为了进一步提升旋转靶离子注入机的设备产能,提出了一种基于混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统;论述了该旋转靶离子注入机剂量控制系统设计思路、工作原理及控制离子束按设定的剂量精确均匀地注入到晶片表面的实现方法。介绍了该剂量控制系统硬件组成,并描述了剂量控制系统的核心部件剂量积分仪的详细硬件设计方案。基于该剂量控制系统的旋转靶离子注入机已批量交付客户使用,注入均匀性和重复性均达到1%以内。     

离子注入机Ⅶ Sta平台向掺杂工艺的无缝可变换性(英文)

离子注入机ⅦSta平台对≤130nm尺寸CMOS工艺在整个能量和剂理范围提供单片注入。这些注入机的特征是硬件和设计原理通用,并包含离子束注入角控制、剂量测定和终端站设计。这种方法对重叠剂量范围能使工艺可完全互换,并对引起制造所有权成本(COO)降低提供了最大的灵活性。一个完整工艺的透彻性需要剂量形貌特征精确匹配,并很好地说明这一能力、晕圈效应、VT和延展注入。此外,也证实了ⅦSta平台的单片设计消除了缺陷来源,确保了无风险工艺互换。     

批处理离子注入机台锥角效应及注入角度对产品的影响

研究主要聚焦在批处理离子注入机台的沟道效应和锥角效应,以及阐述由于这些效应导致的晶圆片上的均匀性问题和产品上的良率损失。对于高能量离子注入,如果离子注入角度设定为0°会导致严重的沟道效应,但是大角度设定又会导致光刻胶的阴影效应,所以对于注入角度的选取需要尽量小。对于越来越先进的半导体工艺技术,线宽越来越小,合适角度设定将显得尤其关键。运用二次离子质谱分析研究了控片上离子注入的分布,通过产品电性合格测试全片多点验证,表明了沟道效应和锥角效应的综合影响;得出了对于不同锥角机台合适的离子注入角度设定。     

强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高

对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。     

基于比例失效模型的配电网设备状态检测

配电网是电力系统的基础,其安全稳定运行与广大人民群众息息相关。对配电设备进行状态检测是提高配电网设备运行可靠性的有效措施。文中研究了比例失效模型在配电网设备状态检测中的应用,详细介绍了基于比例失效模型的建立、参数估计和模型验证,并结合配电网设备的故障率阈值,提出了配电网设备的状态检测方法。最后,以变压器为例介绍了比例失效模型在配电网设备状态检测中的具体应用。     

基于向量机的边缘检测算法优化研究

该文利用最小二乘向量机(LSSvM)对原始图像每一像素的邻域作灰度曲面的最佳拟合,并以径向基核函数为例导出了图像的梯度算子和零交叉算子。通过梯度和零交叉的综合,实现了边缘的定位和检测,提出了利用边缘检测性能指标来优化参数的方法。确定了高斯LSsVM的参数(σ2,γ)为(7,1),用所选参数进行了图像边缘检测实验。结果表明,基于支持向量机的边缘检测算法可靠性好、效率高。     

电压检测芯片失效分析

近年来,随着智能电表的广泛使用,其质量和可靠性问题受到了人们越来越多的关注.但是,由于各种原因,产品投入市场后仍会出现各种失效现象.因此,对某智能电表的电压检测芯片的失效现象进行了分析,通过外观检查、 电参数测试和X-射线测试等手段找到了该芯片的失效原因,并针对发现的问题提出了相应的改进意见.     

离子法入机Ⅶ Sta平台向掺杂工艺的无缝可变换性

离子注入机ⅦSta平台对≤130 nm尺寸CMOS工艺在整个能量和剂理范围提供单片注入.这些注入机的特征是硬件和设计原理通用,并包含离子束注入角控制、剂量测定和终端站设计.这种方法对重叠剂量范围能使工艺可完全互换,并对引起制造所有权成本(COO)降低提供了最大的灵活性.一个完整工艺的透彻性需要剂量形貌特征精确匹配,并很好地说明这一能力、晕圈效应、VT和延展注入.此外,也证实了ⅦSta平台的单片设计消除了缺陷来源,确保了无风险工艺互换.     

基于问询机制SDN控制平面失效检测研究

针对多个软件定义网络域中控制器失效检测时间长、检测点单一及误判率高等问题,提出一种基于问询机制的软件定义网络等级式控制平面失效检测方法。该机制首先在控制器之间按概率分布发送与到达时间间隔相关的心跳信息,再将下一次到达时间间隔与预测时间间隔进行对比,最后通过问询方式决定控制器是否失效。仿真结果表明,相比于传统检测方案,该机制能缩短控制器间的失效检测时间,并能够根据失效概率的大小询问不同数量的控制器,有效降低了多域控制器失效检测的误判概率。     

装备可计量性设计检测/计量周期的确定研究

装备（装备产品及配备的检测设备）的检测/计量周期是可计量性设计方案中的重要因素之一,对装备使用维护保障阶段检测周期的确定具有指导意义。装备可计量性设计目前在国内的可参考经验很少,检测/计量周期的确定尚无相关标准。借鉴现有计量器具校准规范和专用测试设备检定周期确定的相关文件,给出初步检测/计量周期和5年后检测/计量周期的确定方法,并进行举例分析,可为可计量性设计方案中检测/计量周期的确定提供一定参考。     

热风整平参数的优化对整平锡面均匀性的影响

随着航空客户对产品焊接后可靠性的严格要求,表面涂覆HAL的铅锡厚度均匀性的要求越来越高,部分产品的铅锡厚度范围要求达到了2-25um,更有甚者铅锡厚范围要求达到了2.5-20um的水平,而目前业界的锡厚0.5-50um的能力已经很难满足客户的需求。本文主要从设备的改造入手,服务于工艺参数的调整来做介绍,通过工艺参数的优化实验,详细阐述各工艺参数的调整对锡厚和锡面均匀性的影响,并结合实际的生产环境得出较优化的生产参数使锡厚能够满足更多的客户需求。     

径向偏振光纯度检测及偏振态分布特性评价

光束横截面内偏振态分布均匀性是影响径向偏振光光束质量及其实际应用的关键因素。通过PBS测量法、狭缝法和S波片法三种方法对径向偏振光偏振纯度进行测量和对比,分析了径向偏振光偏振态在横截面内分布均匀性。在PBS测量法和狭缝法测量径向偏振光过程中,给出了径向偏振光纯度表达式,分别测得径向偏振光纯度为93.4%和84.1%,并引入方差公式评价径向偏振光偏振态分布均匀特性。其中PBS测量法表达径向偏振光纯度更为准确,狭缝法可以通过比较不同区域偏振度更精确地反映径向偏振光偏振态分布特性。S波片法可以使用市场现有偏振分析仪间接测量径向偏振光纯度,更适应于测量径向偏振光在放大过程中偏振态变化情况。     

电子器件的失效分析

为了研究材料晶体形态与器件性能的关系及其形成机理,寻求提高器件质量的依据,利用显微设备、电子探针等对电子器件引脚可焊接性极差的失效现象进行了分析.