电场作用下高分子中自陷束缚激了的极化

用同时计入电场、对称破损项ｔｅ和电子－晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子，发现电场使高分子中自吵缚激子内电荷发生转移，出现极化，极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关，并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学化理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两上靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明限上定域态是     

极化子单激发态的反向极化研究

通过对有机高分子中极化子的单激发态进行研究，发现该态在外电场下呈现反向极化特征，极化规律与双激子态类似.在强电场下，反向极化消失，极化子单激发态解离为一个单极化子和一个双极化子态. 关键词： 极化子态 激子态 反向极化     

原子无序起伏对反向极化稳定性的影响

考虑到缺陷、温度效应、掺杂等外界环境的影响,用方形随机分布和高斯随机分布模拟了格点原子的无序起伏,研究了在电场中高分子材料的双激子态反向极化的稳定性,发现当原子涨落不大于0.0148nm时,反向极化能够稳定存在.在格点扰动达到原子间距的14时,反向极化消失.进一步研究了简并参数te与反向极化的关系,同时讨论了在无序起伏较大时正向极化的起因. 关键词： 反向极化 双激子态 原子无序起伏     

高分子中双激子态对外电场的线性响应

在外电场中,非简并基态共轭高分子中的双激子具有反向极化的奇异特性.利用响应函数求得高分子链的双激子态在任意频率下的动态极化率χ(ω),并通过求ω→0极限,给出双激子态的静态极化率χ,证实了χ确实为负值.并与激子态和基态作了比较,分析了分子负极化率的起因.考察了响应函数在低频时的行为,指出激子和双激子的激发浓度增大会导致材料折射率n(ω)向不同方向变化. 关键词：     

链间耦合对聚合物中双激子态反向极化的影响

从紧束缚模型出发，研究了链间相互作用对双激子态反向极化的影响.结果发现：加链间耦合后，双激子态仍主要局域在一条链中.当简并破缺较小时，反向极化程度随耦合强度的增加大幅提高；当简并破缺较大时，反向极化程度随耦合强度的增加基本不变. 关键词： 反向极化 双激子态 链间耦合     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质 ,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括：研究方法,外电场注入的或光激发引起的电子和穴穴会在高分子中形成极化子激子,弱或中等强度电场使极化子激子极化,强电场解离极化子激子,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

ILC上Z玻色子与荷电top-pion对联合产生过程的研究

在国际直线对撞机(ILC)上顶色辅助的人工色(TC2)模型下对Z玻色子与荷电top-pion对联合产生过程e⁺e^- → Zπ_t⁺π_t^-进行了研究. 计算了过程e⁺e^- → Zπ_t⁺π_t^-的产生截面, 发现在TC2模型所允许的参数空间范围之内该过程的截面最大可达到1 fb. 考虑到荷电top-pion的主要的衰变模式π_t⁺ → tb, 发现该截面在ILC能产生很可观的事例数.     

高分子中激子和双激子的极化率(解析计算)

高分子的电致发光是载流子在电场中的输运和复合,为了阐明它的机理,需要研究高分子中激子的极化性质,首先求得了激子和双激子的解析解,然后用线性响应的Green函数方法计 算了两者的极化率,解析地证明了一个重要的结论：激子的极化率为正,双激子的极化率为负.从激子跃迁至双激子,高分子的电偶极矩要反转方向. 关键词： 激子 双激子 解析解 负极化率     

对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能

在有效质量近似下采用简单的尝试波函数变分地计算了对称GaAs/Al_0.3Ga_0.7As双量子阱中激子体系束缚能，研究了体系束缚能随阱宽和垒宽的变化情况. 发现双量子阱中激子体系束缚能随阱宽变化同单量子阱情况类似，但束缚能的峰值出现在阱宽为10?左右，峰值位置小于单阱的情况；束缚能随垒宽的增加有一极小值，这与波函数向垒中的渗透有关.