嵌入元件PCB技术的最新动向

文章概述了嵌入元件PCB技术的开发背景和技术动向以及EOMIN的关键技术和特征。     

有限元分析导热层厚度对印制电路散热性能影响

印制电路板的散热性能是影响电子产品可靠性的重要因素,而电路板的表面温度分布很难通过测量获得。通过有限元分析方法,模拟了印制电路板的温度场分布,并对元器件在嵌入不同厚度铝基导热层基板上稳定工作时的散热过程进行了分析。分析结果表明在PCB内部嵌入不同厚度铝基导热层可以有效地降低元器件失效率,增加产品可靠性,该结果可以为PCB制造过程中基板的选择提供指导。     

使用表面安装元器件的设计（待续）

整机设计从过去常用的通孔基板，带引线元器件组装转移到表面安装元器件贴面组装上来，称为“表面安装技术”。     

基于BGA技术的多功能LC滤波器三维组装设计

本文提出了一种基于BGA（ball grid array）球栅阵列技术的多功能LC滤波器组装设计方法。该方法利用BGA阵列连接,实现多个基板的三维集成互联组装。将电感磁芯等元件置于顶层基板上,电容和芯片等元器件置于底层基板上。同时对BGA基板三维组装和元器件安装工艺技术进行研究和分析,提供了基于BGA技术实现的小型化多功能LC滤波器解决方案。     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.     

嵌入静电保护电路板制造技术

静电放电现象广泛存在于电子产品中,其特点是时间短暂、速度快和能量高。静电放电会导致电子元器件失效或存在隐患,甚至导致电子产品完全损坏。传统的表面安装的分立元器件(电涌抑制器)仅能对电子产品提供3%的保护,已经不能满足电子产品对静电保护的要求了。嵌入静电保护电路板的制造技术,主要工艺是将静电保护特殊材料嵌入到电路板内部,从而可以在整体系统上对电子产品进行静电保护。实验证明,嵌入静电保护电路板可以对电子产品提供达到100%的静电保护。     

小尺寸分立器件与嵌入聚合物厚膜电阻在移动电话中的应用比较

随着移动电话越来越多功能的嵌入,设计者们不得不持续地寻求节省基板面积的方法.嵌入无源器件和使用小尺寸的分立器件(02 01)是两种较为通用的解决方法.文章考察了小尺寸的分立器件与嵌入式聚合物厚膜电阻在降低成本与节省基板面积间的协调和平衡.实验中运用高产量组装和艺术板制作技术组装小离散或聚合物厚膜电阻的方案分析了三种典型的移动电话的设计,并列举了各种方案对基板尺寸和成本的影响.     

产品导购

多用途电子装联手工维修设备 该设备为美国PACE公司“PRC-2000E”表面安装/通孔安装维修设备,主要功能有:1.通孔安装元器件的装拆;2表面安装元器件的装拆,包括点涂焊料膏、胶粘剂,拾取元器件和贴放,放风再流焊接和直接热传导焊接、解焊;3.单面、双面和多层印刷电路板的基板和电路的修补;4.导线绝缘层热脱;5.灌封材料的拆除等。     

铝基PCB板可靠性研究

从铝基板的特性人手,对不同的厂家的产品进行了测试对比,并对铝基板与元器件的膨胀系数不匹配问题进行了分析。提出了优化焊盘结构和改变端电极的减缓应力的措施,并通过环境试验对不同安装方式下的焊点可靠性进行了验证。     

预涂焊料法表面安装技术

所谓预涂焊料表面安装技术,是预先把焊料涂敷在基板和元器件上,在安装时用助焊剂暂时固定,随后原封不动进行再流焊的方法。由于不用焊膏,所以不用考虑对焊膏的要求和故障,容易成为高品位的表面安装。     

有机基板中埋入无源元件概述

介绍了埋入无源元件在减小基板面积和提高基板高频特性的优点,总结了目前正在应用和研究的埋入电阻和埋入电容技术的实现方法.并提出基于埋入平面薄膜电阻和埋入薄芯介质材料形成平面电容技术的混合埋入技术将成为未来埋入无源元件PCB的主流技术.最后阐述了埋入无源元件技术在产业化过程中遇到的困难.     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

埋入电子元件基板的技术动向

概述了埋入无源元件陶瓷基板,集成无源元件(IPD)硅基板,埋入无源部品或者无源部品和有源部品的树脂基板的技术动向。它适应于21世纪安装技术的革新。     

3-D Integration of 10-GHz Filter and CMOS Receiver Front-End

A 10-GHz filter/receiver module is implemented in a novel 3-D integration technique suitable for RF and microwave circuits. The receiver designed and fabricated in a commercial 0.18-mum CMOS process is integrated with embedded passive components fabricated on a high-resistivity Si substrate using a recently developed self-aligned wafer-level integration technology. Integration with the filter is achieved through bonding a high-Q evanescent-mode cavity filter onto the silicon wafer using screen printable conductive epoxy. With adjustment of the input matching of the receiver integrated circuit by the embedded passives fabricated on the Si substrate, the return loss, conversion gain, and noise figure of the front-end receiver are improved. At RF frequency of 10.3 GHz and with an IF frequency of 50 MHz, the integrated front-end system achieves a conversion gain of 19 dB, and an overall noise figure of 10 dB. A fully integrated filter/receiver on an Si substrate that operates at microwave frequencies is demonstrated.     

基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究

基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。     

Ultra-thin pocket embedding package for system in package

Proposed is a new type of packaging technology, `pocket embedding package', using selectively anodised aluminium substrate. In this technology, chips can be embedded inside aluminium substrate so that an ultra-thin and compact type of package can be achieved. A monolithic microwave integrated circuit dice with 120 mum thickness has been successfully embedded inside the substrate with a tolerance of less than 5 mum, and 300 mum of total thickness can be achieved with excellent thermal dissipation     

系统级封装及其研发领域

系统级封装(System-on-Package,SOP或System-in-Package,SIP)是与传统电子封装完全不同的封装概念。它强调的是将一个尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成在一个大小只有封装尺寸的体积内。其中包含各种有源器件,如数字集成电路、射频集成电路、光电器件、甚至于传感器等,还包含各种无源器件,如电阻、电容、电感、无源滤波器、耦合器,天线等。它的出现不仅对传统的封装技术提出全面挑战,推进封装技术进步,同时也将直接推动整个电子制造业的技术进步。介绍系统级封装的概念,讨论它的意义和所涉及的研发方面,以及它对电子制造技术的影响。     

三维微流道系统技术研究

采用LTCC技术,可以获得替代采用硅或其他技术制作的微功能结构,简化工艺,降低成本.重点研究了内嵌三维(3D)微流道系统LTCC多层基板成型中的关键技术:热压和烧结,并进行工艺优化.利用优化的热压、烧结工艺参数,可制备出完好的3D微流道系统LTCC多层基板;通过实验验证,LTCC内嵌三维微流道系统取得了良好的散热效果.     

埋置型叠层微系统封装技术

包含微机电系统(MEMS)混合元器件的埋置型叠层封装,此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(COF)工艺的衍生物。COF是一种高性能、多芯片封装工艺技术,在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中,通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连。研究的激光融除工艺能够使所选择的COF叠层区域有效融除,而对封装的MEMS器件影响最小。对用于标准的COF工艺的融除程序进行分析和特征描述,以便设计一种新的对裸露的MEMS器件热损坏的潜在性最小的程序。COF/MEMS封装技术非常适合于诸如微光学及无线射频器件等很多微系统封装的应用。