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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
杨同青  刘鹏 《压电与声光》1998,20(5):350-353
研究了La掺杂PZST反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在0-120温度范围内,热释电的峰值和峰位可以  相似文献   

2.
杨同青  刘鹏 《压电与声光》1998,20(3):196-198
研究了La掺杂PZST反铁电陶瓷Zr∶Sn比的变化对电性能的影响。随着Zr∶Sn比的增加,开关电场EAFE-FE减小,回滞ΔE增大,峰值介电常数εmax增加并且变得尖锐,铁电-反铁电相变温度TFE-AFE和居里温度TC升高。  相似文献   

3.
研究了La掺杂PZST反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在0~120°C温度范围内,热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制,热释电系数达到10-7C/cm2·K。  相似文献   

4.
PZST反铁电陶瓷的介电常数在居里温度以上服从居里-外斯定律,居里常量为10^5K以上。随着Ti含量的增加,峰值介电常数增大,随着偏置电场的增加,峰值电常数增大,居里温度降低。  相似文献   

5.
本文叙述了光纤电压电场传感器的结构和性能。在工频电压60~6000V和工频电场强度50~5000V/cm 条件下验证了这种光纤电压电场传感器, 其非线性误差小于1%,信噪比达1000。  相似文献   

6.
为了达到调节静止无功补偿器对所连接母线电压的目的,针对静止无功补偿器(SVC)电压调节器采用线性PID控制策略的限制,设计了基于电压差值加权控制策略的电压调节器。该加权控制策略采用了三部分传递函数计算SVC装置等效电纳,并通过电路仿真模型验证算法并进行谐波分析。通过闭环的物理一数字仿真系统对所设计的电压调节器进行功能测试和研究。仿真结果表明该方法的有效性。  相似文献   

7.
提出了一种应用于电压模式的DC-DC降压转换器的前馈电路.传统DC-DC中,工作状态的变化,通过输出端反馈后才能对占空比做出调整;输入电压跳变时,调整时间就比较长.通过引入输入电压前馈通路,克服了传统结构调整时间过长的缺点.该电路应用在一种高效率、低功耗双模式DC-BC降压转换器芯片中,芯片采用CSMC公司的0.5 μm CMOS混合信号工艺设计和流片.实际测试结果表明在反馈环路中引入前馈支路后,没有影响系统环路的稳定性,而使线性调节性能(Line Regulation)得到显著的改善.  相似文献   

8.
魏建中  陈寿田 《压电与声光》1997,19(5):332-334,345
从反铁电材料的储能特性出发,着重介绍了一类适合制作储能电容器的La^3+掺杂Pb(Zr,Ti,Sn)O3反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试,研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电-铁电相变。结果表明:La^3+掺杂Pb(Zr,Ti,Sn)O3反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。  相似文献   

9.
反铁电液晶的分子结构和性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
王春霞  张智勇 《现代显示》1999,(2):47-53,46
反铁电液晶最主要的特点是具有三稳态及良好的记忆效应。它所呈现的陡阈值,双滞回线及三稳态转换的性质使其作为显示应用时,具有快速响应和极好的对比度。本文综述了反铁电液晶的分子结构与转换之间的关系,并展望了反铁电液晶材料的发展前景。  相似文献   

10.
介绍了一种用于测量工频电压的以Y切Z传钛扩散LiNbO_3基底直波导作为敏感元件的光学电压传感器,直波导电压传感器利用Pockels效应,将直波导的固有相位差调整至接近π/2,在不需要加1/4波片的条件下实现工频电压的线性传感。利用直波导可以直接耦合进光纤的特性,全部器件采用光纤连接,大大减少了光路空间,提高了光路的稳定性。分析了这种电压传感器的工作原理与输入输出特性,并对100~3000V的工频电压进行了测量。初步研究了其温度特性,在-40℃~60℃的温度范围内,变比误差达到5.29%。根据理论与测量分析,这种电压传感器可以用于工频高电压的测量。  相似文献   

11.
根据GB4706.1-2005的剩余电压测试要求,提出基于Arduino的剩余电压测试控制装置的设计方案,介绍控制装置的软硬件实现方法。剩余电压测试控制装置样机经实测验证:断电时间的控制精度可达0.2ms,可以很好的满足测试要求。  相似文献   

12.
超低压ESD保护器件设计与工艺研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。  相似文献   

13.
高压高频复合电场作用下气溶胶凝并效果的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对净化实验室内高压高频复合电场作用下的气溶胶凝并进行了研究。通过测量室内不同粒径段颗粒物在不同初始浓度N状态下浓度减半所需的半值时间TH,计算得出对应的凝并系数K。测试结果表明:初始浓度增加,半值时间TH减少和对应的凝并系数K将减少,随着初始浓度的增加浓度减半所需的换气次数将减小,证实了高压-高频电场具有使空间微小颗粒加速凝并的作用,为工程应用奠定了理论基础。  相似文献   

14.
罗小蓉  李肇基  张波 《半导体学报》2006,27(11):2005-2010
提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%.  相似文献   

15.
罗小蓉  李肇基  张波 《半导体学报》2006,27(11):2005-2010
提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%.  相似文献   

16.
基于UC3842的电流控制型脉宽调制开关稳压电源的研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
介绍了UC3842的特点和原理,并对其构成的电流控制型脉宽调制开关稳压电源进行了分析和实验。实验结果表明,该开关稳压电源具有频响快、电压调整率和负载调整率高的特点,是一种性能较好的开关稳压电源。  相似文献   

17.
微机控制高压整流设备既能保证获得除尘器在各种工作状态下的最大场强,又能有效地防止频繁闪络,可始终使除尘器运行在临界火花状态,保护整流设备,提高除尘效率。  相似文献   

18.
采用直流磁控溅射工艺实现氧化锌压敏陶瓷的金属化,提出以三层电极膜系(镍铬/铜/银)的结构来获得更优的机械性能和电性能。与传统丝印烧结银浆金属化工艺相比,磁控溅射工艺绿色环保,溅射电极的厚度可控,与基底的附着力更强,且具有更优的电性能。研究结果表明,采用磁控溅射工艺,膜层附着力可以从9.7 MPa提高到13.9 MPa;器件的非线性系数和压敏电压分别增加了45.5%和5.6%,漏电流降低了55%;经过125℃、100h的高温负荷寿命试验后,压敏电压变化率从1.32%降低到了0.61%。对于氧化锌压敏电阻,磁控溅射法制备的三层膜电极的电气性能、机械性能和可靠性均远优于烧银电极,具有良好的应用前景。  相似文献   

19.
电压互感器作为变电站电压采集的重要设备,对变电站的安全运行具有重要意义。针对变电站内部分电压互感器油位无法巡视的缺点,为了提高变电站电压互感器油位巡视覆盖率,研制了一种电压互感器油位巡视装置。该装置由相机、相机保护套、角度调节器、伸缩杆和防高压绝缘套组成,通过WiFi与手机通信。利用该装置记录无法巡视的电压互感器油位录像,或者直接与手机进行通信在低处进行安全观察,可切实解决电压互感器油位无法巡视的问题。通过对某地区变电站电压互感器油位无法巡视问题算例的分析,证明了该装置具有较高的实用价值。  相似文献   

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