钼在400～2500K温度的比热和电阻率

用毫秒－脉冲热量计与接触温度计测量钼的比热和电阻率，温度计采用是Ｗ－Ｒｅ热电耦，可在４００～２５００Ｋ温度范围内进行了研究。在温度高于１３００Ｋ时，并联高温计测量加以修正，利用在这个温度国内所获得的热辐数据得出并讨论了钼的比热，电阻率，半球形总辐射率以及标准光谱辐射率，并将比热与标准参考数据作了比较。     

脉冲加热材料热物性多光谱动态测量装置的研制

提出一种将多光谱测温法和积分球反射法相结合的脉冲加热技术测量材料热物性的新方法。基于积分球反射法,利用多光谱测温法获得材料在多个光谱下的辐射信息，可同时获得试样在多个光谱下的法向光谱发射率。介绍了利用该方法的脉冲加热瞬态热物性测量装置的各组成部分及其工作原理，该装置能 同时测量带状试样的比热、电阻率、全波长半球发射率及多个光谱下的法向光谱发射率。     

经次秒加热法处理后的钨及钍—钨电极中的物理变化

钨及钍钨杜一般用作氩弧焊的阴极部分。虽然研究人员还不太了解其工作原理，但钍钨电极具有比纯钨电极更为长久的使用寿命。运用次秒脉冲加热技术研究人员将两种类型的电极试样加热至钨熔点。运用电镜法以及Ｘ－射线分析法检验试样，并将结果与未加热的电极试样作比较。结论是：二氧化钍颗粒形状有明显的物理变化，但并未发现二氧化钍的还原反应。     

钍钨阴极的碳化

钍钨阴极是一种最常见的薄膜阴极,它的实际应用已有四十多年了.其中最重要的改进是从初期的非碳化钍钨阴极,进展到采用碳化工艺制造成碳化钍钨阴极,结果大大改善了钍钨阴极发射的不稳定性和寿命短的缺点.与纯钨阴极相比较,碳化钍钨阴极在较低的工作温度下就有较高的发射.因此,在功率管与整流管领域中,已经广泛地得到应用.但特别由于真空技术的发展,减少了正离子对阴极薄膜的轰击破坏作用,再由于钍钨阴极的材料能加工成各种形状,使阴     

大功率发射管钍钨阴极的碳化

一、序言近代大功率发射管中,由于真空技术的不断改进和钽、锆、钛等消气剂的采用,钍钨阴极几乎完全代替了纯钨阴极。然而未经处理的钍钨阴极在放射上与纯钨阴极没有多大差别。在早期,为了获得较高的阴极放射,降低阴极表面的逸出功,主要是将钍钨丝加热到2800°K短时间的闪炼,然后在2200°K较长时间的激活。在这过程中,钍钨丝内部的氧化钍在     

电子管灯丝材料与碳化后的强度关系

大功率电子管中通常用于阴极制造的钍钨丝材料是含有0.5%~2%氧化钍的钨丝。钍钨阴极的制造工艺和钨阴极相似,也需要经过净化、成形、定型等工序,但不同的是钍钨阴极还需要进行激活处理。由于材料含氧化钍不均匀,使其激活之后阴极的强度大大降低。     

FD422一个被遗忘了的靓胆

当金属被加热到一定温度的时候,金属里的自由电子获得了足够的能量,就会从表面逸出,这就是人们常说的热电子发射。使金属发射电子所必须提供的最低限度的能量称之为逸出功。金属钨（W）很早就被选为电子管的热电子发射材料,像著名的889RA（美国）、RD5XF（捷克）都是采用纯钨做灯丝的电子管。嗣后人们又发现钍（Th）的逸出功比钨还要低,     

微波炉用磁控管碳化钍钨阴极断裂失效分析

本文采用扫描电镜、X射线残余应力分析仪、金相显微镜等工具分析了微波炉用磁控管碳化钍钨阴极的断裂失效机理，碳化后钍钨阴极较粗大的晶粒与内应力是其断裂的主要原因。     

次秒脉冲测热法分析钨电极的热物理性

研究人员要预测钨电极在高温等离子体发生器中的性能，就必须了解钨电极在广大温度范围内的热物理性。为了测定电极材料的有关热物理性，最好采用直接脉冲加热测定法，因为此法能满足在最宽温度范围内高速测定试样的要求。     

铈激活磷酸钇发光材料

通常,发光峰值波长在350nm 附近的近紫外线发光材料有铅激活硅酸钒发光材料。但是用这种发光材料制出的荧光灯存在光输出小,光通维持率低的问题。为了解决这些问题,研制了铈或钍激活磷酸钇发光材料。但这种材料要使用贵重的钍。所以,成本极高。另外由于钍是放射性同位素,在使用上有问题。最后,这种材料的加热老化大,在制灯工艺烤管加热中使灯的初始发光亮度和维持率降低。本专利提供一种用紫外线激发得到近紫     

间磺酸基偶氮氯膦分光光度测定钨钍合金中的钍

我们用新显色剂间磺酸基偶氮氯膦(CPAMS)对钨钍合金中钍的测定进行了研究。实验表明在1N的硫酸介质中,Th与CPMS生成稳定的紫蓝色络合物,最大吸收波长在670nm,用平衡移动法和连续浓度变更法测得Th与CPAMS络合物的组成比Th∶CPMS=1∶2,摩尔吸光系数∑670=7×10~4,比吸光率α=0.26,桑德尔(Sandell)灵敏度为0.003772[μg/cm~2),ThO_2含量在0～40μg/25ml服从比耳定律,方法有很好的选择性,基体钨用柠檬酸络合,钨钍合金中常见的19种杂质离子不干扰测定,Fe~(3+)产生正干扰,用草酸络合,可直接测定钨钍合金中0～3％的ThO_2。回收试验令人满意,(结果为99.64～99.96％),方法简便快速,精密度和准确度良好。     

铈-钨阴极逸出功的量测

由于钍钨丝在制造过程中的放射性毒害,人们一直在寻找这种阴极材料的代用品,近年来出现了一些新型材料如铈钨、钇钨、镧钨等。一方面为了测量这些材料的物理性能,同时也为了探索一个较为简捷的测量方法,因此我们接受了上海灯泡厂的委托,承担了这类材料(主要是铈钨)的处理工艺(碳化)和蒸发率,逸出功测量的研究工作。 通过我们的工作找到了铈钨系的碳化工艺,测出了这种材料的蒸发率(在寿命过程中变化很大,最高可超过钍钨的数百     

材料发射率与温度数学模型

材料表面的发射率特性与许多因素有关,温度是影响发射率最重要的因素之一,由于测量条件的限制,只能测量有限温度范围内发射率,对其他温度与发射率的关系不能准确得出。通过大量文献的发射率与温度测量数据,利用Matlab软件仿真出发射率与温度曲线。从曲线的走势分析,建立了线性和指数两种数学模型。选用文献提供的测量数据,分别计算出两种模型的未知参量,分别模拟出发射率与温度的曲线,与原始的测量曲线比较分析,发现指数发射率模型适合该材料。分别用两种数学模型对其他文献提供的数据进行模拟仿真,模型与实际测量的相对误差均小于2%,总结了适合两种模型的材料特性。     

高发射率红外涂料进展

研制了高发射率红外涂料,2.5～25μm内其总发射率可达91％;在650℃的光谱发射率ε_λ=75～90％。其性能近似于灰体。将涂料与无机高温粘接剂混合涂在电阻加热炉的内壁上。在加热升温过程(250～1100℃)明显缩短时间,在4kW电炉上节时效率为25％左右,具有显著节能效果。     

深度连续渐变式空腔阵列表面发射率研究

为测量混合式表面的发射率,该文设计了一系列阵列作为发射率样品,发射率样品为深度连续渐变式空腔阵列,将其划分为5个单元组成,使用红外热像仪对发射率样品上端拍摄热图像得到一系列发射率。通过理论计算得出发射率,通过实验测量单元表面发射率,将理论计算值与实验测量值进行对比,探讨深度连续渐变式空腔阵列在不同加热温度下对表面发射率的影响。结果表明:随着加热温度的升高,深度连续渐变式空腔阵列的表面发射率会下降;随着空腔深度的增加,深度连续渐变式空腔阵列的表面发射率会随之增加。     

老杨谈胆（八）：如何看待电子管的各电极的参数-阴极之二

前一讲给出了整流管624在灯丝电压下降20％后的特性。这讲用图示仪对三极、五极管在欠压20％情况下的曲线进行实际测量,分析对于几个主要参数的影响,并且简介—下纯钨、敷钍钨阴极及氧化物阴极的特性。     

由熔体中生长氧化物晶体的固液界面形状

1.提拉法生长1.引言用射频加热提拉法生长高熔点氧化物晶体一直是最广泛应用的方法。提拉法生长刚玉最初是用钨坩埚实现的。这种坩埚材料引起不希望有的杂质进入熔体,并使晶体中含有许多金属包杂。提拉法使用W和Mo坩埚仅限于在真空中生长蓝宝石,但有的文章报导用别的生长方法使用这些材料获得了较好的结果。更广泛应用的坩埚材料则是铱,它能使     

新型热红外伪装涂料用填料中空微珠性能研究

分析了温度对涂层发射率的影响，并据此重点研究了一种新型热红外伪装涂料用填料——中空微珠——的常规使用性能、降温效果以及对涂层发射率的影响。研究认为，中空微殊用量小于20％、粒径为200目左右时常规使用性能最好。60目的中空微殊降温效果最好，而且当其用量小于20％时，中空微珠对涂层的发射率基本没有影响。     

加热低电阻率硅带和硅片用的行波谐振器

研究了加热低电阻率硅片用的行波谐振腔和微波加热器。微波电路的性能与理论预计是一致的。描述了150毫米(6英寸)直径硅片用微波加热器。对温度的分布进行了理论计算并测量了某些温度分布。     

微波反射法测量半导体电阻率与温度的关系

本文报导了用微波介质波导反射法无接触测量半导体电阻率的实验装置.利用该装置测量了一组样品的电阻率与温度(100～500K)关系,讨论了载流子迁移率与温度关系和Dorkel的半经验公式.