1.3μm InGaAsP／InP全金属化耦合封装侧面发光二极管

本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。     

双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管

叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2～3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯的最大光输出功率大于10mW。激光器组件由半导体致冷器,热敏电阻和 PIN 探测器组成,采用了标准的14针双列直插式管壳,实现了激光器组件的全金属化耦合封装,漏气率小于5×10~(-3)Pa·cm~2/s,尾纤输出功率典型值为1mW。     

1.3μm波长单模激光器实用化组件的研制

研制出单横模半导体激光器。使用国产元件已制成具有光控、温控、尾纤输出的组合器件,其基本性能达到了光通信实用化的要求。     

1.3μm单模光纤偏振控制器的研究

本文报道了一简单、经济、性能优良的１．３μｍ单模光纤偏振控制器设计和实验结果。对基于弯曲感生双折射的三鼓轮结构光纤线圈等效λ／４和λ／２光学波片实现偏振控制进行了理论分析，实验结果达到了相干光纤通信和光纤传感器的要求。     

单模光纤与条形波导的耦合封装技术

本文对单模光纤与条形波导的耦合封装技术进行了评述。使用改进后的“倒装”耦合技术进行了耦合实验,完成了单模光纤耦合 Ti:LiNbO_3波导相位调制器的封装,达到了光纤/器件(2厘米长波导)/光纤总插入损耗小于5dB。同时,阐述了耦合技术的发展方向。     

1.3μm波长超辐射发光二极管组件

光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验，确定了器件的结构，在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用１４针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括ＳＬＤ、光监视用ＰＩＮ光探测器、热敏电阻和半导体致冷器，可通过外电路对组件实现温控、光控，以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于３００μＷ，最大超过７００μＷ，光谱宽度大于３０ｎｍ。     

全金属化耦合封装的大功率半导体激光器模块

大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高,耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合,耦合效率达到87%;采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固定,实现了大功率半导体激光器模块的全金属化封装。通过环境考核试验证明,模块储存温度达到-60～120℃,能够满足许多特殊环境对半导体激光器模块的要求。     

单模光纤激光器耦合损耗分析

用函数逼近方法，将单模光纤中的光场分解为若干个高斯光束的迭加。在此基础上讨论了光纤端面相距反射镜为Ｌ时的耦合损耗。解释了实验中观测到的光纤耦合损耗行为。     

1.3μm超辐射发光二极管

本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。     

用准导模法分析单模光纤的模耦合损耗

本文用等效电流法将不规则的单模光纤看成是有源的理想光纤,求出极化电流场,并认为光纤损耗是由极化电流激发的准导模产生的。本文将准导模的概念用于等效电流法来求取单模光纤的模耦合损耗。这种方法脱离了耦合波的概念,但物理意义明确,方法简洁。     

半导体激光器与单模光纤的耦合研究

对半导体激光器与单模光纤的耦合问题进行了研究。文中对采用自聚集透镜对及采用薄透镜与自聚焦透镜组合来提高耦合效率的方案进行了理论分析，导出了各自方案中各组件的最佳空间位置，并给出了相应的实验结果。     

光波导-单模光纤的直接耦合

实现光波导－单模光纤的耦合是各种集成光学器件从实验室走向实用化的关键，耦合效率的高低直接影响到各种集成光学产品的性能。本文在分析影响耦合效率的主要因素的基础上，对现有的几种光波导－光纤耦合方式作了进上步的分析和比较。     

单模光纤耦合器耦合系数影响因素的研究

从理论上推导了2×2单模光纤耦合器耦合系数的计算公式。然后结合实际制作条件进行了合理的近似,从而分析了在实际制作中两条拉锥光纤之间的水平间距d0及拉锥基座垂直偏差y对于耦合器耦合系数的影响。     

单模光纤的非线性及其瞬态耦合波方程的解

过去对光纤非线性问题的研究只就针对某一现象分别采用某一方程加以研究。本文给出了单模光纤四种非线性过程的完整的瞬态耦合波方程,并得出其解析解。这四种非线性过程包括受激喇曼散射(SRS);受激布里渊散射(SBS);非线性折射指数及自相位调制和参量四光子混频。     

半导体激光器到单模光纤耦合技术的现状及发展趋势

简要阐述了半导体激光器到单模光纤的耦合损耗来源，详细介绍和分析了耦合技术的发展和现状，并探讨了耦合技术的发展趋势。     

IRE—161型发光二极管与多模光纤的耦合

ＩＲＥ—１６１型发光二极管与多模光纤的耦合□赵永平荣玉安（新疆阿克苏地区广播电视局８４３０００）摘要：用熔融法在多模光纤（Φ１００／１６０μｍ）端面制作半球微透镜，与ＩＲＥ—１６１型发光二极管进行耦合，耦合效率高于产品说明书给出数据推算值的１％。关键...