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通过对晶体原料的提纯及生长工艺条件的优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出直径达到180mm的高质量氟化锂单晶.晶体的透过率在0.2~6.5 μm波长范围内最高透过率约为94%. 相似文献
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Ce∶LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce∶LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷。本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce∶LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5 ℃/mm左右,放肩角度在30°~60°,提拉速度1.0~1.5 mm/h,晶体旋转速度15~25 r/min。最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce∶LuAG单晶,晶体内核心面积小。 相似文献
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本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响.当温差为60℃时,AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面,AlN以带状形式生长.将该工艺应用于AlN同质生长中,研究结果表明:温差为60℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式,该晶体质量最差;温差为35℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式,该晶体质量最优;温差为20℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶簇生长模式,该晶体容易开裂.通过工艺优化最终获得了直径为40 mm AlN单晶衬底,完全满足器件制备需求. 相似文献
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E. Kubota 《Crystal Research and Technology》1999,34(4):539-548
This paper analyzes crystal shape monitoring for automatic diameter control (ADC) during the liquid encapsulated Czochralski (LEC) growth of InP crystals. The crystal diameter (shape) is monitored numerically (diagrammatically) by using a disc approximation approach based on precise weight and pulling length measurements. The error in the diameter calculation based on the approximation is estimated to be sufficiently small for practical use. The monitoring accuracy was investigated for crystal bodies with nearly flat growth interfaces, and for their shoulder portions with largely convex growth interfaces. For the straight body portions, the accuracy depended on diameter, d, and improved from ±15% for d=10 mm to ±3% for d=50mm. For the shoulder portions, the diameter was monitored with nearly the same accuracy. This method has therefore made it possible to monitor the growing crystal visually in real time, and was applied to the growth of <111> InP crystals with a cone angle of less than 39° and a smooth appearance to avoid twinning. 相似文献
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采用坩埚下降法生长了直径为25.4 mm的纯溴化铈晶体和0.1%、0.2%和0.5%(摩尔分数)Sr2+掺杂的溴化铈晶体。将所生长晶体加工成直径25.4 mm、厚度10 mm的坯件,并进行紫外和X射线激发荧光光谱、137Cs源激发多道能谱等测试。结果表明:Sr2+掺杂会导致晶体X射线激发下的发射光谱出现轻微红移,而随着Sr2+掺杂量的增加,晶体的能量分辨率依次提高,光输出依次降低;当Sr2+掺杂量为0.5%时,溴化铈晶体的能量分辨率最高,达3.83%@662 keV,但过高含量的Sr2+掺杂会造成晶体生长困难。综合考虑晶体性能和生长情况,Sr2+掺杂量为0.2%时较为适宜,所获得的ϕ25.4 mm×25.4 mm CeBr3∶0.2%Sr晶体封装件的能量分辨率为3.92%@662 keV。 相似文献
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An improved Bridgman-type crystal growth system is presented. By using a new type of heaters, fluoride single crystals with a diameter up to 50 mm and 150 mm length have been obtained. The dislocation density distribution has been examined in different growth conditions. 相似文献
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直拉法生长直径300 mm硅单晶过程中,直径均匀是获得高品质硅单晶的关键。在生产实践中发现,当硅晶体进入等径生长阶段,过高的提拉速度会引起晶体发生扭晶现象,导致晶线断裂随即变晶,对等径生长不利。本文采用数值模拟和理论相结合的方法分析了ø300 mm硅单晶生长过程中扭晶现象的成因,建立了不同提拉速度下晶体直径与熔体温度分布的关系,分析了晶体发生扭晶的影响因素。结果表明,随着提拉速度的增加,熔体自由表面产生过冷区且该过冷区随提拉速度的增加不断扩大,过冷区的产生是导致晶体发生扭晶的主要原因。提出了一种基于有限元热场数值模拟的最大稳定提拉速度的判别方法,并给出了通过改变晶体旋转速度来改善熔体自由表面温度分布的工艺措施建议,从而避免晶体扭晶现象的发生。研究结果对设计大尺寸硅单晶生长热场具有一定的指导作用。 相似文献
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