用小型准分子激光器制造微型零件

众所周知，世界正在变小。人们正开始把电话机放在口袋里，把计算机拉在手臂下。汽车正在快速发展微小传感器和微小调速控制器。人们正用微型器械和植入物修复眼睛、膝盖和心脏。这种微型化革命正点燃对用于微制造的新设备需求的扩大。微型元件和微型化系统的制造需有能对所用材料在甚小空间尺度进行成形、测量和标记的手段。传统机械操作都是用研磨机、车床、卡现、雕刻机等进行的，当形状尺寸大于几百微米时，类似设备都可解决大多数要求。但当孔径、槽宽、特性高度和类似形状尺寸小于这个范围时，光学手段可能是几种有生命力的选择之一。…     

准分子激光及其在微细加工中的应用

本文介绍准分子激光发展历史基本原理及其特性，并讨论了准分子激光在微细加工中的应用。     

高亮度紫外准分子激光器

短波长稀有气体卤化物准分子激光系统的峰值功率迄今远低于固体激光系统，但由于准分子激光短波长和气体介质光学畸变较少，被认为是产生高强度（Ｉ≥１０＾２０Ｗ／ｃｍ＾２）激光的最佳侯选者。当短波长聚焦光学系统经过改进，且提高准分子激光的提取效率后，以上目标更容易达到，本文介绍一些新技术，包括空间包络调制脉冲放大、非轴向放大和相干多角路放大，且报道一些获得桌面高亮度准分子系统的考虑。     

利用YAG准分子激光器进行微孔加工的现状

需要微孔加工的应用领域很多,诸如材料方面有金属、高分子材料、硅片、陶瓷等;加工上分机械加工、电火花加工、蚀刻加工、激光加工、喷射加工等,根据材料或加工尺寸、形状而使用不同的加工方法。     

准分子激光刻蚀技术

本文介绍了准分子激光刻蚀的基本原理及特点,综述了近年来有重要意义的实验结果。     

准分子激光掺杂

本文介绍了准分子激光掺杂的基本原理及特点,概括总结了近年来所取得的典型研究结果,最后指出这项技术在集成电路中的应用。     

准分子激光直接切割金刚石薄膜的技术研究

本文介绍了准分子激光切割金刚石薄膜的实验结果，给出了切割金刚石薄膜的光能量密度阀值，并对其结果进行了分析和讨论。     

金属蒸气激光器的直流放电特性

金属蒸气激光器利用He、Ne、N2和Ar作缓冲气体,在高功率电平下的直流放电特性被首次测得。实验表明,He气是用于直流预热的最佳缓冲气体。在200mmHg的He气压和1A的放电电流下,有多于5kW的电功率被注入到等离子体管中去。等离子体管温度在短于1h的时间内达到1400℃的高温。     

准分子激光消融制备纳米材料的动力学研究

以XeCl准分子激光消融Al, Cu为例,分析了以准分子激光消融平面材料的动力学过程,从激光导致的材料温度场着手,分析材料从缺陷导致断裂并最终形成纳米材料的全过程。     

紫外激光刻蚀聚酰亚胺

本文报导了紫外激光(308nm,266nm)刻蚀聚酰亚胺的阈值、刻蚀速率、分辩率等实验结果,并对结果进行了分析讨论。     

准分子激光精细加工粉末材料的研究

采用波长 2 48nm的krF准分子激光器 ,通过掩模投影直刻方式对铅粉、铝粉以及氧化锌纳米粉的精细加工进行了研究。结果表明 :在同样条件下 ,准分子激光对于氧化锌纳米粉和铅粉、铝粉两种金属粉末的加工机理有所不同。本文初步分析了几种激光加工工艺参数对于加工质量及加工机理的影响。其中激光能量对加工质量的影响较大     

光学材料的激光微加工研究进展与应用前景

综述了国内外在光学材料激光微加工方面的研究成果和应用状况，并展望了其发展前景。     

Low temperature crystallization of amorphous silicon using an excimer laser

Low temperature processing is a prerequisite for compatible technologies involving combined a-Si and poly-silicon devices or for fabricating these devices on glass substrates. This paper describes excimer-laser-induced crystallization of thin amorphous silicon films deposited by plasma CVD (a-Si:H) and LPCVD (a-Si). The intense, pulsed UV produced by the laser is highly absorbed by the thin amorphous material, but the average temperature is compatible with low temperature processing. The process produces crystallites whose structure and electrical characteristics vary according to starting material and laser scan parameters. The crystallized films have been principally characterized using x-ray diffraction, TEM, and transport measurements. The results indicate that crystallites nucleate in the surface region and are randomly oriented. The degree of crystallization near the surface increases as the doping level and/or deposited laser energy density is increased. The crystallite size increases with a power law dependence on deposited energy, while the conductivity increases exponentially above threshold for unintentionally doped PECVD films. The magnitude of the Hall mobility of the highly crystallized samples is increased by two orders of magnitude over that of the amorphous starting material.     

红外子带间量子级联激光器的短波极限

从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二模型、传播矩阵和分层逼近法,分析计算了以GaSb为衬底的InAs/A1Sb,InAs/Al0.6Ga0.4Sb,和以InP为衬底的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As的带阶,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态,发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的56％－62％,而且受到导带间能谷的限制而进一步减小,设计提出了迄今发射最短波长为2．88μm的由25个周期共2502个耦合量子阱组成、外加电场为100kV／cm的子是量子级联激光器的结构方案。