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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 52 毫秒
1.
通过选择高效窄带隙聚合物给体材料PTB7与电子受体材料PC71BM作为聚合物太阳电池的活性层,采用Glass/ITO/poly(ethylenedioxythiophene)∶polystyrene sulphonate(PEDOT∶PSS)/PTB7∶PC71BM/electron extraction layer(EEL)/Al的器件结构研究了不同EEL对器件性能及光稳定性的影响。通过采用小分子有机材料Alq3与低功函数碱金属Ca作为EEL,发现由于Ca的活泼金属特性及不稳定性,以Ca作为EEL的聚合物太阳电池的初始效率在3d之后就下降了60%;而以Alq3作为EEL的器件在空气中放置一个月之后其初始效率仅下降30%。此外,以Alq3作为EEL的器件光伏效率完全比得上传统器件中以Ca作为EEL的光伏器件。研究结果表明,Alq3是一种潜在的长寿命聚合物太阳电池的EEL材料。  相似文献   

2.
杨冰洋  何大伟  王永生 《物理学报》2015,64(10):108801-108801
采用Bathocuproine/Ag (BCP/Ag)复合电极代替Ca/Al复合电极, 制备PTB7:PC71BM 作为光敏层的聚合物光伏器件, 并通过改变BCP薄膜厚度来研究BCP/Ag复合电极对于器件光电转换器和稳定性的影响. 研究发现: 在光敏层和金属电极之间插入BCP修饰层后, 器件性能得到了显著的改善, 在BCP厚度为5 nm时, 器件的效率达到了6.82%, 且略高于Ca/Al复合电极的器件效率; 相比于采用Ca/Al复合电极的器件, BCP/Ag复合电极增大了器件的短路电流和外量子效率, 使器件效率得到提高; 同时器件的稳定性得到了显著的改善, BCP/Ag 复合电极器件的衰减速率几乎和未插入BCP的器件衰减速率相同, 相对于Ca/Al复合电极器件大幅提高.  相似文献   

3.
氧化锌具有良好电子传输性和高透光性,ZnO作为电子传输层已被广泛应用于聚合物太阳能电池。但采用溶胶凝胶法和真空镀膜制备ZnO电子传输层,因ZnO界面具有大量缺陷,极大增加载流子复合。抑制ZnO界面复合电流和改善ZnO界面接触性能,是提高ZnO基电子传输层聚合物太阳能电池性能关键所在。基于P3HT:PCBM反转型聚合物太阳能电池,采用磁控溅射ZnO层,研究了离子液功能化碳纳米粒子(ILCNs)修饰层或Ar/O2混合气体溅射沉积ZnO修饰层,以及Ar/O2溅射ZnO界面层与ILCNs联合修饰ZnO界面的聚合物太阳能电池性能。纯Ar和Ar/O2混合气体下一步溅射沉积ZnO电子传输层,其电池效率分别为2.2%和2.8%。经ILCNs修饰或Ar/O2溅射ZnO修饰层,电池效率分别达到3.4%和3.1%,并且分步溅射ZnO层并联合ILCNs修饰ZnO界面,聚合物太阳能电池效率可提高到3.8%。ZnO修饰型聚合物太阳能电池克服了电化学阻抗负阻效应,降低了反向暗电流并显示出更好的整流特性。研究表明,采用ILCNs修饰ZnO层和分步溅射ZnO层能有效抑制ZnO界面缺陷和改善界面接触性能,而采用分步溅射ZnO层与ILCNs联合修饰ZnO界面,这种联合修饰ZnO界面方案,更能增强ZnO层电子传输和提取能力,是提高聚合物太阳能电池效率更为有效方案。  相似文献   

4.
双电子传输层结构硫硒化锑太阳电池的界面特性优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
硫硒化锑薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富无毒、光电性质稳定等优点,成为了光伏领域的研究热点.经过近几年的发展,硫硒化锑太阳电池的光电转换效率已经突破10%,极具发展潜力.本文针对硫硒化锑太阳电池中n/i界面引起的载流子复合进行了深入研究.发现硫硒化锑太阳电池的界面特性会受到界面电子迁移能力和能带结构两方面的影响.界面电子迁移率的提高能使电子更有效地传输至电子传输层,实现器件短路电流密度和填充因子的有效提升.在此基础上,引入ZnO/Zn1-xMgxO双电子传输层结构能够进一步优化硫硒化锑太阳电池性能.其中,Zn1-xMgxO能级位置的改变可以同时调节界面和吸光层的能级分布,在Zn1-xMgxO导带能级为-4.2 eV,对应Mg含量为20%时,抑制载流子复合的效果最为明显,硫硒化锑太阳电池也获得了最佳的器件性能.在去除缺陷态的理想情况下,双电子传输层结构硫硒化锑太阳电池在600 nm厚时获得了20.77%的理论光电转换效率,该研究结果为硫硒化锑太阳电池...  相似文献   

5.
于立军  贺小光  王宁  田苗苗 《发光学报》2014,35(11):1349-1353
介绍了一种简单的光退火提高倒置型聚合物太阳电池效率的方法。通过采用易于溶液加工的Cs2CO3作为电子传输层,在光退火15min之后,器件的光电转换效率达到了8.35%,其中短路电流密度为15.8mA/cm2,开路电压为0.76V,填充因子为69.5%。该填充因子是目前基于PTB7聚合物太阳电池的最高填充因子。X射线光电子能谱结果显示,Cs2CO3在光退火的过程中转变为了Cs2O与CO2。为了验证该机制,采用不同辐照时间的Cs2CO3作为电子传输层,所得到的光伏器件的效率几乎与光退火时相同。此外,通过真空热蒸发Cs2CO3作为电子传输层,也几乎得到了和光退火条件下同样的光电转换效率。上述结论证明光退火是一种非常有效的、简单的提高聚合太阳电池效率的方法。

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6.
Y分支有机聚合物热光开关的研制   总被引:15,自引:8,他引:7  
利用有机聚合物材料热光效应进行Y分支结构光波导开关的研究和制作,实验结果显示光开关具有小于-20dB的串音,驱动功率为110mW-130mW。同时给出插入损耗的测试结果,并分析了其产生的各种原因。针对器件的开关速度问题,提出了解决方法。  相似文献   

7.
8.
本研究利用溶胶凝胶法制备了Ti_xZn_(1-x)O纳米粒子,并且分析了Ti掺杂对ZnO纳米粒子晶体结构与光学特性的影响.微观结构分析得知Ti掺杂会使ZnO结晶较差,晶格常数与压缩应力增大,但可使晶粒缩小至5 nm左右.光致发光(PL)光谱分析得出Ti掺杂会造成氧空位缺陷减少,近带边发光(NBE)峰值蓝移,但NBE峰值强度增幅变化却不大.拉曼光谱分析表明Ti_xZn_(1-x)O的结晶品质不佳且NBE峰值强度的增幅未完全依循多声子模态信号减弱而增强的规律,其原因是NBE峰值强度除受多声子模态信号影响外还受其它因素的影响.TC(002)值越高时样品的多声子模态信号会越弱,而NBE峰值强度增幅越大.  相似文献   

9.
陷光是改善薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一. 以非晶硅(α-Si)薄膜太阳电池为例,设计了一种新的复合陷光结构:在Ag背电极与硅薄膜之间制备一维Ag纳米光栅,并通过保形生长在电池前表面沉积织构的减反膜. 采用有限元数值模拟方法,研究了该复合陷光结构对电池光吸收的影响,并对Ag纳米光栅的结构参数进行了优化. 模拟结果表明:该复合陷光结构可在宽光谱范围内较大地提高太阳电池的光吸收;当Ag纳米光栅的周期P为600 nm,高度H为90 nm,宽度W为180 nm时,在AM1.5光谱垂直入射条件下α-Si薄膜电池在300–800 nm波长范围内总的光吸收较无陷光结构的参考电池提高达103%,其中在650–750 nm长波范围内的光子吸收率提高达300%以上. 结合电场强度分布,对电池在各个波段光吸收提高的物理机制进行了分析. 另外,该复合陷光结构的引入,还较大地改善了非晶硅电池对太阳光入射角度的敏感性.关键词:非晶硅太阳电池陷光银纳米光栅数值模拟  相似文献   

10.
闫悦  赵谡玲  徐征  龚伟  王大伟 《物理学报》2011,60(8):88803-088803
以ZnO纳米棒和聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)的复合体系作为光敏层制备了太阳电池.为了增大电池的光吸收,在ZnO纳米棒与MEH-PPV之间插入了有机n型小分子多环类苝四甲酸二酐(PTCDA),制备了不同厚度的PTCDA、结构为ITO/ZnO纳米棒/PTCDA/MEH-PPV/Au的太阳电池.实验发现,插入PTCDA后,电池在可见光区的吸收增强,光生激子数量增大,光电流密度增大.当蒸镀的PTCDA厚度为40 nm时,薄膜的粗糙度适中,表面形貌较为平滑,器件性关键词:有机太阳电池ZnO纳米棒聚合物  相似文献   

11.
采用旋涂法研制了Ag浆SC100-ZnO混合薄膜,系统研究了不同混合比例SC100∶ZnO薄膜作为电子传输层或光散射层对聚合物太阳能电池器件性能的影响,并讨论了其中存在的物理机制。研究发现,采用少量SC100(1%和2.5%)混合的薄膜作为光散射层,可以提高器件的性能参数(短路电流密度和填充因子),器件的光电转换效率分别提高了4.4%和5%。  相似文献   

12.
平面异质结有机-无机杂化钙钛矿太阳电池研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
王福芝  谭占鳌  戴松元  李永舫 《物理学报》2015,64(3):38401-038401
高效低成本太阳电池的研发是太阳能光伏技术大规模推广应用的关键. 近年来兴起的有机- 无机杂化钙钛矿(以下简称钙钛矿)太阳电池因具有光电能量转换效率高、制备工艺简单等优点, 引起了学术界和产业界的广泛关注, 具有广阔的发展前景. 其中平面异质结钙钛矿太阳电池因具有结构简单, 可低温制备等诸多优点, 成为目前研究的一个重要方向. 平面异质结钙钛矿太阳电池分为n-i-p型和p-i-n型两种结构. 其中钙钛矿分别与电子传输层和空穴传输层形成两个界面, 在这两个界面上实现电子和空穴的快速分离. 电子传输层和空穴传输层分别为电子和空穴提供了独立的输运通道. 平面异质结结构有利于钙钛矿太阳电池中电子和空穴的分离、传输和收集. 此外, 该结构不需要高温烧结的多孔结构氧化物骨架, 扩大了电子和空穴传输材料的选择范围. 可以根据钙钛矿材料的能带分布及载流子传输特性, 来选择能级和载流子传输速率更为匹配的传输材料. 本文对钙钛矿的材料特性, 平面异质结结构的由来及发展进行了简要的概述. 其中重点介绍了平面异质结钙钛矿太阳电池的结构特征、工作机理、钙钛矿/电荷传输层的界面特性, 以及电池性能的优化, 包括钙钛矿薄膜制备、空穴和电子传输层的优化等. 最后对钙钛矿电池的发展前景及存在问题进行了阐述, 为今后高效、稳定钙钛矿太阳电池的研究提供参考.  相似文献   

13.
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We investigated the effects of using different thicknesses of pure and vanadium-doped thin films of TiO_2 as the electron transport layer in the inverted configuration of organic photovoltaic cells based on poly(3-hexylthiophene) P3HT:[6-6] phenyl-(6) butyric acid methyl ester(PCBM). 1% vanadium-doped TiO_2nanoparticles were synthesized via the solvothermal method. Crystalline structure, morphology, and optical properties of pure and vanadium-doped TiO_2 thin films were studied by different techniques such as x-ray diffraction, scanning electron microscopy, transmittance electron microscopy, and UV–visible transmission spectrum. The doctor blade method which is compatible with roll-2-roll printing was used for deposition of pure and vanadium-doped TiO_2 thin films with thicknesses of 30 nm and 60 nm. The final results revealed that the best thickness of TiO_2 thin films for our fabricated cells was 30 nm. The cell with vanadium-doped TiO_2 thin film showed slightly higher power conversion efficiency and great J_(sc) of 10.7 mA/cm~2 compared with its pure counterpart. In the cells using 60 nm pure and vanadium-doped TiO_2 layers, the cell using the doped layer showed much higher efficiency. It is remarkable that the external quantum efficiency of vanadium-doped TiO_2 thin film was better in all wavelengths.  相似文献   

14.
    
Infrared (IR) solar cells are potential optoelectronic devices for boosting the power conversion efficiency (PCE) of conventional photovoltaics (such as pervoskite and silicon solar cells) by broadening the utilization range of the sunlight spectrum to short-wavelength infrared region. PbSe colloidal quantum dots (QDs) are one of the optimal candidates for IR solar cells because of their tunable bandgap in the IR region and flexible solution processibility. At present, the best PbSe QD IR photovoltaics generally adopt ZnO as an electron transport layer (ETL). However, the intrinsic drawbacks and surface defects of ZnO can potentially deteriorate the PCE of devices. Herein, Ti3C2Tx, a representative 2D transition carbide, is combined with sol-gel ZnO to develop a new hybrid ETL for fabricating high-performance IR solar cells. This combination effectively suppresses the defects within ZnO by forming new bondings and simultaneously enhances the crystalline of ZnO film. Meanwhile, the introduction of Ti3C2Tx into ZnO film accelerates the transport and collection of photo-generated carriers by constructing a new electron transport pathway. Consequently, compared to the bare devices, the infrared PCE of PbSe QD solar cells increases by 19.5% to 1.04%. These results demonstrate that this hybrid ETL can offer a bright approach for developing high-performance optoelectronic devices.  相似文献   

15.
    
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16.
锡基钙钛矿太阳能电池可避免铅元素对环境带来的污染,近年来已成为光伏领域的研究热点.本文以SCAPS-1D太阳能电池数值模拟软件为平台,对不同电子传输层和不同空穴传输层的锡基钙钛矿太阳能电池器件的性能进行数值仿真对比,从理论上分析不同载流子传输层的锡基钙钛矿太阳能电池的性能差异.结果显示,载流子传输层与钙钛矿层的能带对齐...  相似文献   

17.
钙钛矿太阳能电池中电子传输材料的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
丁雄傑  倪露  马圣博  马英壮  肖立新  陈志坚 《物理学报》2015,64(3):38802-038802
有机-无机杂化的卤素钙钛矿材料在2009年首次应用在光伏器件中, 而后有关此类型太阳能电池的报道数量呈井喷式增长. 至2014年5月钙钛矿电池光电转化效率已接近20%, 已超过有机及染料敏化太阳能电池的效率, 且有望达到单晶硅太阳能的水平, 成为光伏发电领域中的希望之星. 在钙钛矿电池中, 电子传输材料与吸收层的电子选择性接触对提高光电转化效率起到重要作用, 尤其在正置结构器件中, 电子传输层的介观结构直接影响钙钛矿的生长情况. 同时, 电子传输层的化学性质及其界面也会对电池的稳定性和寿命产生影响. 本文总结了电子传输材料在该类电池中的研究现状和热点, 并按材料的化学组分不同, 将电子传输材料分为三类: 金属氧化物、有机小分子和复合材料, 详细地介绍了电子传输材料在钙钛矿太阳能电池中的作用和近来的最新进展.  相似文献   

18.
    
Operational stability is the main obstacle to the industrial applications of organic solar cells (OSCs). In this study, different degradation mechanisms under continuous simulated solar radiation are demonstrated for high-performance non-fullerene OSCs based on commonly used electron transport materials, i.e., ZnO and SnO2. The ZnO-induced decomposition pathways of A-DA'D-A type non-fullerene acceptors (NFAs) under UV illumination are unraveled for the first time and related to N-dealkylation of pyrrole from the core moiety. In the case of SnO2, poor photo-stability is primarily ascribed to a high density of trap states, which can be diminished by surface modification to achieve better device stability that is comparable with the stability under LED illumination without UV components. With a thorough understanding of the degradation pathways, this study provides valuable guidelines for designing high-performance and stable non-fullerene OSCs.  相似文献   

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