28米全自动氮气氛保护推板窑

２８ｍ全自动氮气氛保护推板窑是目前国内最长的锰锌氧体连续方烧结设备，特别适应于大规模生产和大磁芯烧结。本文介绍了该设备的主要技术指标，设备特点及运行情况，提供了４８所软磁氧体烧结设备性能表。     

低温烧结AlN陶瓷基片

通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。     

选区激光烧结成型中致密度的数值模拟与实验

分析了红外激光与聚合物材料的相互作用过程,给出一个SLS烧结过程的模拟计算模型,采用数值方法对烧结致密化程度进行研究,结果与实验测量值吻合得很好,表明采用该方法可有效地预测烧结件的致密程度。     

选择性激光烧结聚苯乙烯粉末成形温度场的数值模拟研究

本文以聚苯乙烯材料为例，对SLS成形三维瞬态温度场的分布变化进行数值模拟计算。计算模型中，考虑了材料的热物性参数随温度变化的情况和激光光强分布不均匀的因素。计算结果表明：烧结过程可以分为两个阶段：第一阶段是光照期的热量输入加热阶段，在该阶段内，光照表面的温度迅速升高，使材料处于过热状态，甚至超过材料的分解点，这一阶段完成粉末表面的致密化，但粉床内部的致密效果不是特别明显；第二阶段是光照结束之后的热量传输阶段，在该阶段内，表面材料吸收的热量向四周扩散，一部分通过对流和辐射换热方式散失到周围环境中，另一部分通过热传导的方式向粉床内部传输，促进粉床内部的烧结，这一阶段粉床内部的致密程度显著提高。     

激光制备高介CaTiO3-CaTiSiO5高频介质陶瓷

采用激光烧结技术成功制备致密、高介电常数的CaTiO3-CaTiSiO5高频介质陶瓷。使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜分析样品的晶相组成和显微组织,利用精密阻抗分析仪测试陶瓷样品的介电性能。结果表明,激光烧结CaTiO3-CaTiSiO5介质陶瓷致密、介电常数（εr=376）高达固相烧结样品的5倍,这应归因于激光烧结C...     

不锈钢基厚膜介质浆料烧结致密化研究

介质浆料的烧结致密化程度对不锈钢基板的绝缘性能具有至关重要的影响。以CaO-Al2O3-SiO2系玻璃为研究对象,制备不锈钢基片用介质浆料,研究该介质浆料的烧结致密化工艺。结果表明在CaO含量为45%,平均粒度为2~3μm的玻璃粉所调制的介质浆料,烧结温度为870℃,烧结时间为10~20min的条件下,获得致密化的介质浆料。     

激光直接烧结成形金属零件的实验研究

分析了激光熔池的动态快速冷凝及“球化”效应机理，基于此采用激光烧结直接成形工艺对铁粉和Ni45合金粉末进行了一系列的激光烧结实验。结果表明,直接烧结单组元铁粉易出现翘曲变形和“球化效应”，成形质量不高，即使调整工艺参数获得多层烧结件，但致密度较低;而在基体上烧结Ni45合金粉末,在合适的工艺参数下获得了致密组织较好的多层烧结件，内部组织细密均匀，表面光滑平整，且与基体结合牢固。     

TiO_2/ZrO_2掺杂MAS系LTCC生带的烧结致密化研究

文章以掺杂TiO2/ZrO2的MAS(MgO-Al2O3-SiO2)系微晶玻璃作为功能相,采用流延法制成生带并最终烧结成型。系统地研究了掺杂、粉体粒径、烧结条件等对LTCC基板收缩性能和致密性的影响。结果表明:通过成核剂TiO2/ZrO2的掺杂,能有效降低基板烧结温度,提高烧结致密性;粉体粒径对生带烧结后的致密性影响较大,粒径越小生带致密化程度越高,同时收缩率也越大。同时通过对比不同烧结条件下样品的致密性,确定了MAS系LTCC生带的最佳烧结曲线。     

Cu掺杂对Mg-Zn铁氧体性能的影响

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)自燃烧法制备了一系列Cu掺杂Mg-Zn铁氧体纳米粉，(Mg0.2CuxZn0.8-x)O(Fe2O3)0.97(x=0，0．1，0．2，0．3，0．4)，并用该纳米粉在1000℃／4h下，烧结成了致密的陶瓷体。该文用XRD和SEM对Cu掺杂的Mg-Zn铁氧体的相结构和显微结构进行了研究。用HP4194A阻抗分析仪研究了烧结样品的磁谱。研究发现，在掺杂一定的Cu有利于促进烧结样品的致密化过程，改善磁性能，并影响样品的显微结构。     

ZrSiO4/Al2O3/SiO2混合粉体的反应烧结研究

以ZrSiO4/Al2O3/SiO2混合粉体为原料,采用反应烧结工艺,通过添加SiO2与"过量"的Al2O3反应,制备了"富"莫来石的ZrO2/莫来石复相陶瓷材料.添加的无定形SiO2在烧结过程中结晶形成中间产物方石英.方石英的形成和莫来石化反应是阻碍致密化的主要因素.结果表明,该体系的反应烧结坯体的致密化是困难的,抑制SiO2晶化,减小莫来石化体积膨胀带来的不利影响是获得致密烧结体的关键.     

高温功率半导体器件连接的低温烧结技术

综述了功率电子器件和模块的连接和封装工艺,介绍了粉末致密烧结技术和用于电子封装的现状,对纳米银金属焊膏烧结技术进行了讨论。研究表明,纳米银可有效降低烧结温度,提高设备的高温稳定性、导热性、导电性、机械强度、抗疲劳性等。由于银的熔点较高,这种新技术可应用于高温功率器件的封装。     

Fe-C混合粉末激光烧结成形致密度分析

分析了金属粉末激光选区烧结成形过程致密化机制。选择不同的参数对Fe-C混合粉末进行了激光烧结成形实验,根据烧结件微观结构分析了金属粉末的致密化机制,根据致密度数据分析成形参数与致密度的关系建立了数学模型。结果表明,Fe-C混合粉末在低功率激光作用下部分粉末熔化形成液相,在液相的参与下粉末通过重排、溶解沉淀导致致密化。成形参数对致密度的影响归结于烧结过程中产生的液相量,激光功率的增加、扫描间隔的减小、扫描速度的降低和切片层厚的减少都会提高烧结件的致密度。     

26米全自动双推板彩偏磁芯烧结窑

２６ｍ全自动双推板彩偏磁芯烧结窑是我国自行研制的首条彩偏磁芯烧结窑，其主要技术能达到九十年代国际先进水平，填补了国内空白，本文着重叙述了烧结温度与窑内气氛要求对烧结设备带来的困难与解决对策，并对该窑炉的可靠性进行讨论，给出了该窑炉的工艺结果。     

铜基金属粉末选区激光烧结的工艺研究

优化工艺参数（激光功率275～1125W，扫描速率0．04～0．06m／s，扫描间距0．15～0．30mm），对多组份铜基金属粉末（组份包括纯Cu，预合金CuSn和预合金CuP）进行了选区激光烧结（SLS）实验，其成形机制为粉末部分熔化状态下的液相烧结机制。在保证适宜的成形机制的前提下，研究了激光功率、扫描速率、扫描间距、铺粉厚度等工艺参数对烧结组织及性能的影响。结果表明，适当增加激光功率或减小扫描速率能改善烧结致密度及组织连续性。减小扫描间距致使烧结线从断续分布连续转变为较为平整的结合状态，组织致密性及均匀性显著提高。减小铺粉厚度有利于改善层问结合性；但最小铺粉厚度需适当选择，否则会因凝固收缩效应及铺粉不均匀性而降低烧结致密度。     

微波烧结法制备Bi_2O_3-ZnO-Ta_2O_5陶瓷

研究了三元体系Bi2O3-ZnO-Ta2O5微波陶瓷的微波烧结情况,从烧结机理、陶瓷结构、显微形貌和介电性能等方面对微波烧结的样品和常规烧结样品进行了比较.实验结果表明,微波烧结大幅度缩短了烧结时间,并且很好地促进了Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶瓷的致密化,制成的样品晶粒细小均一,且介电性能在一定程度上得到了优化.     

表面包裹碳膜的纳米氧化锆粉体的烧结

本文采用表面包裹碳膜后的粉体及无压烧结的方法来制备纳米氧化锆陶瓷块体材料，并分析烧结体的性能及影响烧结体性能的各种因素，探讨获得高致密度、晶粒细小的纳米陶瓷的方法。     

CoMnNiO系NTC热敏半导体陶瓷烧结特性与电性能研究

研究了CoMnNiO系负温度系数热敏电阻陶瓷材料的烧结特性和电性能，探讨了不同烧结方法对CoMnNiO系NTC热敏陶瓷烧结特性及电性能的影响。试验结果表明，微波烧结的样品成瓷均匀、致密，且晶粒较小。对其电性能进行研究发现：同样温度下微波烧结制备的热敏元件B值、阻值一致性较常规烧结方法有较大提高。由此可见，微波烧结技术在制备热敏电阻陶瓷材料方面具有潜在的优势。     

低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。     

压力对W-Cu合金电场快速烧结的影响

采用Gleeble—3500D热模拟机,用电场快速烧结的方法制得W-Cu合金。通过对烧结压坯的密度、显微结构以及硬度的分析,研究了压力对W-Cu合金烧结的影响。结果表明:W-Cu合金在800℃、3 min内快速烧结可获得晶粒较细小、显微组织较均匀的烧结体;在10~30 MPa范围内加压能有效促进烧结体的致密化,可获得相对密度为92.60%~94.84%的W-Cu合金烧结体。但是随着压力的增加,烧结体的相对密度增加不明显。压力可使该烧结体显微硬度增高。     

多种功能陶瓷的激光烧结技术

介绍了以Al2O3,Ta2O5,BaTiO3,Na0.5K0.5NbO3(NKN)等多种功能陶瓷为研究对象，在功能陶瓷激光烧结技术工艺特点及其特殊烧结效应等方面的实验研究结果。研究表明，采用激光烧结陶瓷技术的关键问题是建立合适的温度场，需要保证烧结时陶瓷径向温度场的基本均衡稳定及合适的轴向温度梯度;对于熔点接近2000 ℃的高熔点陶瓷，激光烧结功率密度上限为103～104 W/cm2;此外激光波长的选择定则、样品支架的选择及功率曲线调节方式的确定也不容忽视。激光烧结陶瓷具有特殊的物相和显微结构特点：易获得平衡相图中没有的新相，晶粒生长易具有取向性，可以在不添加烧结助剂的情况下通过液相传质完成高熔点陶瓷的致密烧结。该技术作为一项新型的陶瓷快速制备技术，有律可循，但还存在很多值得深入探究的地方。