Ni27+ 离子Kα和Kβ 型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni²⁷⁺等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道，分析了Ni²⁷⁺等离子体Kα 型和Kβ 型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l与电子温度的变化行为，计算了Ni²⁷⁺等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明，在低密度条件下，Kα 型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l有重要关系，前者的分支速率系数远大于后者. 关键词： 27+离子')" href="#">Ni²⁷⁺离子 Kα型和Kβ型辐射衰变')" href="#">Kα型和Kβ型辐射衰变 双电子复合 速率系数     

Au52+离子的双电子复合速率系数

利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法计算了从类钴金离子的基态3s23p63d9(J=5/2) 经过类镍的3l17nl"和3l164l'nl"电子组态的双电子复合速率系数,并考虑了级联辐射到可自电离能级退激的影响,给出了包含级联辐射在内的能级到能级的外推方法.     

Au52+离子的双电子复合速率系数

利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法计算了从类钴金离子的基态3s23p63d9(J=5/2)经过类镍的3l17nl″和3l164l′nl″电子组态的双电子复合速率系数,并考虑了级联辐射到可自电离能级退激的影响,给出了包含级联辐射在内的能级到能级的外推方法.     

Xe8+离子双电子复合速率系数的理论研究

利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包, 详细研究了温度在0.1~1650 eV范围内Xe8+离子的双电子复合(DR)过程。 通过比较4s, 4p和4d壳层电子激发的双电子复合速率系数, 发现温度在10 eV以上时, 内壳层4p电子激发的双电子复合速率数对总双电子复合速率系数有很重要的贡献, 而4s电子激发对总双电子复合速率数贡献小于7.5%。 给出了△n=0, 1和2 三类芯激发对总双电子复合速率系数的贡献以及自由电子俘获到不同主量子数的双电子复合速率系数, 发现△n=2的芯激发和n′＞15的DR速率系数对总DR速率系数的贡献也很重要。 进一步给出了△n=0, 1和2 三类芯激发和总DR速率系数的拟合参数, 拟合结果和计算值符合, 偏差小于1%。 通过对双电子复合、 辐射复合以及三体复合速率系数的比较得知, 在温度高于1 eV时, DR过程是Xe8+离子的主要复合过程。Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out for the dielectronic recombination (DR) rate coefficients of Xe8+ ions in the temperature region from 0.1 to 1 650 eV. The comparison of the DR rate coefficients from 4s, 4p and 4d subshell excitations shows that 4d subshell excitation dominates in the whole temperature region. The contribution from 4p subshell excitation is very important at temperature above 10 eV and the contributions from 4s subshell excitation is lower than 7.5% in the whole temperature region. Similarly, the comparison of the DR rate coefficients through △n=0, 1 and 2 core excitation shows that the contribution from △n=2 core excitation can not be neglected, the contributions from n′＞15 can also not be neglected. The DR rate coefficients of △n=0, 1 and 2 core excitation and the total DR rate coefficients are fitted with some parameters, which are in good agreement with theoretical calculations values (within 1% difference). The total DR rate coefficients are greater than radiative recombination (RR) and three body recombination (TBR) rate coefficients at temperature above 1 eV. Therefore, the DR process can strongly influence the ionization balance of laser produced xenon plasmas.     

Au^52＋离子的双电子复合速率系数

利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法计算了从类钴金离子的基态3s^23p^63d^9（J=5／2）经过类镍的3l^17nl＂和3l^164l’nl＂电子组态的双电子复合速率系数，并考虑了级联辐射到可自电离能级退激的影响，给出了包含级联辐射在内的能级到能级的外推方法．     

W44+ 离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用方法,详细研究了W44+ 离子从基组态3s23p63d104s2俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s2)nln′l′(n = 4 ~ 6,n′= 4 ~7) 的双电子复合(DR) 过程。通过比较不同壳层电子激发的DR 速率系数,得知4s 电子激发和3d 电子激发的DR 速率系数分别在低温和中高温度时给出了主要贡献,得到了主要的电子激发DR通道。在1 eV~50 keV 温度范围内,计算了n = 4~18 的DR速率系数,并外推到了n= 100,得到总DR 速率系数。比较总DR 速率系数、三体复合(TBR) 以及辐射复合(RR) 速率系数,结果表明DR 速率系数在研究的温度范围内远大于TBR 和RR 速率系数,其将明显地影响ITER 等离子体的电离平衡和离化态布居。Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out to research the dielectronic recombination (DR) processes, in which W44+ ions in the ground state 3s23p63d104s2 trap an electron to form doubly excited states (3s23p63d104s2)nln’l’(n =4~6,n′= 4~7). The comparison of the DR rate coefficients of different shells shows that DR approach is as follow: the 4s subshell excitation dominates to DR at low temperature, but 3d subshell excitation attributes to DR at high temperature. Total DR rate coefficients from n=4~18 are evaluated directly, and the results are extrapolated up to n = 100 in the temperature range from 1 to 5×104 eV, and thus get the total DR rate coefficients. Compared total DR rate coefficients to three-body recombination (TBR) rate coefficients and radiative recombination (RR) rate coefficients, it showed that the total DR rate coefficients obviously significantly greater than other two recombination rate coefficients, and thus it obviously influence ionization equilibrium and ionization state population of ITER plasma.     

类镍金离子的双电子复合速率系数

在自旋轨道劈裂阵模型下, 理论计算在0.02keV≤T≤10keV范围内,类镍金Au51+的3d9nln'l'(n'=4,5,6; l'=s,p,d,f)双电子复合速率系数,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素。     

类镍金离子的双电子复合速率系数

 在自旋轨道劈裂阵模型下, 理论计算在0.02keV≤T≤10keV范围内,类镍金Au⁵¹⁺的3d⁹nln''l''(n''=4,5,6; l''=s,p,d,f)双电子复合速率系数,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素。     

Re30+离子双电子复合速率系数的理论研究

复杂结构离子的双电子复合速率系数在极紫外光刻光源、核聚变等应用研究的等离子体光谱模拟和诊断中具有重要的应用价值。利用全相对论组态相互作用方法,详细计算了基组态为4p64d9的Re30+离子经双激发态（4p64d9）-1nln'l'（n=4~6,n'=4~23）的双电子复合（DR）过程。研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响。其中内壳层4p电子激发的DR速率系数是总DR速率系数的28.2%~44.9%,所以内壳层4p电子激发的贡献不可以忽略。级联退激对DR速率系数的最大贡献为12.9%,也必须要予以考虑。通过对双电子复合、辐射复合、以及三体复合速率系数的比较,辐射复合速率系数的最大值为DR速率系数的22.6%,三体复合速率系数的最大值仅为DR速率系数的0.3%。因此,DR速率系数远远大于辐射复合和三体复合速率系数。该结果表明DR过程对于等离子体离化态分布、能级布居以及光谱模拟都极为重要。为了方便应用,对基态和第一激发态的总DR速率系数进行了参数拟合。该研究结果将为Re激光等离子体的光谱模拟及复杂结构离子DR过程的进一步研究提供参考。Dielectronic recombination (DR) rate coefficients of complex ions are very important in some application research, such as extreme ultraviolet lithography and nuclear fusion. Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out to research the DR processes, in which Re30+ ions in the ground state 4p64d9 to (4p64d9)-1nln'l'(n=4~6, n'=4~23). Influence of excitation and radiation channels, configuration interaction, the effect of decays to autoionizing levels possibly followed by radiative cascades (DAC) are analyzed. The contributions through 4p subshell excitations to the total rate coefficient are 28.2%~44.9% in the whole temperature region. Hence the contributions from inner-shell electron excitation are very important. The contributions from the DAC transitions increase smoothly with the increasing temperature and are about 12.9% at 50 000 eV. The contributions of DAC can not be neglected. By means of compared total DR rate coefficients to radiative recombination rate coefficients and three-body recombination rate coefficients, it shows that the maximum value of the radiation recombination rate coefficient is 22.6% of the DR rate coefficient and the maximum value of the three-body recombination rate coefficient is only 0.3% of the DR rate coefficient. The total DR rate coefficient is greater than either the radiative recombination or three-body recombination coefficients in the whole temperature range. The corresponding DR process is very important for plasma ionization distribution, population level and spectrum simulation. In addition to facilitate the application, the total DR rate coefficients for the ground state and the first excited state are fitted to an empirical formula. These results will provide the reference for the further analyses of rhenium laser plasma spectrum simulation and the complex structures ions DR process.     

Au激光等离子体的双电子复合速率系数

基于准相对论多组态HartreeFock理论和扭曲波近似,采用组态平均的方法,从头计算了类铁金离子类镓金离子的双电子复合速率系数,计算中包含了大量稠密的自电离能级,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应,造成高Z材料Au的双电子复合速率系数不同于低Z元素的特征,与现有文献的类镍金离子比较,结果表明,在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度约为2keV,电子密度约为6×1021cm-3,Au激光等离子体不同理论之间的双电子复合速率系数误差不到10%.这对于使用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带细致 关键词： 双电子复合 类铁金离子类镓金离子 复合速率系数     

类铷W37+离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W37+离子从基组态3s23p63d104s24p64d经过双激发态(3s23p63d104s24p64d)-1nln′l′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×104 eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p54d5d5f-4p64f5d的贡献是双激发态4p54d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。     

类铷W37+离子双电子复合速率系数的理论研究

 利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W³⁷⁺离子从基组态3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d经过双激发态(3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d)^-1nln′l′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×10⁴ eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p⁵4d5d5f-4p⁶4f5d的贡献是双激发态4p⁵4d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。     

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

使用全相对论组态相互作用方法, 能级-能级细致计算了0.1 E_I ≤ kT_e≤ 10 E_I (E_I是类钠离子基态的第一电离能) 温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数, 双激发自电离能级考虑了(2s2p)⁷3ln'l', (2s2p)⁷4l4l' 以及(2s2p)⁷4l5l'组态. 对于(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态, 轨道角量子数l' >8 的(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计; (2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足 n'^-3组态-组态外推法, 并且核电荷数越大, 趋于n'^-3标度的n'值越小; 对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合, 得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数 Z和电子温度变化的经验公式, 该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内, 能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1E_I ≤ kT_e ≤ 10E_I电子温度范围的DR速率系数. Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kT_e<0.3 E_I)类氖离子的DR速率系数, 在高温(kT_e>2E_I)时, 类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.     

Co-like Au52+离子双电子复合的理论研究

基于准相对论Hatree-Fock理论,采用Cowan程序详细计算了Co-like A u52+离子的双电子复合速率系数、自电离几率以及自电离能级.计算结果表明:由于径向波函数的穿透效应使得该离子自电离能级3d84l5s(l=s、 p、d、f)升高,造成能级间隔不随外层激发电子轨道角动量的增加单调减小的异常现象,即Δ(E3d8 4l5d-E3d84l5p)＞Δ(E3d84l5p-E3d84l5s)＞Δ(E 3d84l5f-E3d84l5d);双激发自电离态平均自电离几率具有特定的变化关系;双电子复合速率系数随着电子温度逐渐增加具有共振、高温收敛等特点,且双激发态轨道角动量大且宇称为奇的通道复合速率系数较大,其中辐射衰变通道为3d84fnd-3d9nd 的复合过程占优势,在Te=0.49*"KeV时共振峰αDR=1.01×10-11(cm 3sec-1).     

类氦氪离子双电子复合的相对论计算

本文采用相对论性的Flexible Atomic Code (FAC)程序计算类氦氪离子的双电子复合截面及速率系数。其中自电离速率的计算采用相对论扭曲波近似，并考虑了组态相互作用的影响。文中还将所得的自电离和总辐射速率与采用MCDF和HULLAC计算得到的结果作了比较。我们检验了n-3标度律的有效性并用它对速率系数做了外推。文中还讨论了辐射分支比随不同共振峰和原子序数的变化以及级联辐射的影响。     

W^71＋离子态—态双电子复合速度系数的计算

基于Ｃｏｗａｎ相对论多组态ＨＦＲ程序，计算了高离化类锂钨离子在０．１－９ｋｅＶ能量范围内，对应于Δｎ＝０．１的态－态双电子复合速率系数。讨论了速率系数随电子温度，复合类型及中间双激发态中俘获电子的主量子数的变化。     

钨离子双电子复合过程的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法, 研究了W28+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10 )-1 nln'l'(n = 4~6, n' = 4~15)的双电子复合(DR)过程. 比较分析了3s、3p、3d、4s、4p和4d电子激发对DR速率系数的贡献, 分析了3d、4s、4p和4d电子激发的DR速率系数随轨道量子数l' 的变化. 考虑和已有的计算完全相同的初态, 中间双激发态以及辐射和俄歇末态的情况下, 得到了和已有的计算符合很好的结果. 在综合了分析得到的对W28+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数. 其中, 考虑DAC效应对总DR速率系数有不可忽略的影响. 对DR速率系数进行了参数拟合, 拟合值与计算值的偏差小于1％.     

钨离子双电子复合过程的理论研究

摘要: 利用全相对论组态相互作用理论方法, 研究了W28+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10 )-1 nln''l''(n = 4~6, n'' = 4~15)的双电子复合(DR)过程. 比较分析了3s、3p、3d、4s、4p和4d电子激发对DR速率系数的贡献, 分析了3d、4s、4p和4d电子激发的DR速率系数随轨道量子数l'' 的变化. 考虑和已有的计算完全相同的初态, 中间双激发态以及辐射和俄歇末态的情况下, 得到了和已有的计算符合很好的结果. 在综合了分析得到的对W28+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数. 其中, 考虑DAC效应对总DR速率系数有不可忽略的影响. 对DR速率系数进行了参数拟合, 拟合值与计算值的偏差小于1％.     

类铜Dy37+离子的双电子复合速率研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类锌组态,理论计算出类铜Dy37+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度0.02 keV～5.0 keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数.     

类锌金离子的双电子复合过程研究

在自旋轨道劈裂阵模型（SOSA）下，理论计算出类锌Au^49＋的双电子复合速率系数，得出其在电子温度0．02keV-5．0kev范圈内的变化规律，分析不同离化度离子的能级特征，及影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能，这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数．