太阳能硅片制造方法研究现状

太阳能硅片的制造工艺主要包括硅片的切割以及绒面制备两部分。本文介绍了外圆切割、内圆切割、多线切割及电火花线切割4种硅片的切割方法,综述了碱腐蚀、酸腐蚀、电化学腐蚀等9种制绒工艺,并分析其适用范围和特点。提出随着太阳能技术的应用需求不断扩大和晶体硅原材料供应的短缺,大尺寸超薄硅片切割技术的发展趋势将日益明显。最后指出了电火花电解复合线切割具有切割与制绒一体化的特点,是硅片制造方法的一个发展趋势。     

高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究

"叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构.针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,通过对浆料浓度、流量大小、抛光温度进行改进,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化.     

高浓度硼扩散硅片CMP工艺改进技术

“叉指式微加速度计”的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,采用原有CMP工艺很难将其去除．不能在高浓度硼扩散层上制作更好的“叉指式微加速度计”结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,通过改进双面粘片工艺．选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响．优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,获得表面无划道、无麻坑、无桔皮的高浓度硼扩散硅片。表面粗糙度20A,达到“叉指式微加速度计”工艺用片指标。     

硅片超精密磨削减薄工艺基础研究

<正>电子产品对高性能、多功能、小型化和低成本的需求推动了集成电路(IC)制造技术的高速发展,特别是便携式电子产品的飞速发展对IC封装技术提出了越来越高的要求,其中,叠层三维立体封装技术由于其空间占用小,电性能稳定、成本低等优点成为未来的主要发展趋势。在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下,要增加堆叠层数,必须对各层硅片进行背面减薄,且要求减薄硅片具有高面型精度、无表面/亚表面损伤。目前,采用金刚石砂轮的超精密磨削技术在硅片的背面减薄加工中     

硅片多丝切割技术的工艺研究

随着世界范围能源供应的日趋紧张和太阳能光伏产业的飞速发展,对硅片切割加工能力和硅片产能提出了更高的要求。论述了常见的硅片切割的方法,对硅片切割影响因素和多丝切割技术等工艺问题进行了探讨。     

单晶硅片制造工艺管理系统的设计与实现

通过对单晶硅片制造业调查,发现中小型规模的单晶硅片制造业在生产工艺管理上还是手工管理为主,工作任务繁重、效率低下,工艺数据的准确性、有效性不高,制造与管理成本居高不下,严重影响了产品的质量和企业核心竞争力的培植.因此,分析了单晶硅片制造的工艺流程,设计并开发了基于MVC模式的单晶硅片生产工艺管理系统,系统在上海某电子材料公司进行了测试,测试结果显示,性能良好,能够有效改善生产工艺流程的管理.     

硅片清洗助手

硅片生产好之后，为了便于运输，它们会被装在晶片承载器中。这里提到的装置是用来清洗这些硅片承载器的。     

硅片硬质抛光盘化学机械抛光工艺参数优化试验研究

在二氧化硅抛光液中加入聚合物微球,对硅片进行了复合粒子硬质抛光盘化学机械抛光试验.应用田口法对玻璃盘表面粗糙度、聚合物微球粒径、聚合物微球质量分数3个影响硅片材料去除率的因素进行了优化分析,得到以材料去除率为评价条件的最优抛光参数.对玻璃盘表面粗糙度和聚合物质量分数对硅片材料去除率的具体影响进行了实验分析,验证了上述结论.结果表明:玻璃盘的表面粗糙度与聚合物微球的粒径相适应和聚合物微球质量分数适中时,可以获得较高的抛光效率.     

对生产工艺学中的人—机交互作用的探讨

本文回顾了系统技术中人一机交互作用的论题,并对设备操作中的人机交互作用作尝试的探讨。人机交互作用协同工作为智能化生产系统提供了途径。     

金刚石线切割硅片技术

江西金葵能源科技有限公司近日成功研制出金刚石线切割硅片技术,该公司采用这种先进的金刚石线切割技术,将两根直径约215mm的单晶硅棒切割成了1907片、每片厚度仅有200mm的太阳能单晶硅准方片。运用这种硅片切割术,所消耗的水电比使用传统的砂浆切割技术减少了三分之二,而且切割速度也整整快了3倍。     

利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光工艺参数优化试验研究

为提高硅片抛光速率,提出利用复合磨粒抛光液对硅片进行化学机械抛光.分析SiO2磨粒与某种氨基树脂粒子在溶液中的相互作用机制,观察SiO2磨粒吸附在氨基树脂粒子表面的现象.通过向单一磨粒抛光液中加入聚合物粒子的方法获得了复合磨粒抛光液.应用田口法对SiO2磨粒质量分数、氨基树脂粒子质量分数以及抛光速度三个影响硅片材料去除率的工艺因素进行了优化分析,得到以材料去除率为评价条件的优化抛光工艺参数.试验结果表明:利用5wt%的SiO2磨料、3wt%的氨基树脂粒子形成的复合磨粒抛光液,在抛光盘和载样盘的转速均为50r/min以及抛光压力为22kPa的工艺条件下,对硅片进行抛光的抛光速率达到353nm/min.     

单晶硅片的制造技术

随着IC技术的进步,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展.传统的硅片制造技术主要适应小直径(≤200 mm)硅片的生产;随着大直径硅片的应用,硅片的超精密磨削得到广泛的应用.文章主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法的加工原理和工艺特点.     

硅片研磨与磨削加工

硅片切割之后,即进行精加工,以去除内圆磨割痕迹,提高表面微观质量,减少表面弯曲。半导体工业中普遍采用的精加工方法有双面研磨、磨削工艺,近来又研制成功旋转磨削新工艺。一、双面研磨 1.双面研磨的主要特征双面研磨是硅片制造中已确认的工艺。研磨目的是消除切痕,减少损伤深度,尤其是改善形状质量。     

硅片磨削砂轮的新进展

在硅片制造过程中,磨削加工已经成为非常重要的工艺手段.随着对硅片加工高质量、低成本要求的不断提高,对加工中所使用的磨削砂轮要求其具有低磨削表面损伤、良好的自锐能力、保持一致性、长寿命和低成本等性能.对硅片磨削砂轮近年来的技术进行了回顾,论述了为满足这些严格要求,在硅片磨削砂轮的磨料、结合剂材料、孔隙生成以及几何设计方面的进展.     

硅片切割张力控制策略研究

对硅棒的切片加工技术进行了简介,分析了切割线在走线过程中张力波动产生的原因。提出基于伺服电机转矩控制和张力摆杆相结合的张力控制方案来替代现有的张力重锤控制方案,并建立了该控制方案运动学模型和动力学模型,为张力反馈控制提供了理论依据。通过建立速度控制模式下伺服电机的数学模型,提出模型参考自适应速度同步控制方案与张力摆杆的反馈相结合的张力控制策略。在MATLAB/Simulink仿真环境下分别建立基于PID控制策略和自适应控制策略的张力控制系统仿真模型,仿真结果表明该控制方案明显优于PID控制方案,能够有效控制线速度同步误差和张力波动。     

单晶硅片的制造技术

随着IC技术的进步，集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径(φ≤200mm)硅片的生产；随着大直径硅片的应用，硅片的超精密磨削得到广泛的应用。本文主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法硅片磨削的加工原理和工艺特点。     

硅片真空夹紧装置设计

设计了一套硅片专用真空夹紧装置，包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵。为减少硅片在夹紧过程中变形，夹紧装置采用了多吸口、回旋槽的平面型结构；根据所需夹紧力大小，设计了抽速为0．3L／s的微型真空泵，泵内无油避免了对硅片的污染；对间隙返流进行了计算并分析了对泵性能的影响。     

自动硅片上料机的研制

近年来随着光伏产业发展,自动化设备在太阳能电池片生产线上得到广泛的运用。在工艺设备产能不断增长的背景下,对自动化设备的产能要求也越来越高。本文主要结合太阳能电池设计制造过程中硅片的上下料工艺,与传统上下料工艺的进行了对比。重点分析了太阳能自动化设备全自动硅片装片上下料机的结构、特性以及工作流程等。