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本文综合约20个 YBa2Cu3O7-4的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO2平面外和CuO2平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO2平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性. 相似文献
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《中国科学A辑》1989,32(9):937-942
在不同的退火温度下,由空气淬火方法制备出理想正交相和典型四方相的YBa2Cu3O7-δ。单相样品,以及结构介于两者之间的过渡相样品。从X光衍射、电阻温度关系、交流磁化率温度关系等实验结果我们得到了如下结论:(1)样品的结构随着淬火温度的逐渐降低而产生由四方相向正交相的过渡;(2)YBa2Cu3O7-δ四方相直至2.4K都是不超导的;(3)过渡体系样品中超导临界温度的高低依赖于样品结构的正交畸变程度;(4)本文中首次发现了不超导的四方相在100K附近结构相变可能存在的证据;(5)淬火温度较高的样品在高温区(>100K)的电导特性可以用样品中氧缺位的影响加以解释。 相似文献
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对新概念指导下而设计的 (La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体进行了119Sn MÖssbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,MÖssbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn4+价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn2 +离子 .Sn4+离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La2 CuO4母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 . 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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用透射光谱法和光热偏转谱法测得了C60和C70薄膜在宽能量范围(0.6到6.5 eV)的光谱,并计算了吸收系数.根据分子轨道模型分析了C60和C70薄膜的光跃迁行为.Fuller烯薄膜的弱吸收光谱与非晶硅的类似.用Tauc公式确定了C60和C70薄膜的光学带隙分别为1.75和1.65eV.Urbach吸收边和亚隙吸收表明Fuller烯薄膜中存在无序状态,导致带尾态和缺陷态,这虽非C60或C70薄膜所固有,但无序的存在给准确测定Fuller烯薄膜的禁带宽度带来障碍.讨论了偏转介质与衬底对Fuller烯薄膜的弱吸收光谱的影响. 相似文献
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利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
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用扫描电子显微术(SEM)研究了微波等离子体CVD生长金刚石系统,金刚石在以C60蒸发膜为抛光Si衬底中间层上的成核行为,实验证实金刚石成核于C60蒸发膜表面,同时观察到成核分布的不均匀性即成核聚集现象,并对此进行了初步分析。金刚石在C60薄膜表面的成核表现出取向生长的特征。 相似文献
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研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr2Cu2.7Mo0.3 O7-δ结构上与RBa2Cu3O7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果 相似文献
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用气相控制成核密度法 ,生长出了尺寸可达 5mm的C70单晶 .X射线衍射分析及电子衍射分析结果表明C70单晶在室温下为六方密堆积结构 (hcp)相与少量面心立方结构 (fcc)相共存 .用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C70单晶的生长形貌 ,分析了形成机制 ,探讨了生长条件对C70 单晶生长形态的影响 相似文献
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使用激光分子束外延 ,在SrTiO3 ( 1 0 0 )单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的 ,具有原子量级控制精度的BaTiO3/SrTiO3超晶格 .利用晶格失配导致的薄膜表面台阶密度的周期性变化 ,讨论了反射式高能电子衍射 (RHEED)强度在BaTiO3 层和SrTiO3 层中的周期性调制 .系统研究了二阶非线性光学极化率同超晶格结构的关系 .实验测量和理论拟合结果表明 ,BaTiO3 /SrTiO3 超晶格的二阶非线性光学极化率显著增强 ,其最大值比BaTi3体单晶提高一个数量级以上 .从应力导致的晶格畸变和极化增强出发 ,讨论了二阶光学非线性增强的物理机制 相似文献
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在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论. 相似文献
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本文给出了Oh点群表象中的d2,8(C3v*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX3:Ni2+(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl3晶体中的Ni2+杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv0)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质作出了统一的理论解释。 相似文献
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研究了R2O3-AIN-AI2O3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及R2O3-AIN-AI2O3系统在1700℃的等温截面.发现存有一个组成为RAl12O18N的新相,其结构同β—Al2O3.本文对其它轻稀土元素可否形成新相也作了探讨.发现从La到Eu(除了Pm未测外)都能在组成RAl12O18N处形成含N的β-Al2O3相.经测定它们的单相区范围为:当R=Nd和Sm时,含Nβ-Al2O3相只发生在RAl12O18N组成处;而其它稀土的含Nβ-Al2O3相的组成都扩大到纯氧化物一端,即R2O3:11Al2O3处.经测定RAl12O18N的晶胞常数(a=5.557和c=22.00)几乎不随R而变化.1700℃时,在Nd2O3-Nd2AlO3N-NdAlO3三角形区域中存有一个很大液相区. 相似文献