等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格

本文介绍了 C_yF_(14)+ O_2等离子刻蚀 a=Si:H/a-C:H 超晶格的工艺原理及方法,简便可行.     

群速色散对超短脉冲在准周期Fibonacci超晶格中传输的理论分析

根据准周期Fibonacci超晶格的结构特点和超短脉冲的传输特性,分析了超短脉冲在Fibonacci超晶格中传输时,一阶、二阶群速色激对脉冲基本特性的影响,以便为超短脉冲的频率转换寻找更加有效的途径。     

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的HREM观察

一维准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格已由辉光放电汽相淀积技术制成。本文首次报导了这种准周期多层调制结构的HREM观察结果。图1是这种新型超晶格的剖面透射电子显微像。图中较暗衬度的为a-SiN_x:H子层,而极明亮衬度的为a-Si:H子层,选择的结构单元为A和B,分明由(44Aa-SiN_x:H,66Aa-Si:H)和(44Aa-SiN_x:H,23Aa-si:H)组成,且A,B厚度比为L_A/L_B=T。图1表明两种材料的界面平直,界面两侧衬度变化显著。图2是a-SiN_x:H/a-Si:H界面的HREM像。它表明界面的平整度在原子量级,且界面的起伏少于5A。尤其有意义的是HREM像揭示了在a-Si:H子层中大量存着小块的有序区域,它们随机的分布在该子层中有序区中晶格条纹间距与Si(111)相对应。在有些地方,这些     

自相位调制对超短脉冲在准周期Fibonacci光学超晶格中传输的影响

从准周期Fibonacci超晶格的结构特点和超短脉冲的传输特性出发,分析了超短脉冲在Fibonacci超晶格中传输时,自相位调制对脉冲频谱的调制,同时考虑了由SPM造成的频率啁啾对脉冲特性的影响,发现SPM对脉冲特性影响很大,它不但使脉冲频谱展宽,而且限制超晶格的总体长度及基本单元的结构。     

准周期半导体超晶格的临界等离激元

基于一个普适的模型,在有理数近似下,讨论了准周期超晶格的等离激元的色散关系.导得了一个适用范围较大的条件,借此不仅可以方便地重现一些文献的一系列结果,而且可以确定第Ⅱ类准周期半导体超晶格以及Ⅱ-Ⅵ族准周期半导体超晶格的等离激元的色散关系.文中也提出了一个计算半无限准周期超晶格表面等离激元色散关系的具体方法.     

不同偏振下Fibonacci准周期超晶格的传输特性

利用传输矩阵方法,研究了不同偏振情形下,电磁波在正负折射率媒质构成的Fibonacci准周期超晶格中的传播规律.结果表明:随着入射角的增加,S偏振时的禁带有加宽趋势,但在一定角度时消失;P偏振时的禁带则始终加宽,且出现了全向带隙.还进一步研究了引入缺陷后的偏振特性,并通过将有缺陷的Fibonacci准周期超晶格重叠获得了在某一偏振下全反射而在另一偏振下全透射的良好特性.这将在微波器件和光学器件中有广泛应用.     

a-Si:H/a-C:H超晶格的界面研究

利用透射电子显微镜(TEM)和电子自旋共振(ESR)分别对a-Si∶H/a-C∶H超晶格的界面结构和自旋电子态进行了研究,发现a-Si∶H/a-C∶H界面存在6-15A的过渡层,而且在界面上还存在面密度约10~(12)cm~(2)的未配对电子,这些未配对电子被证实是非晶硅和非晶碳在界面失配产生的.     

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格研究中的新结果(英文)

We are the first to report the realization of quasiperiodic amorphous semiconductor superlattices composed of alternating layers of a-Si:H and a-SiNx:H to form a Fibonacci sequence in which the ratio of incommensurate periods is equal to the golden mean T=(1+5~(1/2))/2. In the present work new results of low-angle X-ray diffraction pattern with Lf = τLa + Lb= 148A are well consistent with a numerical calculation using formula Km,n = 2τLf-1 (mτ +n), which further demonstrate the peculiarities of quasiperiodicity. From electrical measurements done along the film plane, the feature of temperature dependence of σd suggests that there are two transport pathes at different temperature region. We tentatively explain this phenomenon in terms of the different space charge density and mobility edge in two distinct building blocks A and B of quasiperiodic a-Si:H/a-SiNx:H super-lattices.     

a-Si/μc-Si叠层电池中间层材料SiO_x:H制备研究

为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx:H薄膜。     

a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

瞬态电荷收集法研究a—Si：H／a—SiN：H界面处的电子积累＊

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10~(11)/cm~2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。     

在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中导电机制的研究(英文)

We have studied the conduction mechanism of a series of a-Si:H/a-SiNx:H multi-layers samples which have an identical sublayer thickness and periodic numbers, except the ratio of N/Si in a-SiNx:H sublayers. It is shown that the temperature characteristic of conductivity of these samples has a kink point in the range of 120-140℃. The kink temperature and the acttivation energy of conductivity are related to the N/Si ratio in the a-SiNx:H sublayers. We recognized preliminarily that the mechanism above and below the kink temperature could be the bulk or the interfacial conduction in a-Si:H well layers.     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiNx:H Film^①

The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiNx:H)films is investigated.It is observed that the threshold voltage,Vth,of a-Si:HTFT increases with the increase of the thickness of a-SiNx:H film,and the threshold voltage is reduced apparently with the increase of NH3/SiH4 gas flow rate ratio.     

用逐层淀积法制备a－Si∶H薄膜

本文用逐层淀积法制备了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响，结果指出：不同条件下的氢等离子体处理不仅可以使淀积的样品发生从非晶到微晶的相变，而且可以使费米能级的位置向上或者向下移动，在较低的淀积速率及较小的子层厚度下淀积，并配合以适度的氢等离子体处理，可以得到具有较高光电灵敏度及稳定性的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.     

氢化非晶硅中光致亚稳性退化的物理机制

关于氢化非晶硅(a-Si:H)中光致亚稳性退化(Staebler-Wronski效应)虽已进行了大量研究,但对其物理机制至今还是不清楚的,已有物理模型都有它自己的困难.本文指出,光激产生的导带电子与价带空穴通过Si-H弱键的无辐射复合时放出的Si-H 局域模振动声子使Si-H键自身断裂而造成硅悬挂键——SW缺陷.该模型可以定性解释我们所知道的重要实验事实.