LCD切割裂片不良及解决方法

文章汇总了LCD后制程中切割裂片的常见不良,根据切割裂片原理,分析了不良产生的原因,并通过实验给出了改进的方法。     

TFT-LCD切割裂片工艺参数探讨

研究了TFT-LCD切割裂片的原理,以及刀轮角度、切割压力、下压量等工艺参数对切割质量的影响。采用120°和130°两种不同角度的刀轮在切割速度300mm/s、刀轮下压量0.14mm的条件下进行切割,发现120°刀轮的切割深度比130°刀轮的要大5~10μm;当切割压力一定时,切割深度随下压量的增加而增加。在同样条件下,120°刀轮在切割压力为0.18MPa时出现横向微裂纹,130°刀轮在0.28MPa的切割压力下出现横向裂纹;可见刀轮角度越小,越容易出现横向裂纹。实验结果表明,压力是影响横向微裂纹产生的主要因素,而刀轮下压量对横向裂纹的产生没有太大影响。     

LCD玻璃裂片工艺技术的研究

随着近几年液晶显示技术在诸多领域的广泛应用和新技术的推出,对液晶生产工艺的要求也越来越高。在液晶显示器的后工序生产制造中,裂片不良会造成产品直接报废,所以裂片是影响产品质量和生产效率的主要关键工序之一。现代化流水生产线对裂片工艺设备有高精度、高效率及高可靠性的要求。文章主要介绍了LCD玻璃后工序制程中的裂片工艺,针对现有裂片工艺设备所存在的缺陷,就所开发研制的裂片设备的关键技术和如何提高裂片的良品率做了分析。     

玻璃钝化管芯在切割中的改进及冷冻裂片的应用

介绍了美国1006A型切割机切割玻璃钝化管芯中的改进及用制冷系统处理管芯的应用.通过技术论证和实验证明,设备改进后,产品的质量和产量明显提高.     

TFT-LCD制程中ITO残留的产生与控制

铟锡氧化物(indiumtinoxide,ITO)作为氢化非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display,a-Si:HTFT-LCD)最常用的透明导电材料,其图形与厚度会直接影响到器件的相关性能。本文主要阐述了TFT-LCD生产中由于ITO多晶化所造成的残留问题,并根据产线的情况对这些影响进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。     

激光切割中入射角对切割质量的影响

研究了激光入射角对薄板切割质量的影响 ,结果表明 ,在一定条件下 ,激光束不垂直工件表面时 ,仍可以获得切缝细、挂渣少的切割效果。同时切割头的运动方向在激光束不垂直于被加工表面时 ,对切割质量也有显著影响。给出了在三维激光切割时 ,由于干涉等原因无法保证激光束垂直入射时 ,为得到好的切割质量应采取的措施     

紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺研究

为提高晶圆的集成度,提升晶粒分离的质量和效率,采用以二极管泵浦的纳秒级调Q紫外激光切割磷化铟晶圆,利用劈裂机进行裂片,使用金相显微镜检测磷化铟晶圆的切割深度与切口宽度。运用单参数变化法分析重复频率、占空比、切割速度和辅助气体压力对切割深度影响,结果表明,切割深度与重复频率、切割速度近似呈反比关系,与占空比近似呈正比关系,而辅助气体压力对切割深度的影响不大。通过正交实验设计得到切口宽度的最优参数,当重复频率为200 kHz,占空比为10%,切割速度为300 mm/s,气压为0.2 MPa时,最小切口宽度达到6.2μm。综合分析了激光工艺参数和辅助工艺与裂片合格率的关系,最终使磷化铟晶圆裂片合格率达到98%。     

浅析TFT-LCD及触摸屏玻璃基板的切割工艺技术

本文介绍了切割TFT-LCD显示器及触摸屏薄型玻璃基板比较常见的刀轮切割（又称机械切割）、激光切割及水射流切割等几种切割工艺技术。并浅析了它们的各自优势及存在的缺点或局限。从而探讨各个公司因产品结构上的差异而应如何选用合适的切割工艺技术。     

TFT-LCD Cell工程机械手上Pin的改造方案

本文介绍了一种TFT-LCD行业真空对盒工序用搬运机器人,机器人有上下手臂,其中下手臂上设置有位于两侧的侧臂和2个位于中侧的中臂,中臂上设有3个通过喷出气流将玻璃托起的喷气口,喷气口通过导气管与外设气泵连接;侧臂或中臂上还设有一检测装置;外设气泵、检测装置与控制装置连接;侧臂上设置有5个真空垫片。真空对盒工序用搬运机器人下手臂上的喷气口设于玻璃基板像素区,且与所搬运玻璃基板没有接触,避免了面板像素区出现亮点和封框胶断胶;当搬运的面板尺寸发生变化时,无需移动喷气口,减少了设备的空闲时间,提高了设备的使用效率。     

TFT—LCD成盒工程中配向不良的改善

从生产角度研究了TFT—LCD成盒工程中配向不良发生的原因，通过对TFT基板、PI液的调查．通过对彩膜基板色层断差、角断差等的量测明确了角断差对此不良的影响，分别在摩擦工程、本硬化工程对这项不良进行改善，结果表明本硬化工程工艺条件的改进对改善该不良有明显效果，并通过一组实验得到最优化本硬化条件，最终改善了该不良。     

TFT-LCD驱动芯片内置电荷泵的优化

根据手机用TFT-LCD的显示和驱动要求,优化设计了一种用于TFT-LCD驱动IC的内置电荷泵升压电路。使用0.25μm CMOS高压工艺的HSPICE仿真结果表明,与传统的电荷泵电路相比,优化后的电荷电压稳定速度提高将近一倍,升压效率和功率效率分别提高4%和5%,全部输出电压上升到稳定值的时间小于60 ms,满足设计要求。该新型升压电路采用3个时钟控制开关动作,共用升压电容,减少了外接升压电容的数目,另外能够同时产生正倍压和负倍压。     

TFT-LCD工艺与静电击穿

薄膜晶体管液晶显示（thin film transistor—liquid crystal display，TFT—LCD）的制造工艺是一个复杂的过程，各个环节都可能发生静电击穿（electrostatic discharge，ESD）现象，导致TFT-LCD器件被破坏，极大地影响了良品率。本文根据薄膜晶体管（TFT）生产工艺的实际情况，阐述了产线里各类产品型号的ESD发生状况。在此基础上，对各种设计、工艺过程和工艺参数对ESD造成的影响进行了分析研究，为实际的生产提供了指导作用。     

高渗透刀轮切割TFT—LCD薄型玻璃基板的工艺影响因素

介绍了切割TFT～LCD薄型玻璃基板的高渗透刀轮和切断的基本概念,以及刀轮角度、切断压力、押入量和切断速度工艺参数对切断效果的影响。采用1150和1250两种不同角度的刀轮在切断速度400mm／s．刀轮押入量0．2mm的条件下进行切割,1150形成的垂直裂纹比1250要深;当其他条件一定时,垂直裂纹随切断压力的增大而增大,随押入量和切断速度的变化不大。     

一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block Mura进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,特别是对其产生的原因创新性地提出了两种方向上的理论观点。通过加强设备科学管理监控,减小耦合电容效应等一系列改善措施,产品质量得到了很大程度的提升,Vertical Block Mura从改善前的26.1%降到了1.3%,从而使Vertical Block Mura得以改善,很大程度地提高了产品的品质,并为今后相关问题的进一步研究和解决奠定了一定的理论基础。     

适用于小尺寸TFT-LCD的图像锐化算法及其硬件实现

针对小尺寸TFT-LCD驱动控制芯片的结构特点,提出了一种适用于小尺寸TFT-LCD的新型图像锐化算法.在传统的反锐化掩膜算法中考虑了人眼的视觉系统特性,加入了能量色散滤波器,进而提高了图像锐化效果,降低了锐化噪声,减小了灰度溢出,同时也避免了色彩失真现象.所提出的算法简单且易于硬件实现,硬件开销小,还可以通过寄存器配置锐化强度等参数,以实现显示画质的优化和微调,尤其适应于手机等小尺寸TFT-LCD显示终端应用.     

大屏幕TFT-LCD内部接口技术研究

内部接口技术是大屏幕TFT-LCD驱动关键技术之一,它不仅决定着整个驱动系统的硬件结构,而且其数据传输可靠性更是直接关系到显示效果的优劣。本文主要从电学参数、体系结构和传输协议3个方面介绍了以PPDS为代表的新一代内部接口技术,并与当前主流技术RSDS进行对比,分析其优缺点。