β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

β—BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ３３测量仪相结合测量了β－ＢａＢ２Ｏ４（β－ＢＢＯ）晶体的全部电压变变系数，结果为：ｄ３３＝１．０×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ３１＝－０．８３×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ２２＝２．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ１５＝２１．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ。     

BBO晶体中280.5—289.5nm倍频的产生

用Rh·6G染料激光在BBO晶体中倍频,获得了连续可调谐输出的整个范围是280.5—289.5nm,最大输出能量为8.5mJ,转换效率为31.6%。并讨论了提高倍频输出功率和转换效率的实验条件。     

RbTiOAsO4(RTA)晶体的电光性能

测量了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４（ＲＴＡ）晶体的电光系数、介电常数和交流电导率,结果为：电光系数γ１３＝１０．８,γ２３＝１７．３,γ３３＝４０．０,γ５１＝１２．３,γ４２＝１４．６ｐｍ／Ｖ;介电常数ε１１＝ε２２＝１２,ε３３＝２１;交流电导率σｃ＝３．６×１０－８ｓ／ｃｍ。结果表明ＲＴＡ晶体波导调制器的品质因子ｎ７γ２／ε比ＫＴＰ晶体高１５％,但是其交流电导率比ＫＴＰ晶体小了两个数量级。这些性能使ＲＴＡ晶体有希望应用于波导调制器和其它电光器件。     

干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

低对称晶体GdCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用干涉法测量了低对称晶体 Gd Ca4 O(BO3) 3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数 γ51 ,γ53,γ4 2和γ6 2 ,采用了新的样品趋向。测量结果为 :γ1 1 =0 .4 pm / V ,γ2 1 =0 .5 pm/ V,γ31 =0 .6 pm / V,γ1 3=0 .1pm/ V,γ2 3=0 .4 pm / V,γ33=2 .0 pm/ V,γ51 =0 .7pm / V ,γ53=1.5 pm / V,γ4 2 =0 .5 pm/ V,γ6 2 =0 .8pm / V .     

ZnCd(SCN)4晶体的电学性能和电光性能

测量了 Zn Cd(SCN) 4晶体的介电常数和直流电导率 ,结果为 :介电常数 εa=6 .9,εc=7.4。直流电导率ρa=4 .6× 10 1 0 Ω· cm,ρc=1.4× 10 1 1 Ω· cm。并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数 ,其结果为 :压电应变常数 d31 =1.5 p C/N,d36 =9.5 p C/N ,d1 4=1.6 p C/N,d1 5=15 .3p C/N;电光系数γ1 3=0 .0 4 pm /V ,γ6 3=9.4 pm /V,γ4 1 =1.3pm /V ,γ51 =1.7pm/V。     

低对称晶体YCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用于涉法测量了低对称晶体YCa4O(BO3)3的全部电光系数,为了分离测量交叉电光系数γ51, γ53, γ42,和 γ62,采用了新的样品趋向,测量结果为:γ11=0.6, γ21=0.4, γ31=0.3, γ13=0.3, γ23=0.2, γ33=2.26, γ51=0.9, γ11=0.6, γ11=0.6, γ53=4.1, γ42=0.8, γ62=0.4×10-12m/V。     

低对称晶体CdCa4O（BO3）3电光系数的测量

用干涉法测量了低对称晶体GdCa4O(BO3)3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数γ51,γ53,γ42和γ62,采用了新的样品趋向。测量结果为：γ11＝0．4pm/V,γ21＝0．5pm／V,γ31＝0．6pm／V,γ13＝0．1pm／V,γ23＝0．4pm/V,γ33＝2．0pm／V,γ51＝0．7pm／V,γ42＝0．5pm／V,γ62＝0．8pm／V。     

飞秒激光行波泵浦BBO晶体光参量放大

采用飞秒钛宝石激光放大器二次谐波为泵浦源，行波泵浦ＢＢＯ晶体光参量放大器，获得了可调谐输出（０．４４～２．６μｍ），最大输出能量约４０μＪ／脉冲，测量了参量激光的调谐特性、能量分布和线宽，理论与实验符合较好。     

基于马赫-曾德尔干涉仪的聚合物电光系数测量方法的性能改善

对基于马赫-曾德尔(Mach-Zehdner)干涉仪的聚合物电光系数测量方法进行了分析。提出了改善性能的方法并进行了讨论。采用光纤干涉仪代替空间光学干涉仪对样品电光系数进行透射式测量,采用压电陶瓷(PZT)片调节测量系统的工作点实现反馈控制,有效地减小了法布里-珀罗(Fabry-Perot)谐振效应的影响;通过精确控制光纤干涉仪干涉臂长差和合理选择光纤耦合器的耦合比,可以提高干涉的可见度,从而提高系统的测量精度。实验结果表明,系统的干涉可见度为0.84,可分辨的最小相位变化约为6×10-6rad。     

用BBO晶体获得200至218nm的紫外可调谐辐射

本文报道了用BBO晶体将492至550nm波段的染料激光转换成200至218nm的可调谐辐射的实验研究结果,从而使BBO晶体在紫外区域的应用拓宽至200nm。     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

测量聚合物落膜电光系数的一种简单方法——干涉法

报道了一种测量聚合物薄膜电光系数的简单方法。这种方法是用石英晶体的逆压电效应补偿聚合物薄膜电光效应引起的光程变化,测量聚合物薄膜电光系数相对于石英晶体压电常数d11的大小,这种方法可以用来测量所有光学薄膜的电光系数。文章介绍了采用此方法测量几种新的聚合物薄膜的电光系数。     

使用BBO晶体内腔倍频环形腔激光器产生紫外激光

本文报导BBO晶体用于连续波可调谐环形染料激光器腔内倍频的初步结果。在单模运转条件下,在285nm～299nm范围获得可调谐单频倍频紫外光输出,在294nm处获得紫外光最大功率～0.57mW,二次谐波转换频率η_(SHG)～4×10~(-4)。     

测量聚合物薄膜电光系数的一种简单方法——干涉法

报道了一种测量聚合物薄膜电光系数的简单方法。这种方法是用石英晶体的逆压电效应补偿聚合物薄膜电光效应引起的光程变化,测量聚合物薄膜电光系数相对于石英晶体压电常数d     

电光晶体光学性质的折射率椭球分析法

本文利用折射率椭球一般性地讨论了电光晶体的光学性质,给出了电光晶体光轴方位和折射率分布的普遍公式。根据这些公式,可以很方便地分析一个具体的电光晶体的光学性质。     

CdTe电光调频晶体用于电光调Q研究

本文研究了CdTe电光调Q晶体及电光调频晶体的调制特性,报道了采用 CdTe电光调频晶体进行电光调 Q的光栅选支射频激励波导 CO2激光器,调 Q激光脉冲重复频率 1Hz～10 kHz可调,在 10 kHz重复频率时,获得激光脉冲峰值功率为 300 W,脉冲宽度为 150 ns.     

硅酸镓镧晶体电光调制器

用新型非线性材料硅酸镓镧(LGS)晶体制作了电光调制器,研究了单晶硅酸镓镧晶体的电光效应。利用极值法和倍频法测定了硅酸镓镧晶体的半波电压值,计算出电光系数γ11分别为1.85pm/V和1.90pm/V,对比发现倍频法比极值法实用、快速、方便。测定了在0.3～0.6328μm波长内硅酸镓镧单晶的旋光率为21.1°～2.6°/mm。利用自制的高压调制电源进行了调制实验,实验结果表明:有旋光性非线性材料硅酸镓镧晶体是一种新型电光晶体,可用作电光调制器,调制信号稳定。