溅射用优质铌靶材的制备

采用相对纯度>99.95%的铌条,经两次电子束熔炼后得到Φ160mm的铌锭,通过锻造→机加工→轧制→热处理→校平→机加工→检测→成品制成靶材试样。成品试样分别在850,920,1000,1050℃热处理,对不同热处理后的试样进行组织、晶粒度的工艺流程检测。结果显示,1100℃沿轴向单向高温镦锻,可以较好破碎晶粒,提高塑性变形激活能,易于形成(111)织构。轧制过程选用第一道次加工率ε1≥30%和换向轧制前后变形比△为1.6时,可以使板材的晶粒大小均匀,纵横向差别减小。成品在920℃,1h热处理后晶粒尺寸小于100μm,晶粒取向一致,晶粒大小分布均匀,有利于提高溅射膜的质量。     

电子行业用高纯金溅射靶材研究综述

围绕半导体集成电路产业的需求,综述高纯金提纯中杂质元素的控制,制备工艺中的金靶材结构设计、微结构调控技术及靶材与背板焊接绑定等技术的研究现状。提出通过行业协调修订相关产品标准,结合溅射设备完善靶材的结构设计,开展靶材微结构调控进行金薄膜与靶材结构的关联性研究,拓展高纯金靶材的绑定技术等研究方向。     

无损检测在溅射靶材制造中的应用

作为关键原材料之一,电子信息产业对溅射靶材质量要求非常严格。无损检测对于确保溅射靶材质量具有重要意义。溅射靶材生产过程中应用的无损检测技术主要是X射线技术和超声波技术。无损检测工序的安排需要合理并兼顾生产效率。检测项目主要是原材料与靶材板坯内部缺陷检验和焊接质量检验。应用的超声检测技术主要是超声纵波脉冲反射C扫描技术,而且靶材制造的检验验收标准极为严格。     

溅射靶材的制备及发展趋势

随着电子信息产业突飞猛进的发展,世界溅射靶材的需求量越来越大．文章介绍了溅射靶材的制备情况．并对靶材的发展趋势做了探讨．     

纯银溅射靶材的制备、微观结构及溅射成膜研究

银薄膜作为高新技术领域极具潜力的新材料,在现代工业中得到了广泛的应用。以银靶为源材料的磁控溅射已成为制备银薄膜的常用方法。本研究比较了冷轧状态和退火状态下Ag靶的溅射性能,探讨了Ag靶与Ag薄膜之间的关系。结果表明:冷轧变形量为83.33%后进行600 ℃退火可以有效提高Ag{110}的织构密度。冷轧态和退火态Ag靶具有相似的沉积速率。两种Ag薄膜的电阻率均随溅射时间的延长而降低。在溅射时间相同的情况下,退火态Ag靶溅射的Ag薄膜电阻率低于冷轧态Ag靶溅射的Ag薄膜。退火态Ag靶组织均匀,溅射后溅射跑道较浅。     

银合金溅射靶材

日本专利2004—084065介绍了一种银合金溅射靶材及用该银合金溅射靶材形成的银合金膜，能够稳定地在大面积的FPD底板上均匀地形成兼备电子器件所要求的低电阻和高的反射率、耐热性、耐蚀性以及与底板的紧密粘结性的银合金膜。该溅射靶材，作为添加元素，合计0．1-0．7原子％含有Zr及／或Hf，合计0．1～1.0原子％含有Cu及／或Ge，余量由不可避的杂质及Ag，是在以Ag为主体的基体中具有将含有添加元素的第二相分散的再结晶组织的，维氏硬度在80HV以下的银合金溅射靶材。     

超高纯铝合金互连线及其溅射靶材

近些年来,随着集成电路(IC)技术的进步,围绕集成电路的相关应用得到迅速发展,超高纯铝合金溅射靶材作为集成电路金属互连线制造中的配套材料,由此成为最近国内研究的热点.本文就超高纯铝合金溅射靶材在金属互连线中的应用、性能要求、加工工艺以及发展前景进行了综述.     

AZO溅射靶材的热压制备(英文)

按质量比92:2将ZnO和Al2O3粉末采用热压方法制备AZO溅射靶材。研究温度、压力、保温和保压时间等热压工艺条件对靶材相对密度的影响,研究致密化过程中的气孔演化和相结构变化。结果表明:采用分段热压方式,即在压力35MPa下,在温度1050℃和1150℃分别保温保压1h,所制备的AZO靶材具有最大的相对密度99%。在温度为1050℃时,靶材中的闭合气孔率最低;当热压温度低于900℃时,靶材中存在Al2O3相;当温度升高到1000℃以后,Al2O3相消失,但有ZnAl2O4相生成,且ZnAl2O4相随着温度的升高而增加。与无压烧结比较,热压烧结具有烧结温度低、ZnAl2O4相含量低的优点。靶材电阻率随着热压温度的升高和保温、保压时间的延长而降低。在热压温度1100℃、压力35MPa、保温和保压时间10h下制备了电阻率低达3×10-3-Ω·cm的AZO靶材。     

粉末冶金高纯铬和铬合金溅射靶材烧结工艺研究

介绍了不同加工方式对铬靶烧结密度的影响。在机压过程中，采用双向压制，不添任何成型剂和脱氧剂。机压 真空烧结铬环靶材密度为。78％～80％；冷等静压 真空烧结铬板靶材密度大于82％；而经轧制后，铬板靶材密度提高到90％～95％；铬合金靶材采用热压方式，其密度大于98％。通过优化烧结时间和烧结温度等工艺参数，铬环靶材的烧结成本大大降低。     

国内外磁控溅射靶材的研究进展

磁控溅射以溅射温度低、沉积速率高的特点而被广泛应用于各种薄膜制造中,如单层或复合薄膜、磁性或超导薄膜以及有一定用途的功能性薄膜等,在科学领域以及工业生产中发挥着不可替代的作用。在介绍磁控溅射原理的基础上,阐述了靶材刻蚀机理,针对传统磁控溅射系统中靶材利用率低、刻蚀形貌不均匀等现状,从改善靶面磁场分布和模拟靶材刻蚀形貌两方面对国内外最新的研究进展进行总结与分析。研究表明,通过改变磁体的空间布置或增加导磁片能有效改善靶面磁场分布,采用适当的运动部件实现磁场和靶材的相对运动能有效扩展靶材的溅射面积,提高靶材利用率。在靶材刻蚀模拟中,通过改变溅射过程中的工艺条件(磁场强度、工作电压等)来研究靶面等离子特性,结果显示靶材刻蚀形貌会随着磁场强度的增加而变窄,靶材刻蚀速率会随工作电压的增大而增大等,这些研究成果对磁控溅射工艺参数的优化具有指导意义。最后,对靶材冷却系统的设计、靶材表面处理等对溅射过程的影响进行了简要展望。     

镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势

镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究成果及制备方法,提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。     

靶材成分对磁控溅射PTFE超疏水薄膜的影响

目的了解靶材成分对磁控溅射PTFE薄膜性能的影响,以提升PTFE薄膜疏水性能。方法采用射频磁控溅射技术,在玻璃基片上一步制备了透明超疏水聚四氟乙烯薄膜,并研究了不同PTFE靶材对薄膜的影响。利用X射线光电子能谱仪(XPS)、接触角测试仪(Drop Meter)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别对靶材和薄膜的性能进行研究。结果两靶材的氟碳官能团含量有明显差异,且靶材1含有CF2O,靶材2中不含。靶材的成分影响了PTFE的溅射率,靶材1的溅射率为靶材2的2倍。相同溅射时间下,靶材不同的薄膜厚度不同,从而表现出不同的静态水接触角。薄膜的疏水性能与薄膜厚度呈现指数关系,最终稳定在170°水接触角平台。同时,溅射过程中,F离子刻蚀到玻璃基底而引入了Na F,但薄膜中Na F和氟碳基团的含量与靶材成分相关。薄膜中Na F的存在,提升了薄膜的F/C比,降低了薄膜表面能,提升了其疏水性能,但降低了薄膜的可见光透过率。结论一步制备透明超疏水聚四氟乙烯薄膜的技术具有广泛应用前景,了解靶材成分对薄膜性能的影响具有重要指导意义。     

溅射靶材用高纯钌粉制备技术研究及进展

电子工业生产钌靶对所用的钌粉纯度(99.999%)、分散性、形貌和尺寸等有严格的要求。国内目前只能在实验室制备出高性能的钌粉,尚未应用于生产,在制备高性能钌粉方面与国外有较大差距,且国内钌靶用钌粉主要依靠进口。通过分析和总结了国内外钌靶用钌粉的生产方法、工艺和测试方法,并对国内钌靶用钌粉的制备提出了建议。     

磁控溅射最佳工艺参数的研究

本文通过引拉法测定不锈钢靶材磁控溅射薄膜的结合力,获得了不锈钢靶材的磁控溅射最佳工艺参数,其值为:基材加热温度:800℃,氩压:4×10~(-3)Torr;偏压:-200V;溅射时间:1(?)～2.0h。     

滑动轴承磁控溅射镀层技术的应用研究

研究了用磁控溅射方法在滑动轴承表面溅镀一层AlSn20镀层的新技术。对AlSn20镀层的表面形貌、组织结构、结合强度及镀层硬度进行了分析，并与美巴公司同类轴瓦进行了对比。结果证明：选择合适的工艺参数可获得与美巴轴瓦相似的组织结构与性能。     

磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究

采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构.分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520 V,溅射电流0.8～1.2A,Ar气流量25 mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20 mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600 s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想.     

多重空心阴极溅射靶及其应用

研制了一种由多个空极并列组合而成的可直接作为溅射靶的多重空心阴极溅射靶。其溅射输出量可用靶电压、气压及空心阴极的高度和宽度的比值控制。多重空心阴极溅射靶应用于双辉离子金属渗镀试验。结果表明,这种方法可以加速金属渗镀层的形成。在靶电流密度较大的条件下,可以形成合金扩散层和纯金属沉积层的复合层组织。     

电子束蒸发与磁控溅射制备Al/PI复合薄膜的性能研究

利用磁控溅射法和电子束蒸发法在聚酰亚胺（PI）薄膜基底上沉积了铝功能膜。测试了两种方法薄膜的膜厚、附着力、反射率、折射率和电导率。结果表明,磁控溅射法制备的铝膜的综合性能较电子束蒸制备的铝膜的性能优越。