SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的制备与光学性能

采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105 nm,折射率为1.352,底层SnO2∶Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2∶Sb薄膜,在相同情况下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2∶Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2∶Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率。相比于单层SnO2∶Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率。     

纳米SnO2-TiO2改性双极膜的制备及表征

将纳米SnO2-TiO2复合半导体材料添加到壳聚糖(CS)阴离子交换膜中,制备了PVA-CMC/nano-SnO2-TiO2-CS双极膜(CMC羧甲基纤维素钠,PVA聚乙烯醇),并用扫描电镜、接触角测定仪等对其进行了表征。研究表明,添加纳米SnO2-TiO2可提高双极膜的亲水性和机械性能。在高压汞灯照射下,纳米SnO2-TiO2复合半导体材料较纳米SnO2或纳米TiO2单一半导体材料具有更强的光催化双极膜中间界面层水解离能力,从而大大降低双极膜的膜阻抗和膜电阻压降(即IR降)。     

双钙钛矿La2NiMnO6多晶靶材的制备及结构表征

通过固相烧结法制备了符合脉冲激光沉积(PLD)镀膜所用的双钙钛矿La2NiMnO6多晶靶材。利用热重—差热分析仪(TG-DTA)分析了La2NiMnO6多晶靶材成相过程及热学性质,并用X射线衍射仪(XRD)和偏光显微镜对不同烧结温度下制备的La2NiMnO6多晶靶材的相组成和形貌结构进行了表征。结果表明,烧结温度到达700℃之后La2NiMnO的晶粒成相基本完成,其最优化烧结温度约为1 100℃。     

工艺参数对SnO2基NTC热敏陶瓷电性能影响的研究

采用SnO     

SnO2:Sb透明导电薄膜的制备及光电性能

采用溶胶–凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2（SnO2：Sb）透明导电薄膜。研究了Sb掺杂量、镀膜次数、热处理温度对SnO2：Sb薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪、Fourier变换红外光谱仪、扫描电子显微镜、四探针电阻仪、分光光度计对薄膜样品进行表征。结果表明：SnO2：Sb薄膜为四方相金红石结构;薄膜结构平整、致密,膜厚与镀膜次数基本成线性关系;在Sb掺杂量为10%,镀膜8次的条件下,薄膜具有最佳的光电性能,方块电阻达105/□;在玻璃上镀SnO2：Sb薄膜后,近红外波段透过率下降显著,由90%降到5.5%,在可见光波段略有降低,仍保持了较高透过率。     

ZrB2陶瓷制备研究进展

航天航空、新兵器、新能源等高科技领域的快速发展对超高温陶瓷材料提出了迫切的需求,ZrB2陶瓷材料是最重要的超高温陶瓷材料之一。本文阐明了ZrB2陶瓷拥有优异性能的原因,综述了ZrB2陶瓷材料的制备研究进展,介绍了固相法、气相法、前体法制备ZrB2陶瓷材料的机理,对比了各种ZrB2陶瓷材料制备方法的优缺点,并指出了有机前体转化法具有可设计性好、不含杂质元素、成型可控、陶瓷转化温度低等优点。本文总结得出有机前体转化法是制备ZrB2超高温陶瓷复合材料较理想的方法,以及基于有机聚合物的ZrB2陶瓷前体是未来重要的发展方向之一。     

SnO2/ZnO复合中空纤维材料的制备及其光催化性能

采用天然棉花为模板制备了具有高光催化活性的SnO2/ZnO复合中空纤维光催化材料;利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)技术对其相结构和形貌进行了表征;以亚甲基蓝(MB)的脱色降解为模型反应,考察了Sn4+和Zn2+物质的量比为0.1∶1时煅烧温度对其催化性能的影响。实验结果表明:制备的样品为复制了棉花纤维模板形貌、具有中空结构的SnO2和ZnO半导体复合材料(SnO2/ZnO);煅烧温度对材料SnO2/ZnO的结晶度、晶粒大小﹑表面微结构和催化性能等有显著影响;650℃左右所得样品在太阳光下的催化活性最好,1 h可使MB溶液的脱色降解率达100%;该材料易于离心分离,具有良好的催化活性和重复使用性能。     

防护装甲用抗弹Al2O3陶瓷研究进展

抗弹Al₂O₃陶瓷因其高硬度、低密度以及低成本,在防护装甲领域占有重要地位。本文详尽综述了抗弹Al₂O₃陶瓷的生产原材料选择、制备技术及发展趋势,比较了干压成型、等静压成型、凝胶注模成型及粉末微注射成型技术,与常压烧结、热压烧结、热等静压烧结等烧结工艺对抗弹Al₂O₃陶瓷性能的影响,阐述了发展抗弹Al₂O₃透明陶瓷以满足当代军事需求、抗弹Al₂O₃陶瓷增韧化以克服其高脆性、低韧性的应用屏障,为抗弹Al₂O₃陶瓷的更多应用提供可能。     

TiC-TiB2复合陶瓷制备及性能研究

TiC-TiB2复合陶瓷因具有高硬度、高断裂韧性及优异的耐磨性,目前已成为工程陶瓷的研究热点。但是TiC-TiB2复合陶瓷的难以制备与难于致密,又使其应用受到极大限制。本文介绍了国内外TiC-TiB2复合陶瓷合成与制备方法、显微组织与力学性能等,特别提到了军械工程学院先进材料研究所采用超重力下燃烧合成技术,制备出大尺寸、高致密性的TiC-TiB2共晶复合陶瓷,从而为以后的更广泛应用提供了支持。     

稀土Eu3+掺杂对SnO2薄膜光学和电学性质的影响

基于旋涂法制备了Eu³⁺掺杂的SnO₂薄膜,并通过紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流-电压测试和原子力显微镜(AFM)等对样品的光学性质、电学性质和表面形貌进行了表征。研究发现,在200nm～380nm的波长范围内,掺杂15at%Eu³⁺的SnO₂薄膜光吸收率最高;在380nm～700nm的可见光范围内,掺杂15at%Eu³⁺的SnO₂薄膜光透射率较强,掺杂20at%Eu³⁺的SnO₂薄膜光吸收率最强。随着Eu³⁺掺杂浓度的增加,SnO₂薄膜的电阻增加,表面的平均粗糙度显著降低。     

电致发光用SnO2:Sb透明导电膜的制备及性能

采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3 的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平均透光率达到90%以上。对所制备的透明导电膜用XRD、FT-IR、SEM、TEM进行了分析表征。     

制备工艺对SnO2:Sb透明导电膜性能的影响

将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电膜，并考察了不同制备工艺及热处理温度对膜的厚度、薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响，运用XRD、SEM、TEM对所制备的透明导电膜进行了分析表征。     

纳米TiO2陶瓷粉体的制备及其应用和展望

对纳米TiO2陶瓷粉体的制备技术及其在陶瓷、环保、涂层以及光电转化材料等方面的应用进行了简要综述，并提出了今后研究的方向。     

聚苯胺材料导静电性能及其配方研究

主要研究采用聚苯胺材料代替石墨配制混合型导静电涂料的方法,可提高传统的石墨添加型导静电涂料的性能,并克服石墨迁移现象。     

二氧化锡不同掺杂方式对钛酸钡介电性能的影响

研究了二氧化锡不同掺杂方式对钛酸钡介电性能的影响。采用固相法制备出掺杂比例为2mol%SnO2&BaO、2mol%SnO2和4mol%SnO2三组不同方式SnO2掺杂钛酸钡样品。结果表明,两种掺杂方式对钛酸钡的作用效果截然不同,SnO2-BaO共掺杂会以BaSnO3的形式固溶入钛酸钡晶格,从而增大其介电常数,减小居里温度,同时介电损耗不会增大;SnO2单独掺杂则会引入Sn4+杂质离子,造成钛酸钡介电常数的减小以及介电损耗的增大,导致介电性能的劣化。     

湿法制备纳米xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料及导电机理研究

以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出性能优异的xSb_2O_3·(1-x)SnO_2导电颜料,其粒径约为10 nm,电阻率为36.70Ω·cm。对不同制备方法做对比,结果表明:采用均匀沉淀法所制颜料导电性能明显优于干法。在xSb_2O_3·(1-z)SnO_2前驱体形成过程中有均相成核与非均相成核,以非均相成核为主。通过对样品进行TG-DTA,XRD测试,以及晶胞参数的变化,证实掺锑二氧化锡的半导体化是由Sb~(3 )与Sb~(5 )取代Sn~(4 )的格位所致,其导电性能随锑的氧化态变化而改变。     

光催化TiO2薄膜的制备、性能及其应用

TiO2 薄膜因其优异的光催化特性而被广泛使用在环境保护、生态建材及医学等领域。本文系统地介绍了光催化TiO2 薄膜的制备方法、光催化机理和超亲水性机理 ,以及TiO2 薄膜材料的性能和应用领域     

导电塑料的电阻率与压力关系研究

研究炭黑填充聚偏二氟乙烯导电塑料在使用环境压力变化时电阻率的变化规律。研究结果表明,当环境压力在０．１￣１２ＭＰａ变化时,塑料基体与填料炭黑同时发生弹性变形,对炭黑导电链影响不大,电阻率较稳定,该种导电塑料可以在压力有较大变化的环境下使用。     

Sb-SnO2/BaSO4导电粉末的制备与表征

以重晶石粉为基体,采用化学共沉淀技术制得表面包覆掺锑氧化锡的Sb-SnO2/BaSO4导电粉末.用差热/热重分析前驱体的热处理特性.用X射线衍射表征样品的结构.系统研究水解pH值和温度、SnCl4·5H2O/SbCl3摩尔比、SnCl4·5H2O用量和焙烧制度对导电粉末电阻率的影响规律.产物的电阻率为13Ω·cm、平均粒径为3 4μm,具有广泛的应用前景.探讨了锑掺杂氧化锡的缺陷与能级效应,确定了导电粉末中掺杂效应的缺陷反应.这种方法为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路.     

草酸盐共沉淀法合成Mn掺杂的BaTiO3陶瓷微球

用草酸盐共沉淀法制备了Mn掺杂的BaTiO3陶瓷微球,并探索了用此方法制备Mn掺杂的BaTiO3微球的最佳工艺条件。借助差热-热重、X射线衍射和扫描电子显微镜等手段对样品进行了表征。实验结果表明:该方法可以制备出掺Mn钛酸钡陶瓷微球,并且在适宜的掺杂量,反应温度和煅烧温度等反应条件下,可以制得平均直径1.5μm的Mn掺杂的BaTiO3陶瓷微球。