量子点在透射电镜中的电子辐照损伤行为

本文以ZnCdS和CsPbBr3量子点为例,研究了量子点在透射电镜中的电子辐照损伤行为.研究表明:低倍率(<100 k)下量子点受到的辐照损伤较小,对成像的影响可以忽略;在高倍率(400 k)下,电子束辐照会对量子点造成极大的损伤,导致其形貌和结构都产生明显的改变;光强越大,辐照时间越长,样品的损伤越严重.本文同时介绍...     

飞秒激光辐照ZnO晶体

利用飞秒激光对ZnO晶体进行辐照,对辐照前后的晶体样品进行发光光谱及拉曼光谱检测.辐照后发光光谱的某些发光峰强度有明显增强,但未产生新的发光峰,表明没有新的缺陷结构产生,但晶体内锌空位、间隙位锌、间隙位缺陷浓度增加.拉曼光谱结果表明,辐照后ZnO晶体未产生相变,但随着辐照激光功率的增大,拉曼峰327 cm-1,437 cm-1强度明显减弱,表明在飞秒激光辐照作用下氧化锌的结晶程度下降.但574 cm-1峰值却随着辐照功率的增大而变大,分析表明该拉曼峰很可能是由于晶体内间隙位缺陷所致.同时实验过程中观察到飞秒激光倍频光产生.     

激光辐照HgCdTe晶体研究进展

对激光与物质相互作用原理进行了简要介绍,列举了HgCdTe晶体与激光相互作用的研究进展。主要对激光与HgCdTe晶体相互作用时表现出来的现象和实验技术进行了探讨,并对新的测量技术做出了展望。     

高聚物电子显微学的离子蚀刻技术

电子显微镜的发展对研究高聚物材料的形态结构提供了一种有力而方便的手段。为了提高图象观察的质量和真实反映材料结构的细节必须使材料的结构细节充分暴露出来。暴露材料结构的方法很多,其中以氩离子蚀刻法最简易可行。本文介绍了氩离子蚀刻技术处理刚性链和柔性链两类性质不同高聚物材料的试样,並用透射和扫描电子显微镜观察其形态结构。结果表明,在选择合适的蚀刻条件下,氩离子蚀刻法是高聚物材料电镜研究中的一种较为理想的制样技术。     

电子辐照晶体管的稳定性

本文表明了电子辐照晶体管经高温处理后参数是稳定的,由加速热老化实验得到,电子辐照失效激活能E=1.50eV,使用寿命为6600小时.     

电子辐照晶体管的研究

本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H(0.41)能级.晶体管的等时退火特性表明这些缺陷在420℃以上的温度才能消失,这足以证明这些缺陷具有很好的热稳定性.     

浅谈电子加速器辐照技术

用电子加速器产生的高能电子束照射可使一些物质产生物理、化学和生物学效应，并能有效地杀灭病菌、病毒和害虫。这一技术已被广泛应用于工业生产中的材料改性、新材料制造、环境保护、加工生产、医疗卫生用品灭菌消毒和食品灭菌保鲜等。它同钴源辐照一样，具有常温、无损伤、无残毒、环保、低能耗、运行操作简便、自动化程度高、适宜于大规模工业化生产等特点。     

电子辐照快速恢复二极管

电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部（哈尔滨１５００７６）本试验为ＺＫ５０Ａ快速恢复二极管。芯片厚３２０μｍ，ｎ型衬底电阻率３０～５０Ω·ｃｍ。将二极管芯片置于ＪＪ１．２型电子静电加速器扫描盒下，在大气室温环境下用电子束照射。为试验辐照...     

发光二极管电子辐照效应的研究

研究电子辐照对发光二极管（Light emitting diode,LED）性能的影响。利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子的能量是1.0 MeV,辐射最大剂量为1106 rad（Si）。辐照期间,采用异位测试的方法进行光学量和电学量的测量,并进行辐射后退火效应的研究。结果表明:随着辐照剂量的增加,LED的输出光功率近似线性衰减,其正向压降V增大,且不同的试验条件对LED性能损伤的程度不同。此外,辐射停止后的一段时间,器件的性能有所恢复,并趋于稳定。同时利用电子辐照机理对试验结果进行理论分析和讨论。     

电子、质子、X和Y射线辐照过程中和辐照后加固MOS器件的损伤恢复

本文报导了电子、质子、X和Y射线辐照期间和辐照后加固MOS器件的恢复特怀。结果表明,复杂的恢复特性受被试元件的损伤灵敏度控制。结果还表明,损伤灵敏度取决于剂量率、总剂量、电源偏置、栅极偏置、晶体管类型、辐射源和粒子能量。如果没有相应的地面的试验和分析结果,这些依赖关系的复杂性质来解释在空间(暴露在电子和质子的整个光谱中)的LIS器件即或不是不可能的。性能也是十分困难的。某些情况下,n沟器件的阈值电压漂移可以在辐照后几小时之内完全恢复,这时具有的阈值电压平衡值大于辐照前的值。这个效应取决于总剂量,辐射源和暴露过程中的栅偏置电压。相比之下,p沟器件的阈值电压漂移在受辐射后30天内只能恢复20％。     

CaF_2晶体的不同晶面在355nm脉冲激光辐照下的损伤特性

研究了氟化钙(CaF_2)晶体不同晶面在355 nm脉冲激光辐照下的损伤特性。在7.8 ns脉冲激光辐照下,测量(100)、(110)和(111)三种不同晶面样品的损伤阈值和损伤点形貌,并基于表面热透镜技术测量样品表面的光热弱吸收。实验结果表明:(111)晶面CaF_2晶体样品的光热吸收最高,激光损伤阈值最低,损伤形貌表现为熔融坑,并伴随有片层状剥离,说明了(111)面在355 nm激光作用下易解理;(100)和(110)面晶体的损伤形貌同样为熔融坑,但损伤阈值及光热弱吸收与晶面无明确的关联。     

双极器件的快中子辐照损伤

从双极器件在快中子脉冲辐射下Ｆｒｅｎｋｅｌ缺陷的产生及其退火机理出发，推导出器件β在中子脉冲作用下随ＡＦ（ｔ）和电荷浓度变化的数学模型。同时，给出器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法及实验结果。     

电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。     

GaAs MESFET电子辐照效应的研究

本文研究了GaAs MESFET的12MeV电子辐照效应.在n型VPE GaAs有源层中电子辐照感生了E_1~＇(E_c-0.38eV)、E_2~＇(E_c-0.57eV)、E_s~＇(E_c-0.74eV)缺陷.研究表明,GaAsMFSFET参数的变化主要是由于载流子去除效应.对器件载流子去除率进行了计算,其值在8-30cm~(-1)范围内.迁移率退化因子是比较小的,在室温大约为10~(-17)cm~2量级.     

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。     

γ射线辐照快速生长KDP晶体的性能

采用连续过滤快速横向生长技术,有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度,提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后,测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示,不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式,但会降低912 cm~(-1)处的晶格振动强度;γ射线辐照诱导缺陷的种类不变,但随着辐照剂量的增大,缺陷浓度增大;晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。     

晶体电子显微学与诺贝尔奖

瑞典皇家科学院在1982年10月18日的公告中宣布,当年的诺贝尔化学奖颁发给英国医学研究委员会分子生物实验室的克卢格(A.Klug)博士,以表彰他在发展晶体电子显微学(Crystallographic Electron Microscopy)及核酸—蛋白质复合体的晶体结构方面所做出的卓越贡献。这是主要从事电子显微学的科研工作者第一次获得这种国际上威望最高的自然科学奖,又发生在人们热烈庆祝电子显微镜问世五十周年之际,这对所有从事电子显微学的科研工作者都是很大的鼓舞。     

不同的辐照方法对钴^60辐照红细胞的损伤

目的：评估不同的辐照方法对MAP保存液中红细胞造成的影响及存储损伤。方法：将滤除白细胞的红细胞悬液分三组．对照组不予辐照,即刻辐照组在采集后立刻辐照,14日辐照组在保存14日后进行辐照。在储存期的1、7、14、21、28、35天检测三组红细胞钾离子浓度、平均细胞体积及红细胞刚性指数,结果：辐照前14日辐照组刚性指数升高缓慢,辐照后升高加速,但至第35天时仍低于即刻辐照组。这种变化规律同样可以见于MCV与钾离子浓度检测。结论：血站发血前辐照红细胞悬液的方法是合理的。