辐射型漏泄同轴电缆耦合损耗分析

耦合损耗是表征辐射型漏泄同轴电缆与外界环境之间电磁波能量相互耦合强度的特性参数,也是区别辐射型漏泄同轴电缆与其它射频同轴电缆的唯一指标。本文将采用柱面傅里叶变换法推导耦合损耗的计算公式,讨论影响耦合损耗的相关因素,并通过设计与仿真分析耦合损耗。     

移动通信系统用漏泄同轴电缆

本文介绍了漏泄射频同轴电缆在移动通信中的应用,其传输原理,制作工艺,耦合损耗的测试系统;漏泄同轴电缆高计注意事项,以及针对不同漏泄同轴电缆的选用方法.     

漏泄同轴电缆辐射模式分析及高次模抑制

本文从Ｆｌｏｑｕｅｔ定理出发,详细分析了漏泄同轴电缆的辐射模式,给出了辐射模式的存在条件,讨论了单模辐射的频带宽度。在此基础上进一步研究了高次模的抑制方法及其在电缆结构上的实现,目的是扩展单模辐射的频带宽度。本文理论是根据频带宽度的要求设计漏泄同轴电缆外导体上缝隙排列方式的基础。     

漏泄同轴电缆耦合损耗特性评定的探讨

除长度耦合损耗(Lc,50、Lc,95)值外,增加Lc,95-Lc,50值、天线三向Lc,95值、Lc,95耦合损耗圆图及其不圆度参量,扩展了IEC标准中的"耦合损耗",全面评定漏泄同轴电缆辐射电场特性。实例分析讨论不同结构漏泄同轴电缆辐射电场特性。     

漏泄同轴电缆辐射电场评定标准的探讨

在漏泄同轴电缆辐射电场评定标准中除原有的长度耦合损耗指标外,建议增补圆周耦合损耗、高度耦合损耗、水平耦合损耗等指标,以达到全面评定漏泄同轴电缆辐射电场特性的目的.     

U形漏泄同轴电缆的设计与实现

为达到某移动通信系统对漏泄同轴电缆主要电气指标的要求,设计一种U形漏泄同轴电缆,以满足工程应用。阐述了漏泄同轴电缆耦合损耗和传输衰减两个重要电气指标,以U形漏泄同轴电缆实例,利用三维电磁仿真软件HFSS仿真分析900 MHz工作频率下节距及槽孔尺寸的变化对耦合损耗、传输衰减的影响,仿真结果与实测结果吻合良好。结果表明U形漏泄同轴电缆节距越小,漏泄同轴电缆耦合损耗越小。     

4G用漏泄同轴电缆设计与性能研究

本文对漏缆的主要电气性能指标进行了简要阐述,分别介绍衰减、耦合损耗、系统损耗。着重研究分析了内导体尺寸、外导体包覆、外导体开槽形式对衰减、耦合损耗和系统损耗的影响,为4G用漏泄同轴电缆设计提供参考依据。     

辐射型漏泄同轴电缆电压驻波比影响因素分析

对辐射型漏泄同轴电缆电压驻波比影响的因素进行了分析,通过仿真及实际测试对分析元素进行了验证,探讨了在实际生产过程中对辐射型同轴电缆的电压驻波比的影响.     

漏泄同轴电缆的性能参数及其影响因素的研究

本文介绍了漏泄同轴电缆的类型和漏泄原理,以双八字槽漏泄同轴电缆为例．分析和讨论了漏泄同轴电缆的主要性能参数及其影响因素．为漏泄同轴电缆的设计工作提供了参考依据。     

八字槽漏泄同轴电缆电容的有限差分法计算

用三维有限差分法对漏泄同轴电缆的电容进行了计算。文中首先由拉普拉斯方程导出封闭段和开槽段漏缆电位的差分方程,结合各分界面处的边界条件进行离散化,得到了电位的计算式,进而得到电容的计算式。讨论了该方法的计算精度对计算结果的影响,并与同规格漏缆实测值比较,验证了该方法的有效性。最后研究了漏缆缝隙角度对电容值的影响情况。     

漏泄同轴电缆测试系统

通过对VISA虚拟架构的研究,以NI LabVIEW 8.20开发环境为基础,通过GPIB接口与R&S FSL3以及R&S SMB100A进行连接,以USB接口与NI USB-9162相连,并以Microsoft Office Access数据库作为载体,进行损耗测量数据记录、分析、报表生成等工作,共同构建了一个漏泄同轴电缆测试系统。该测试系统已在江苏一知名电缆制造工厂投入测试应用。     

3GHz宽带“八”字槽漏泄同轴电缆的设计及性能

3GHz宽带漏泄同轴电缆的设计要求是在3GHz宽带频率范围内所有使用频段都具有有效的传输距离（衰减）及良好的辐射特性（足够的耦合损耗及均匀的全向辐射场强图）。通过外导体“八”字槽孔结构参数的设计调整,研制出在3GHz所有的通信频率中均能使用,并具有优良性能的辐射型漏泄同轴电缆。     

VHF 频段漏泄同轴电缆埋地传感器研究

为了获得漏泄同轴电缆作为一种埋地探测传感器的电气特性,研究适用于周界入侵探测系统的漏泄同轴电缆,设计了一种外导体为八字形开槽的漏泄同轴电缆。基于漏泄同轴电缆的理论分析和相关行业标准,利用商业电磁仿真软件Ansoft HFSS,建立了用于计算漏泄同轴电缆传输衰减和耦合损耗等重要电气特性的电磁仿真模型,作为一种工作在VHF 频段的埋地传感器,利用实验数据分析其VHF 频段工作特性,建立了用于分析耦合损耗特性的埋地传感器系统模型,分析了结构尺寸参数对耦合特性的影响,进一步计算了漏泄同轴电缆的多个电气性能参数及其变化规律。仿真结果表明:在VHF 频段,槽口缝隙的长度、倾角会对埋设双缆的接收特性产生影响,槽口越长倾角越大则接收效率越高,作为传感器单元的LCX 对比实验表明仿真与实测的结果具有良好的一致性。     

八字形槽漏泄同轴电缆耦合损耗仿真分析

广泛应用于地铁、隧道、地下商场、矿井等闭域空间的漏泄同轴电缆,因不同应用环境对其电气性能要求不同,因此分析影响漏泄同轴电缆耦合损耗等电气性能的因素、探索其变化规律,具有重要的工程应用价值。文中分析了八字形槽孔漏泄同轴电缆耦合损耗随槽孔角度、长度和槽孔节距的变化规律,提出保持单八字形槽孔对几何结构参数不变,仅改变相邻八字形槽孔对之间距离的槽孔节距调节方法。给出了采用此种方法的实际设计算例,仿真结果与实测结果吻合。     

基于FDTD方法的同轴电缆孔缝辐射效应研究

利用时域有限差分法(FDTD)研究了同轴电缆传输数字脉冲信号时的孔缝辐射效应。文中首先推导了三维柱坐标系下完全匹配层(PML)的差分表达式，并给出保证其解稳定性的更为严格的时间步长公式。然后利用FDTD法分析了数字信号经同轴电缆孔缝的辐射效应，对孔缝内外的电磁场及其远场进行了数值分析和计算。处理孔缝边界时，用级数展开和积分方程得到金属拐角处电磁场的近似解。最后对结果进行了分析。     

空间均匀和非均匀场下H2+辐射谐波的空间分布

为了了解H₂+分子辐射谐波的空间分布,采用数值求解非玻恩-奥本海默近似的薛定谔方程,进行了空间均匀和非均匀激光场下H₂+分子谐波辐射的空间分布研究。结果表明,在空间均匀场下,正向H核辐射谐波强度高于负向H核;在空间非均匀场下,由于金属结构表面出现的等离子共振增强现象,谐波截止能量得到延伸;负向H核辐射谐波强度明显高于正向H核,随后通过电离几率、电子布局、电子波函数以及谐波辐射的时频分析可以给出H₂+分子谐波空间分布的合理解释。通过叠加谐波谱上的谐波,可获得一个脉宽为36as的超短孤立阿秒脉冲。该研究对分子谐波的空间分布及阿秒脉冲的输出是有帮助的。     

射频同轴电缆的衰减分析简

本文从电缆结构、材料选用、制造工艺、运输及使用等几个方面分析了射频同轴电缆的衰减,并且进行了横向对比。     

一种新型双侧漏泄同轴电缆辐射特性分析

为了解决室内5G 信号覆盖盲区的问题,对单侧漏泄同轴电缆进行了改进,设计了一种新型的双侧漏泄同轴电缆。根据周期结构的槽孔天线阵列理论,以电磁仿真软件Ansoft HFSS作为分析工具,建立双侧开槽的漏缆仿真模型,得到了电场分布、耦合损耗、方向图和S参数的特性;对不同节距和槽长进行仿真,获得了不同辐射模式下,漏缆耦合损耗随节距、槽长变化的曲线。研究结果表明:双侧漏缆比单侧漏缆的电场强度更均匀,方向图更加对称,通信质量更高,为5G信号在室内覆盖提供解决方案。